The embodiment of this application provides a diode chip and a preparation method thereof, in which the diode chip includes a substrate, a metal bonding layer, a reflective layer, an epitaxy layer, a N-type electrode layer on the substrate and a P-type electrode layer on the back of the substrate; the epitaxy layer comprises a P-type structure layer, a light emitting layer, a N-type structure layer and a N-type ohmic contact layer located on the reflective layer in turn. The reflective layer forms a conductive layer and a solid pattern layer with regular arrangement at the contact of the P-type structure layer, and the side wall of the solid pattern layer forms a set angle with the substrate; the N-type structure layer includes a N-type coarsening layer, and the N-type coarsening layer has a coarsening morphology in the area exposed to the N-type electrode layer. The application embodiment improves the light output efficiency of the diode chip.
【技术实现步骤摘要】
一种二极管芯片及其制备方法
本申请涉及半导体
,具体而言,涉及一种二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差,以光的形式释放能量,这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理,因此发光二极管被称为冷光源。此外,发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点,因此现今的照明市场对发光二极管给予厚望,将其视为新一代照明工具。目前垂直薄膜结构LED芯片主要包括N型电极层、N型层、发光层、P型层、反射层和P型电极层,发光层产生的光通过反射层由N型层反射出,现有的反射层大多数为平板型ODR反射镜,通常由于这种平板型ODR反射镜的有效反射面积与发光区面积基本相等,导致LED芯片的出光效率较低。
技术实现思路
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种二极管芯片及其制备方法,通过增大ODR反射镜的有效反射面积,以提高二极管芯片的出光效率。第一方面,本申请实施例提供了一种二极管芯片,包括:基板,位于基板上的金属键合层、反射层、外延层、N型电极层以及位于基板背面的P型电极层;所述外延层包括依次位于所述反射层上的P型结构层、发光层、N型结构层和N型欧姆接触层;所述反射层与所述P型结构层的接触处形成导电层和具有规则排布的实心图案层,所述实心图案层的侧壁面与所述基板成设定角度;所述N型结构层包括N型粗化层,所述N型粗化层暴露于所述N型电极层外的区域具有粗化状形貌。在一种实施方式中,所述实心图案层包括:圆锥型图案层、圆台型图案层、棱锥型图案层或棱台型图案层。在一种实施方式中,所述反射层包括位于所述金属键合层上的反射 ...
【技术保护点】
1.一种二极管芯片,其特征在于,包括:基板,位于基板上的金属键合层、反射层、外延层、N型电极层以及位于基板背面的P型电极层;所述外延层包括依次位于所述反射层上的P型结构层、发光层、N型结构层和N型欧姆接触层;所述反射层与所述P型结构层的接触处形成导电层和具有规则排布的实心图案层,所述实心图案层的侧壁面与所述基板成设定角度;所述N型结构层包括N型粗化层,所述N型粗化层暴露于所述N型电极层外的区域具有粗化状形貌。
【技术特征摘要】
1.一种二极管芯片,其特征在于,包括:基板,位于基板上的金属键合层、反射层、外延层、N型电极层以及位于基板背面的P型电极层;所述外延层包括依次位于所述反射层上的P型结构层、发光层、N型结构层和N型欧姆接触层;所述反射层与所述P型结构层的接触处形成导电层和具有规则排布的实心图案层,所述实心图案层的侧壁面与所述基板成设定角度;所述N型结构层包括N型粗化层,所述N型粗化层暴露于所述N型电极层外的区域具有粗化状形貌。2.根据权利要求1所述的二极管芯片,其特征在于,所述实心图案层包括:圆锥型图案层、圆台型图案层、棱锥型图案层或棱台型图案层。3.根据权利要求1所述的二极管芯片,其特征在于,所述反射层包括位于所述金属键合层上的反射金属层和位于所述反射金属层上的反射介质膜层;所述P型结构层包括位于所述反射介质膜层上的P型窗口层;所述P型窗口层上设置有由多个按设定规则排布的第一凹坑组成的第一凹坑层,每个第一凹坑的侧壁面与所述基板成设定角度;所述反射介质膜层设置有与所述第一凹坑相匹配的第二凹坑,且在相邻两个第二凹坑之间的凸起处的平坦位置设置有填充有金属的介质膜通孔,所述相邻两个所述第二凹坑之间的凸起处朝向所述基板;所述反射金属层与所述金属键合层粘接;所述反射金属层上设置有由填充所述第二凹坑的凸起结构形成的凸起结构层,将所述反射金属层与所述反射介质膜层粘接,所述反射金属层与介质膜通孔内填充的金属一端接触,所述介质膜通孔内填充的金属另一端与所述P型窗口层接触,形成所述导电层;所述第一凹坑层、所述反射介质膜层和所述凸起结构层形成所述实心图案层。4.根据权利要求3所述的二极管芯片,其特征在于,所述介质膜通孔与所述第二凹坑的位置关系包括以下几种:所述介质膜通孔位于最外侧相邻两个第二凹坑之间的平坦位置;或者,所述介质膜通孔位于各相邻两个第二凹坑之间的平坦位置。5.根据权利要求3所述的二极管芯片,其特征在于,所述P型窗口层包括位于反射介质膜层上的P型欧姆接触层和P型电流扩展层。6.一种二极管芯片的制备方法,其特征在于,包括:在临时衬底上形成外延层,所述外延层包括依次形成于所述临时衬底上的N型保护层、N型欧姆接触层、N型结构层、发光层和P型结构层;在所述P型结构层上形成反射层,使得所述反射层与所述P型结构层的接触处形成导电层和具有规则排布的实心图案层,所述实心图案层的侧壁面与所述临时衬底成设定角度;在所述反射层上形成第一金属键合层,并在基板上形成第二金属键合层,将所述第一金属键合层与所述基板上的第二金属键合层键合后形成位于所述基板上的金属键合层;去除所述临时衬底和所述N型保护层后,对所述N型欧姆接触层进行蚀刻,得到具有第一设定图案的N型欧姆接触层;在所述N型欧姆接触层上形成N型电极层,使得所述N型电极层暴露所述N型结构层的N型粗化层;对所述外延层进行蚀刻,形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐洲,邹微微,王洪占,彭钰仁,张国庆,蔡端俊,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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