电阻可变材料的初始化方法、包括电阻可变材料的存储器件及包含可变电阻器的非易失性存储电路的初始化方法技术

本发明专利技术的初始化方法，是电阻值根据被施加的电脉冲的极性而增加或减少的材料即可变电阻材料（２）的初始化方法。以第一电极的电位高于第二电极的电位的方式，在连接在所述可变电阻材料（２）上的所述第一及所述第二电极（１、３）之间，至少施加一次具有第一极性的电脉冲。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电阻值根据被施加的电脉冲的极性而变化的材料即电阻可变材料的初始化方法、使用电阻可变材料的存储器件及使用电阻值根据被施加的脉冲电压的极性而变化的可变电阻器的非易失性存储电路的初始化方法。
技术介绍
近年来，随着电子器件中的数字技术的发展，为了储存图像等数据，对增加固态存储器件的容量和加快数据传输速度的要求越来越高。为了满足这种要求，例如，固态存储器件，是通过使用电阻值根据被施加的电脉冲而变化的材料(例如，Pr1-xCaxMnO3(PCMO)、LaSrMnO3(LSMO)、GdBaCoxOy(GBCO)等)来构成，如在美国专利第6,473,332号公报中所公开。这些材料(在下文中，称为“可变电阻材料”)具有根据电脉冲的极性而增加或减少的电阻值。在使用了这种材料的非易失性存储器件中，根据电脉冲的极性而变化的电阻值，是为储存相互不同的值而被使用。如上所述，可变电阻材料具有电阻值根据被施加的电脉冲的极性而增加或减少的特性。然而，在形成可变电阻材料的膜时，下述事情是不一定的，该事情是在将特定极性的电脉冲施加给可变电阻材料膜时，该膜的电阻值是否以高再现性增加或减少特定量。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种初始化方法，用来将电阻值根据被施加的电脉冲的极性而增加或减少的材料即可变电阻材料初始化，其中：以第一电极的电位高于第二电极的电位的方式，在连接在所述可变电阻材料上的所述第一及所述第二电极之间，至少施加一次具有第一极性的电脉冲。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-12-18 421374/2003;JP 2003-12-26 435501/2001.一种初始化方法，用来将电阻值根据被施加的电脉冲的极性而增加或减少的材料即可变电阻材料初始化，其中以第一电极的电位高于第二电极的电位的方式，在连接在所述可变电阻材料上的所述第一及所述第二电极之间，至少施加一次具有第一极性的电脉冲。2.根据权利要求1所述的初始化方法，其中将所述具有第一极性的电脉冲反复施加到所述第一及所述第二电极之间，直到所述可变电阻材料的电阻值的变化率变得小于规定值为止。3.根据权利要求2所述的初始化方法，其中将所述具有第一极性的电脉冲反复施加到所述第一及所述第二电极之间，直到所述可变电阻材料的电阻值的变化率变得小于规定值为止，之后，以所述第一电极的电位低于所述第二电极的电位的方式，在连接在所述可变电阻材料上的所述第一及所述第二电极之间，至少施加一次具有第二极性的电脉冲。4.根据权利要求3所述的初始化方法，其中将所述具有第二极性的电脉冲反复施加到所述第一及所述第二电极之间，直到所述可变电阻材料的电阻值的变化率变得小于规定值为止。5.一种存储器件，使用电阻值根据被施加的电脉冲的极性而增加或减少的材料即可变电阻材料；包括可变电阻材料，连接有第一及第二电极，和固定电阻器，其一端连接在所述第一或所述第二电极上，其中为了记录，而将电脉冲施加在所述第一及所述第二电极之间。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中根据在未连接在所述固定电阻器的一端的所述第一及所述第二电极中之一个电极、与所述固定电阻器的另一端之间施加规定电压时所得到的、所述第一及所述第二电极之间的电压，读出存储信息。7.根据权利要求5所述的存储器件，其中根据在未连接在所述固定电阻器的一端的所述第一及所述第二电极中之一个电...

【专利技术属性】
技术研发人员：村冈俊作，小佐野浩一，高桥健，下田代雅文，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]