光学近距修正及制作光掩模版的方法技术

一种光学近距修正的方法，包括：将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸８０％～１２０％的第一分割边．．．．．．第Ｎ分割边；分别对第一分割边．．．．．．第Ｎ分割边进行修正，获得对应的修正边，并计算修正边的边缘设置误差；如果所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差；重复上述步骤，至修正满足预定次数，结束修正。本发明专利技术降低了制作光掩模版的时间，提高了效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及光学近距修正(OPC， Optical Proximity Correction)及制作光掩才莫版的方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，为了半导体器件达到更快的运算速度、 更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。而 半导体芯片的集成度越高，则半导体器件的临界尺寸(CD ， Critical Dimension) 越小。为了实现微小的CD，必须使光掩模版上更加精细的图像聚焦在半导体衬 底的光刻胶上，并且必须增强光学分辨率，以制造接近光掩模工艺中光学分 辨率极限的半导体器件。分辨率增强技术包括利用短波长光源、相移掩模方 法和利用轴外照射(OAI, Off-Axis Illumination)的方法。申请号为02131645.7 的中国专利申请公开了一种轴外照射方法，理论上讲，在利用OAI的情况下， 分辨率大约比利用传统照射时的分辨率高约1.5倍，并且能够增强聚焦深度 (DOF, depth of focus )。通过OAI技术，由光学系统印制在半导体衬底上 CD的最小空间周期可以被进一步缩短，但是会产生光学近距效应(OPE, Optical Proximity Effect)。光学近距效应源于当光掩模上节距非常靠近的电路 图形以微影方式转移到半导体衬底的光刻胶上时，由于相邻图形的光波互相 作用，亦即干涉，而造成最后转移到光刻胶上的图形扭曲失真，产生依图形 形状而定的变动。在深亚微米器件中，由于电路图形非常密集，光学近距效 应会降低光学系统对于曝光图形的分辨率。现行的半导体器件制作工艺均是先利用计算机系统来对布局电路图形进行光学近距修正以消除光学近距效应，然后再依据修正过的布局电路图形制 作电路图形，形成于光掩模版上。如图1所示，在布局电路图形100的各边上形成分割点w2、 w3、 w4、 w5、 w6、 w7、 w8、 w9、 w1(),将各边分成长度接近曝光工艺临界尺寸的分割边，其中分割点Wi和W2之间的是第一 分割边Up分割点W2和W3之间的是第二分割边U2，分割点W3和W4之间 的是第三分割边U3，分割点W4和W5之间的是第四分割边U4，分割点Ws和 W6之间的是第五分割边Us，分割点W6和W7之间的是第六分割边U6，分割 点W7和Ws之间的是第七分割边U7,分割点Wg和W9之间的是第八分割边u8,分割点W9和W!o之间的是第九分割边U9,分割点W1()和之间的是第 十分割边Uu)。在第一分割边U！上选取第一评估点Sp其中第一评估点sw立于第一分割 边中间点士第一分割边长10%;用OPC模型对第一评估点Si进行光强计算， 如果第一评估点S!上的光强值正好等于与具体工艺相关的光强阈值，就不需 要移动第一分割边Up将第一分割边U—见为第一边一次修正边Uu，所述光 强阈值是光刻胶被显影时所需要的光强剂量；而当评估点Si光强值小于光强 阈值，那么就需要将第一分割边Ui向外移动，形成第一边一次修正边U ; 评估点S,光强值大于光强阈值，那么就需要将第一分割边Ui向内移动，形成 第一边一次修正边Un;计算第一边一次修正边Un的边缘设置误差(EPE), 所述边缘设置误差为晶圆上实际电路图形的临界尺寸与在计算机运用光学临 近修正模型模拟出的电路图形临界尺寸的误差。用上述方法，在第二分割边U2选取第一评估点S2后进行光强计算，形成第二边一次修正边1112,计算第二边一次修正边U!2的边缘设置误差；在第三分割边U3选取第一评估点S3后进行光强计算，形成第三边一次修正边Uu,计算第三边一次修正边U13的边缘设置误差；在第四分割边U4选取第一评估 点S4后进行光强计算，形成第四边一次修正边U14，计算第四边一次修正边Uw的边缘设置误差；在第五分割边Us选取第一评估点Ss后进行光强计算， 形成第五边一次修正边1115，计算第五边一次修正边1115的边缘设置误差；在第六分割边U6选取第一评估点S6后进行光强计算，形成第六边一次修正边U16，计算第六边一次修正边U!6的边缘设置误差；在第七分割边U7选取第一 评估点S7后进行光强计算，形成第七边一次修正边Un，计算第七边一次修正 边U17的边缘设置误差；在第八分割边U8选取第 一评估点S8后进行光强计算， 形成第八边一次修正边U,8，计算第八边一次修正边Uis的边缘设置误差；在第九分割边U9选取第一评估点S9后进行光强计算，形成第九边一次修正边U19，计算第九边一次修正边Uw的边缘设置误差；在第十分割边Uu)选取第 一评估点Sn)后进行光强计算，形成第十边一次^^正边U2。，计算第十边一次 修正边U加的边缘设置误差。如图2所示，对各一次修正边的边缘设置误差进行比较，无论相邻一次 修正边的边缘设置误差的差值是否小于等于预定值(0 5纳米)，对每条第一 次修正边都进行进一步修正；首先在第一边一次修正边Uu上选取第二评估点 S ，所述第二评估点Sn位于第一边一次修正边Uu中间点士第一边一次修正 边11 长度10%，用OPC模型对第二评估点Su进行光强计算，并将光强值 与光强阈值比较，通过比较结果移动第一边一次修正边Uu,形成第一边二次 修正边Uu,计算第一边二次修正边Uu的边缘设置误差；在第二边一次修正边Uu选取第二评估点Si2后进行光强计算，形成第二边二次修正边U22,计算第二边二次修正边u22的边缘设置误差；在第三边一次修正边U13选取第二评估点Su后进行光强计算，形成第三边二次修正边U23，计算第三边二次修正边U23的边缘设置误差；在第四边一次修正边Ui4选取第二评估点Sw后进行光强计算，形成第四边二次修正边U24,计算第四边二次^修正边U24的边缘设置误差；在第五边一次修正边Ut5选取第二评估点Su后进行光强计算，形成第五边二次修正边U25，计算第五边二次修正边U25的边缘设置误差；在第六边一次修正边Ui6选取第二评估点S16,后进行光强计算，形成第六边二次修正边U26,计算第六边二次修正边U26的边缘设置误差；在第七边一次修正边Un选取第二评估点Sn后进行光强计算，形成第七边二次修正边U27,计算第七边二次修正边U27的边缘设置误差；在第八边一次修正边1118选取第二评估点S,8后进行光强计算，形成第八边二次修正边U28，计算第八边二次修正边U28的边缘设置误差；在第九边一次修正边Ui9选取第二评估点Sw后进行光强计算，形成第九边二次修正边U29,计算第九边二次修正边U29的边缘设置误差；在第十边一次修正边U2。选取第二评估点S2o后进行光强计算，形成第十边二次修正边u3。，计算第十边二次修正边u3。的边缘设置误差。循环上述图2步骤，直至修正至预定次数，即大概循环6 8次，结束修正。然后，将修正后的布局电路图形的按照每条修正边一个一个片断转移至光掩模版上，形成掩模电路图形。现有技术由于对每条分割边进行多次修正后，形成对应的修正边，然后将每条修正边分别转移至光掩模版上，形成掩模电路图形。因此转移布局电路图形至光掩模版上花费时间长。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，节省将布局电路图形转移至光掩;^莫版上的时间。为解决上述问题，本专利技术提供一种光学近距修正的方法，包括下列步骤将布局电路图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学近距修正的方法，其特征在于，包括下列步骤：　将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸８０％～１２０％的第一分割边、第二分割边……第Ｎ分割边；　分别对第一分割边、第二分割边……第Ｎ分割边进行修正，获得对应的修正边，并计算修正边的边缘设置误差；　将第一分割边、第二分割边……第Ｎ分割边的修正边的边缘设置误差进行比较；　如果所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差；　重复上述步骤，至修正满足预定次数，结束修正。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨青，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]