The utility model discloses a flip chip of a light emitting diode. The flip chip comprises at least one reflecting layer, at least one N-type electrode, at least one P-type electrode, at least one distributed Bragg reflecting unit and an epitaxy unit. The epitaxy unit comprises a substrate, a N-type layer, an active layer and a P-type layer, and the substrate, the N-type layer and the active layer. The N-type layer is extended from the outer side of the P-type layer through the active layer to the N-type layer. The reflecting layer is formed in the P-type layer, and the distributed Bragg reflecting unit is integrated into the N-type layer, the active layer and the P-type layer. The N-type electrode is electrically connected to the N-type layer, and the P-type electrode is electrically connected to the P-type layer.
【技术实现步骤摘要】
发光二极管的倒装芯片
本技术涉及一LED芯片，特别涉及一发光二极管的倒装芯片。
技术介绍
由于发光二极管Light-EmittingDiode，LED)具有低耗能、小尺寸以及高可靠性等优点，近年来，发光二极管在日常照明、车辆照明、指示以及显示等领域都得到了大规模的应用。发光二极管按照芯片结构的制作工艺的不同可以被区分为倒装芯片结构的发光二极管和正装芯片结构的发光二极管，其中因为倒装芯片结构的发光二极管具有无电极挡光、热阻低以及可承受大电流冲击的特点，使得倒装芯片结构的发光二极管成为了大功率LED的一个重要的研究方向。与正装芯片结构的发光二极管的发光面不同的是，倒装芯片结构的发光二极管的出光面在衬底(例如蓝宝石面)，这就决定了在倒装芯片结构的发光二极管的电极侧的发射面的制作成为了影响倒装芯片结构的发光二极管的发光品质的一个重要的步骤。因为金属银是一个高反射金属材料，目前市面上比较流行的倒装芯片结构的发光二极管中使用的是利用高反射金属银作为银镜来实现对光的出光反射，然而，众所周知的是，金属银是一种活泼金属，在一定湿度的环境中金属银在倒装芯片结构的发光二极管的电极侧形成...
【技术保护点】
1.一发光二极管的倒装芯片，其特征在于，包括：至少一反射层；至少一N型电极；至少一P型电极；至少一分布式布拉格反射单元；以及一外延单元，其中所述外延单元包括一衬底、一N型层、一有源层以及一P型层，所述衬底、所述N型层、所述有源层和所述P型层被依次层叠地设置，并且所述外延单元具有至少一N型层裸露部，所述N型层裸露部自所述P型层的外侧面经由所述有源层延伸至所述N型层，其中所述反射层形成于所述P型层，所述分布式布拉格反射单元一体地结合于所述N型层、所述有源层、所述P型层以及所述反射层，其中所述N型电极被电连接于所述N型层，所述P型电极被电连接于所述P型层。
【技术特征摘要】
1.一发光二极管的倒装芯片，其特征在于，包括：至少一反射层；至少一N型电极；至少一P型电极；至少一分布式布拉格反射单元；以及一外延单元，其中所述外延单元包括一衬底、一N型层、一有源层以及一P型层，所述衬底、所述N型层、所述有源层和所述P型层被依次层叠地设置，并且所述外延单元具有至少一N型层裸露部，所述N型层裸露部自所述P型层的外侧面经由所述有源层延伸至所述N型层，其中所述反射层形成于所述P型层，所述分布式布拉格反射单元一体地结合于所述N型层、所述有源层、所述P型层以及所述反射层，其中所述N型电极被电连接于所述N型层，所述P型电极被电连接于所述P型层。2.根据权利要求1所述的倒装芯片，进一步包括一防扩散层，其中所述防扩散层形成于所述P型层，并且所述防扩散层包覆所述反射层的至少一部分区域，其中所述分布式布拉格反射单元一体地结合于所述防扩散层。3.根据权利要求2所述的倒装芯片，其中所述反射层是银反射层，所述防扩散层完全包覆所述反射层。4.根据权利要求3所述的倒装芯片，其中所述防扩散层被电连接于所述P型层，所述P型电极以所述P型电极被电连接于所述防扩散层的方式被电连接于所述P型层。5.根据权利要求4所述的倒装芯片，进一步包括至少一N电流扩展层，其中所述N电流扩展层以所述N电流扩展层被保持在所述外延单元的所述N型层裸露部的方式被电连接于所述N型层，其中所述N型电极以所述N型电极被电连接于所述N电流扩展层的方式被电连接于所述N型层，其中所述分布式布拉格反射单元一体地结合于所述N电流扩展层。6.根据权利要求5所述的倒装芯片，其中所述分布式布拉格反射单元具有至少一N型层通道和至少一P型层通道，其中所述N电流扩展层对应于所述N型层通道，所述N型电极形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述N型电极经由所述N型层通道延伸至所述N电流扩展层，其中所述防扩散层对应于所述P型层通道，所述P型电极形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述P型电极经由所述P型层通道延伸至所述防扩散层。7.根据权利要求5所述的倒装芯片，其中所述N电流扩展层自所述N型层向所述P型层方向延伸。8.根据权利要求1所述的倒装芯片，进一步包括至少一N电流扩展层和至少一P电流扩展层，其中所述分布式布拉格反射单元具有至少一N型层通道和至少一P型层通道，其中所述N型层对应于所述N型层通道，所述N电流扩展层形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述N电流扩展层经由所述N型层通道延伸至所述N型层，且所述N电流扩展层被电连接于所述N型层，所述N型电极以所述N型电极被电连接于所述N电流扩展层的方式被电连接于所述N型层，其中所述P型层对应于所述P型层通道，所述P电流扩展层形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述P电流扩展层经由所述P型层通道延伸至所述P型层，并且所述P电流扩展层被电连接于所述P型层，所述P型电极以所述P型电极被电连接于所述P电流扩展层的方式被电连接于所述P型层。9.根据权利要求2所述的倒装芯片，进一步包括至少一N电流扩展层和至少一P电流扩展层，其中所述分布式布拉格反射单元具有至少一N型层通道和至少一P型层通道，其中所述N型层对应于所述N型层通道，所述N电流扩展层形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述N电流扩展层经由所述N型层通道延伸至所述N型层，且所述N电流扩展层被电连接于所述N型层，所述N型电极以所述N型电极被电连接于所述N电流扩展层的方式被电连接于所述N型层，其中所述P型层对应于所述P型层通道，所述P电流扩展层形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述P电流扩展层经由所述P型层通道延伸至所述P型层，并且所述P电流扩展层被电连接于所述P型层，所述P型电极以所述P型电极被电连接于所述P电流扩展层的方式被电连接于所述P型层。10.根据权利要求3所述的倒装芯片，进一步包括至少一N电流扩展层和至少一P电流扩展层，其中所述分布式布拉格反射单元具有至少一N型层通道和至少一P型层通道，其中所述N型层对应于所述N型层通道，所述N电流扩展层形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述N电流扩展层经由所述N型层通道延伸至所述N型层，且所述N电流扩展层被电连接于所述N型层，所述N型电极以所述N型电极被电连接于所述N电流扩展层的方式被电连接于所述N型层，其中所述P型层对应于所述P型层通道，所述P电流扩展层形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述P电流扩展层经由所述P型层通道延伸至所述P型层，并且所述P电流扩展层被电连接于所述P型层，所述P型电极以所述P型电极被电连接于所述P电流扩展层的方式被电连接于所述P型层。11.根据权利要求4所述的倒装芯片，进一步包括至少一N电流扩展层和至少一P电流扩展层，其中所述分布式布拉格反射单元具有至少一N型层通道和至少一P型层通道，其中所述N型层对应于所述N型层通道，所述N电流扩展层形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述N电流扩展层经由所述N型层通道延伸至所述N型层，且所述N电流扩展层被电连接于所述N型层，所述N型电极以所述N型电极被电连接于所述N电流扩展层的方式被电连接于所述N型层，其中所述P型层对应于所述P型层通道，所述P电流扩展层形成于所述分布式布拉格反射单元，并且所述P电流扩展层经由所述P型层通道延伸至所述P型层，并且所述P电流扩展层被电连接于所述P型层，所述P型电极以所述P型电极被电连接于所述P电流扩展层的方式被电连接于所述P型层。12.根据权利要求9所述的倒装芯片，进一步包括至少一绝缘层，所述绝缘层具有至少一...
【专利技术属性】
技术研发人员：邬新根，刘英策，李俊贤，吴奇隆，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35
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