【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种控制大电流、高电压的半导体装置中使用的自带散热器的功率模块用基板及其制造方法。本申请主张基于2013年10月10日申请的日本专利申请2013-212871号、2014年1月8日申请的日本专利申请2014-1719号及日本专利申请2014-1720号优先权,并将其内容援用于此。
技术介绍
作为功率模块,使用一种在以氮化铝为代表的陶瓷基板上接合铝板,并在另一侧通过铝板接合铝类散热器而成的自带散热器的功率模块用基板。以往,自带散热器的功率模块用基板是如下制造的。首先,通过适于接合陶瓷基板与铝板的钎料,在陶瓷基板的第一面及第二面层叠铝板,一边以规定压力加压,一边加热至钎料熔融的温度以上的温度并进行冷却。由此,接合陶瓷基板与两个面的铝板来制造功率模块用基板。接着,在功率模块用基板的第二面侧的铝板,通过适于接合散热器与该铝板的钎料来层叠散热器,一边以规定压力加压,一边加热至钎料熔融的温度以上并进行冷却。由此,接合铝板与散热器来制造自带散热器的功率模块用基板。接合于如此构成的自带散热器的功率模块用基板的第一面侧上的铝板形成为电路层,在该电路层上通过焊锡材搭载有功率元件等电子零件。制造这种自带散热器的功率模块用基板时,在接合陶瓷基板与铝板这种热膨胀系数相异的部件的情况下,由于接合后进行冷却时的热收缩而产生翘曲。作为解决该翘曲的措施,专利文献1中记载有对晶片或端子、散热板等进行焊接等时,控 ...
【技术保护点】
一种自带散热器的功率模块用基板,其特征在于,具备:功率模块用基板,在陶瓷基板的一个面配设有电路层,在所述陶瓷基板的另一个面配设有由纯度99%以上的铝构成的金属层;及散热器,接合于所述功率模块用基板的所述金属层,并由屈服应力比该金属层大的铝合金构成,将所述散热器的最大长度设为L、所述散热器的翘曲量设为Z,相对于所述金属层使所述散热器的接合面成为凹状的变形所造成的所述翘曲量Z设为正值、使所述接合面成为凸状的变形所造成的所述翘曲量Z设为负值,并在25℃下测定的所述最大长度L与所述翘曲量Z的比率Z/L在‑0.005以上且0.005以下的范围内,加热至280℃时及在该加热后冷却至25℃时,所述比率Z/L仍在‑0.005以上且0.005以下的范围内。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】2013.10.10 JP 2013-212871;2014.01.08 JP 2014-001711.一种自带散热器的功率模块用基板,其特征在于,具备:
功率模块用基板,在陶瓷基板的一个面配设有电路层,在所述陶瓷基板的另一个
面配设有由纯度99%以上的铝构成的金属层;及
散热器,接合于所述功率模块用基板的所述金属层,并由屈服应力比该金属层大
的铝合金构成,
将所述散热器的最大长度设为L、所述散热器的翘曲量设为Z,相对于所述金属
层使所述散热器的接合面成为凹状的变形所造成的所述翘曲量Z设为正值、使所述接
合面成为凸状的变形所造成的所述翘曲量Z设为负值,并在25℃下测定的所述最大长
度L与所述翘曲量Z的比率Z/L在-0.005以上且0.005以下的范围内,加热至280℃时
及在该加热后冷却至25℃时,所述比率Z/L仍在-0.005以上且0.005以下的范围内。
2.根据权利要求1所述的自带散热器的功率模块用基板,其特征在于,
当使温度从25℃变化至280℃的情况下,所述比率Z/L的最大值与最小值之差Δ
Z/L为0.005以下。
3.一种自带散热器的功率模块用基板的制造方法,其特征在于,其为制造权利要
求1所述的自带散热器的功率模块用基板的方法,
将所述功率模块用基板与所述散热器进行层叠,在产生使所述散热器的所述接合
面成为凹状翘曲的变形的状态下进行加热,并在产生所述变形的状态下进行冷却,由
此接合所述述功率模块用基板的所述金属层与所述散热器。
4.一种自带散热器的功率模块用基板,其特征在于,具备:
功率模块用基板,在陶瓷基板的一个面配设有电路层,在所述陶瓷基板的另一个
面配设有由纯度99%以上的铝构成的金属层;及
散热器,接合于所述功率模块用基板的所述金属层,并由线膨胀系数15×10-6/K以
上且22×10-6/K以下的铜或铜合金构成,
将所述散热器的最大长度设为L、所述散热器的翘曲量设为Z,相对于所述金属
层使所述散热器的接合面成为凹状的变形所造成的所述翘曲量Z设为正值、使所述接
合面成为凸状的变形所造成的所述翘曲量Z设为负值,
并在25℃下测定的所述最大长度L与所述翘曲量Z的比率Z/L为-0.015以上且
0.01以下,
技术研发人员:大开智哉,大井宗太郎,
申请(专利权)人:三菱综合材料株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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