【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体领域，具体涉及一种基于反挖槽工艺的双台阶整流芯片。
技术介绍
台面型二极管是二极管的一种，因为在制作过程中，只保留PN结及其必要的部分，腐蚀掉不必要的部分，其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。台面型二级管主要用于整流，目前以来，国内整流芯片的生产多采用“玻璃钝化保护”工艺，所生产的产品具有不含有害有毒物质，生产中无重金属污染，产品电热性能优良，制造成本低、易于批量化生产等优点。整流芯片由于其结构与工艺的特殊性，有其结构上的优点与不足，目前的整流芯片中是以N型衬底位于P型扩散层的下方，从P型扩散层上用化学腐蚀法向单晶硅片内部开槽，槽宽约300微米，槽深约140微米，槽中填入玻璃料粉，在高温条件下与槽周面烧融在一起，固态玻璃对断裂的PN结产生钝化与保护的作用。这种产品所加反向电压的极性是上P面加负电压、下N面加正电压的，产品在加反向电压时，产品边缘呈现负角造型形状。这种结构造型的优点是，对开槽深度要求不严，但凡深度能超过PN结的界面后，产品都能承受反向电压，目前PN结深度从P面起算，多在100微米左右，开槽深度很容易达到；随着反向电压的升高...
【技术保护点】
一种基于反挖槽工艺的双台阶整流芯片，其特征在于：包括硅基片，其中，该硅基片包括N型扩散层和P型扩散层，且N型扩散层位于P型扩散层的上方，N型扩散层和P型扩散层之间形成PN结，所述硅基片的上表面上开设有挖槽，挖槽将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台，以及位于芯片边缘的两侧台阶，其中台阶的上表面低于凸台的上表面，PN结暴露在挖槽的侧壁上，挖槽的底部和侧壁上均覆盖有玻璃钝化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志鑫，迟界竹，李新跃，周国栋，
申请(专利权)人：刘志鑫，
类型：新型
国别省市：山东;37
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