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本发明提供了一种垂直LED芯片及其制备方法，垂直LED芯片包括：导电衬底；主体结构，位于导电衬底的一侧，主体结构包括依次设置在导电衬底上的金属部和外延部；p电极，p电极和外延部位于金属部背离导电衬底的一侧；n电极，位于导电衬底的另一侧；反射...
该专利属于映瑞光电科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过映瑞光电科技（上海）有限公司授权不得商用。

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