GPP整流芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GPP整流芯片，包括有承载基台，其特点是：承载基台上设置有环形槽，环形槽内设置有填充组件，环形槽将承载基台正面分隔为外台面与内台面，外台面位于环形槽圆心内，内台面位于环形槽外围，承载基台的正面与背面设置有保护组件，承载基台的外部边缘设置有切割保护区域。由此，采用正方形基台便于将整个晶片进行切割，避免了现有的正方形和正六边形的GPP整流芯片由于边角处电流集中而发生芯片边角处被提前击穿而失效的情况，提高了GPP整流芯片的抗反向电流的能力。依托于延伸凸起结构，能够增加钝化层的表面积，增加对PN结的钝化、保护作用。

GPP rectifier chip

The utility model discloses a GPP rectifier chip comprises a bearing base, which is characterized in that the bearing has an annular groove arranged on the base, an annular groove is arranged in the annular groove of the bearing component filling, base station is divided into external and internal positive mesa mesa, mesa is located in the outer ring groove in the center, located in the inner table the peripheral annular groove, bearing the front and back of the base station is provided with a protection component, bearing the outer edge of base station is provided with a cutting protection area. Thus, the base station for the entire chip square cut, to avoid the GPP rectifier chip existing square and hexagonal corner due to current concentration and chip corner early breakdown and failure, improve the GPP rectifier chip anti reverse current capacity. Based on the extended convex structure, the surface area of the passivation layer can be increased, and the passivation and the protection function of the PN junction can be increased.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种整流芯片，尤其涉及一种GPP整流芯片。
技术介绍
在半导体芯片制作的过程中，芯片的漏电流是不可避免的，目前所销售的GPP芯片多为方形，部分为六角形，芯片的漏电流会随着芯片的温度提高而增加放大，随着漏电流的增加放大会导致芯片的损坏失效或是严重的炸管，抗反向浪涌电流能力差，可靠性能差。另外，现有GPP芯片的晶片，普遍采用从凹槽底切割划片的分裂方案，存在以下两方面的问题：一是切割刀片在凹槽内切割时易造成硅的隐裂，这种隐裂在材料中逐渐扩展；二是由于切割点距离PN结很近，因此容易造成结的损伤，从而容易导致芯片钝化层隐裂而导致器件寿命降低或最终失效，所以减小半导体芯片的漏电流对成品芯片的性能和可靠性有着很重要的作用。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种GPP整流芯片。为实现本技术的目的，GPP整流芯片，包括有承载基台，其中：所述承载基台上设置有环形槽，所述环形槽内设置有填充组件，所述环形槽将承载基台正面分隔为外台面与内台面，所述外台面位于环形槽圆心内，所述内台面位于环形槽外围，所述承载基台的正面与背面设置有保护组件，所述承载基台的外部边缘设置有切割保护区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GPP整流芯片，包括有承载基台，其特征在于：所述承载基台上设置有环形槽，所述环形槽内设置有填充组件，所述环形槽将承载基台正面分隔为外台面与内台面，所述外台面位于环形槽圆心内，所述内台面位于环形槽外围，所述承载基台的正面与背面设置有保护组件，所述承载基台的外部边缘设置有切割保护区域，位于所述环形槽边沿的填充组件设置有延伸凸起结构，并且所述填充组件从下至上依次为，含氧多晶硅层、氮化硅层、钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种GPP整流芯片，包括有承载基台，其特征在于：所述承载基台上设置有环形槽，所述环形槽内设置有填充组件，所述环形槽将承载基台正面分隔为外台面与内台面，所述外台面位于环形槽圆心内，所述内台面位于环形槽外围，所述承载基台的正面与背面设置有保护组件，所述承载基台的外部边缘设置有切割保护区域，位于所述环形槽边沿的填充组件设置有延伸凸起结构，并且所述填充组件从下至上依次为，含氧多晶硅层、氮化硅层、钝化层。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘黎林，江亚明，
申请(专利权)人：昆山达程矽晶有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32