半导体器件制造技术

根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构；布置在多个发光结构周围的第一电极；布置在多个发光结构的上表面处的第二电极、电连接到第一电极的第一结合焊盘以及电连接到第二电极的第二结合焊盘。多个发光结构可以包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层、布置在第一DBR层上的第一有源层、以及布置在第一有源层上的第二导电类型的第二DBR层；以及第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电类型的第三DBR层、布置在第三DBR层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型的第四DBR层。第一电极可以电连接到第一DBR层和第三DBR层，并且布置在第一发光结构和第二发光结构之间。第二电极可以电连接到第二DBR层和第四DBR层，并且布置在第二DBR层的上表面和第四DBR层的上表面上。

semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件
实施例涉及一种半导体器件、制造半导体器件的方法、半导体器件封装和包括半导体器件封装的物体检测装置。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，因此该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来生成光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保和易于控制器件材料等的优点，使得光接收器件能够方便地用于功率控制、超高频电路或通信模块。因此，半导体器件已经应用并且扩展到光通信工具的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。另外，半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制设备或通信模块。例如，发光器件可以被设置为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现各种波长。同时，随着半导体器件的应用领域变得多样化，半导体器件需要具有高输出和高电压驱动。由于半导体器件的高输出和高电压驱动，半导体器件中产生的热量使温度升高。然而，当半导体器件的散热不充分时，可能降低光输出并且随着温度升高可能降低功率转换效率(PCE)。因此，需要一种有效地散发半导体器件中产生的热量并增加功率转换效率的方法。
技术实现思路
技术问题实施例能够提供一种具有优异散热特性的半导体器件、制造半导体器件的方法、半导体器件封装以及物体检测装置。实施例能够提供一种能够提高光提取效率并且提供具有高输出的光的半导体器件、制造半导体器件的方法、半导体器件封装以及物体检测装置。实施例能够提供一种能够增加功率转换效率的半导体器件、制造半导体器件的方法、半导体器件封装以及物体检测装置。技术方案根据实施例的半导体器件可以包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层、布置在第一DBR层上的第一有源层、以及布置在第一有源层上的第二导电类型的第二DBR层；第二发光结构，该第二发光结构被布置成与第一发光结构间隔开，并且包括第一导电类型的第三DBR层、布置在第三DBR层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型的第四DBR层；第一电极，该第一电极被电连接第一DBR层和第三DBR层，并且被布置在第一发光结构和第二发光结构之间；第一结合焊盘，该第一结合焊盘被布置成与第一发光结构和第二发光结构间隔开，并且被电连接到第一电极；以及第二结合焊盘，该第二结合焊盘被布置成与第一结合焊盘间隔开，被电连接到第二DBR层和第四DBR层，并且被布置在第二DBR层的上表面和第四DBR层的上表面上。根据实施例的半导体器件还可以包括物理地连接第一DBR层和第三DBR层的第一导电类型DBR层，其中第一电极可以布置为与第一导电类型DBR层的上表面接触。根据实施例，第一电极可以布置在第一发光结构和第二发光结构周围，并且可以包括暴露第一发光结构和第二发光结构的开口。根据实施例的半导体器件可以包括与第一发光结构和第二发光结构间隔开布置的虚设发光结构(dummylightemittingstructure)，并且包括第一导电类型DBR层和第二导电类型DBR层以及焊盘电极，该焊盘电极电连接第一电极，并布置在虚设发光结构上，其中第一结合焊盘可以布置在焊盘电极上。根据实施例，其中焊盘电极可以电连接到虚设发光结构的第一导电类型DBR层和第二导电类型DBR层。根据实施例，其中虚设发光结构可以布置在第二结合焊盘的至少一个侧表面上，并且可以布置为与第二结合焊盘的侧表面间隔开并沿着第二结合焊盘的侧表面布置。根据实施例，其中第二结合焊盘的下表面和第二DBR层的上表面可以彼此直接接触，并且第二结合焊盘的下表面和第四DBR层的上表面可以彼此直接接触。根据实施例的半导体器件可以包括绝缘层，其围绕第一发光结构的侧表面和第二发光结构的侧表面，暴露第一发光结构的上表面和第二发光结构的上表面，并且被布置在第一发光结构和第二发光结构之间的区域中的第一电极上。根据实施例，其中绝缘层可以布置在第一电极的上表面和第二结合焊盘的下表面之间，布置在第一发光结构和第二发光结构的外围。根据实施例，绝缘层可以是DBR层。根据实施例的半导体器件可以包括第一导电类型DBR层，其从第一发光结构的第一DBR层延伸并且从第二发光结构的第三DBR层延伸；焊盘电极，该布置在第一导电类型DBR层上并电连接到第一电极；以及其中第一结合焊盘可以布置在焊盘电极上。根据实施例的半导体器件可以包括第二电极，该第二电极被布置在第二DBR层的上表面和第二结合焊盘之间，并且被布置在第四DBR层的上表面和第二结合焊盘之间。根据实施例的半导体器件还可以包括布置在第一发光结构和第二发光结构下面的衬底，并且其中衬底可以是本征半导体衬底。根据实施例，其中第一DBR层的反射率可以小于第二DBR层的反射率，并且其中第三DBR层的反射率可以小于第四DBR层的反射率。根据实施例的半导体器件封装可以包括子基台(submount)和布置在子基台上的半导体器件：其中半导体器件可以包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层；第一有源层，该第一有源层被布置在第一DBR层上；以及第二导电类型的第二DBR层，该第二导电类型的第二DBR层被布置在第一有源层上；第二发光结构，该第二发光结构与第一发光结构间隔开布置，并且包括第一导电类型的第三DBR层、布置在第三DBR层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型的第四DBR层；第一电极，该第一电极电连接第一DBR层和第三DBR层，并布置在第一发光结构和第二发光结构之间；第一结合焊盘，该第一结合焊盘与第一发光结构和第二发光结构间隔开布置，并且被电连接到第一电极；以及第二结合焊盘，该第二结合焊盘与第一结合焊盘间隔开布置，电连接第二DBR层和第四DBR层，并布置在第二DBR层的上表面和第四DBR层的上表面上，其中半导体器件可以包括其上布置有第一结合焊盘和第二结合焊盘的第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一结合焊盘和第二结合焊盘可以电连接到子基台，并且在半导体器件中产生的光可以通过第二表面发射到外部。根据实施例的物体检测装置可以包括半导体器件封装和接收从半导体器件封装发射的光的反射光的光接收单元；其中半导体器件封装可以包括子基台和布置在子基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层、在所述第一DBR层上布置的第一有源层、以及在所述第一有源层上布置的第二导电类型的第二DBR层；第二发光结构，所述第二发光结构被布置成与所述第一发光结构间隔开并且包括第一导电类型的第三DBR层、在所述第三DBR层上布置的第二有源层、以及在所述第二有源层上布置的第二导电类型的第四DBR层；第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一DBR层和所述第三DBR层，并且被布置在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间；第二电极，所述第二电极被电连接到所述第二DBR层和所述第四DBR层，并且被布置在所述第二DBR层的上表面和所述第四DBR层的上表面上；第一结合焊盘，所述第一结合焊盘被布置在所述第二发光结构上并且电连接到所述第一电极；以及第二结合焊盘，所述第二结合焊盘被布置在所述第一发光结构上并且电连接到所述第二电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.25 KR 10-2017-0012006;2017.03.30 KR 10-2011.一种半导体器件，包括：第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层、在所述第一DBR层上布置的第一有源层、以及在所述第一有源层上布置的第二导电类型的第二DBR层；第二发光结构，所述第二发光结构被布置成与所述第一发光结构间隔开并且包括第一导电类型的第三DBR层、在所述第三DBR层上布置的第二有源层、以及在所述第二有源层上布置的第二导电类型的第四DBR层；第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一DBR层和所述第三DBR层，并且被布置在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间；第二电极，所述第二电极被电连接到所述第二DBR层和所述第四DBR层，并且被布置在所述第二DBR层的上表面和所述第四DBR层的上表面上；第一结合焊盘，所述第一结合焊盘被布置在所述第二发光结构上并且电连接到所述第一电极；以及第二结合焊盘，所述第二结合焊盘被布置在所述第一发光结构上并且电连接到所述第二电极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极包括：上电极，所述上电极被布置成与所述第二DBR层的上表面和所述第四DBR层的上表面接触；以及连接电极，所述连接电极被布置在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间的区域中的所述第一电极上。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建和，朴修益，李容京，金伯俊，金明燮，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR