一种垂直LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种垂直LED芯片及其制备方法，垂直LED芯片包括：导电衬底；主体结构，位于导电衬底的一侧，主体结构包括依次设置在导电衬底上的金属部和外延部；p电极，p电极和外延部位于金属部背离导电衬底的一侧；n电极，位于导电衬底的另一侧；反射结构，反射结构与主体结构位于导电衬底的同侧，反射结构间隙的设置在主体结构的外侧，且反射结构至少部分包围主体结构，反射结构用于在垂直LED芯片工作时将从主体结构侧壁射出的光线反射回去，使得垂直LED芯片工作时，从垂直LED芯片侧壁射出的部分光线经过围栏式反射结构的反射后，在不断折射后大部分的光线从垂直LED芯片的出光面射出，以提高出光率，进而提高垂直LED芯片的亮度。

A Vertical LED Chip and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种垂直LED芯片及其制备方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种垂直LED芯片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是一种半导体固态发光器件，其利用半导体P-N结作为发光材料，可以直接将电能转换为光能。在各种半导体材料中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有散热好，能够承载大电流、发光强度高、耗电量小、寿命长等优点，使得发光二极管特别是高亮度的蓝光发光二极管和白光二极管在通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明等领域中被广泛应用。而作为半导体器件的研究热点的GaN基垂直结构LED的亮度依然不够理想，因此，提供一种有利于提供亮度的LED垂直芯片结构是非常必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种垂直LED芯片及其制备方法，以提高垂直LED芯片的亮度。为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种垂直LED芯片，包括：导电衬底；主体结构，位于所述导电衬底的一侧，所述主体结构包括依次设置在所述导电衬底上的金属部和外延部；p电极，所述p电极和外延部位于所述金属部背离导电衬底的一侧；n电极，位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直LED芯片，其特征在于，包括：导电衬底；主体结构，位于所述导电衬底的一侧，所述主体结构包括依次设置在所述导电衬底上的金属部和外延部；p电极，所述p电极和外延部位于所述金属部背离导电衬底的一侧；n电极，位于所述导电衬底的另一侧；以及反射结构，所述反射结构与主体结构位于所述导电衬底的同侧，所述反射结构间隙的设置在所述主体结构的外侧，且所述反射结构至少部分包围所述主体结构，所述反射结构用于在垂直LED芯片工作时将从主体结构侧壁射出的光线反射回去。

【技术特征摘要】
1.一种垂直LED芯片，其特征在于，包括：导电衬底；主体结构，位于所述导电衬底的一侧，所述主体结构包括依次设置在所述导电衬底上的金属部和外延部；p电极，所述p电极和外延部位于所述金属部背离导电衬底的一侧；n电极，位于所述导电衬底的另一侧；以及反射结构，所述反射结构与主体结构位于所述导电衬底的同侧，所述反射结构间隙的设置在所述主体结构的外侧，且所述反射结构至少部分包围所述主体结构，所述反射结构用于在垂直LED芯片工作时将从主体结构侧壁射出的光线反射回去。2.如权利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述反射结构整体呈环状且包围所述主体结构。3.如权利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述反射结构包括多个子结构，所述多个子结构呈环状分布，且包围所述主体结构。4.如权利要求1-3中任一项所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述反射结构与所述主体结构之间的最小距离大于5μm，且所述反射结构的高度不高于所述主体结构的高度。5.如权利要求1-3中任一项所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述反射结构包括反射基底和表面反射层，所述表面反射层至少部分位于所述反射基底靠近所述主体结构一侧的侧壁上。6.如权利要求4所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述表面反射层的反射率大于或等于75％。7.如权利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述金属部包括依次叠加在所述导电衬底上的金属层和透明导电薄层；所述外延部包括依次叠加在所述金属部上的p型GaN层、多量子阱层、n型GaN层，所述外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱酉良，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31