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本实用新型属于半导体领域，具体涉及一种基于反挖槽工艺的双台阶整流芯片，包括硅基片，其中，该硅基片包括N型扩散层和P型扩散层，且N型扩散层位于P型扩散层的上方，N型扩散层和P型扩散层之间形成PN结，所述硅基片的上表面上开设有挖槽，挖槽将硅基片...
该专利属于刘志鑫所有，仅供学习研究参考，未经过刘志鑫授权不得商用。

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