The techniques in this paper include etching methods, which gradually etch the material layer, similar to the single layer etching of atomic layer etching (ALE), but do not necessarily include the self-limiting and single layer effect of ALE. Such a technique can be considered as quasi-atomic layer etching (Q ALE). The techniques in this paper are useful for exact etching applications such as soft mask opening. The technique in this paper can accurately transfer a given mask pattern to the underlying layer. By carefully controlling polymer deposition relative to polymer-assisted etching during its time cycle, very thin conformal polymer layers can be activated and used to precisely etch and transfer desired patterns.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】准原子层蚀刻方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年9月6日提交的题为“准原子层蚀刻方法(MethodofQuasiAtomicLayerEtching)”的美国临时专利申请第62/384,161号的权益,其通过引用整体并入本文。
技术介绍
本公开涉及半导体制造,包括蚀刻基底例如晶片。半导体行业中的集成电路(IC)的制造通常采用等离子体处理以产生和辅助从等离子体处理室内的基底除去材料以及将材料沉积至等离子体处理室内的基底所必需的表面化学。等离子体处理设备的实例包括:等离子体CVD(化学气相沉积)设备,其被配置成在基底上沉积薄膜;以及等离子体蚀刻设备,其被配置成从基底除去材料,其可以包括使用蚀刻掩模以限定除去材料的位置。通常,这样的等离子体处理系统通过使处理气体流入处理室以及将电子加热至足以支持电离碰撞的能量在真空条件下形成等离子体。此外,经加热的电子可以具有足以支持离解碰撞的能量并且,因此,选择在预定条件(例如,室压力、气体流量等)下的特定气体组以产生适合于在该室内进行的具体过程(例如,从基底除去材料的蚀刻过程或向基底添加材料的沉积过程)的大量带电物质和/或化学反应性物质。
技术实现思路
连续的节距缩放需要先进的电路设计以满足各种应用和产品要求。复杂的电路设计需要被精确地转移到器件和电路的最终产品中以正常运行。当用于图案转移时,常规的干式等离子体蚀刻在维持凹凸图案中的各种特征的CD方面存在挑战。在蚀刻期间维持CD是困难的,因为这样的蚀刻过程倾向于经受图案密度相关的蚀刻,其中反应性物质和带电物质的输送是变化的并且与微负载与纵横比相关。随着图案密度和节距缩放增加,对 ...
【技术保护点】
1.一种处理基底的方法,所述方法包括:接收具有工作表面的基底,所述工作表面具有形成在下面的层上使得部分所述下面的层未被覆盖的凹凸图案;执行共形膜沉积过程,所述共形膜沉积过程在所述基底上共形沉积聚合物膜,其中所述聚合物膜的厚度小于3纳米;执行活化蚀刻过程,所述活化蚀刻过程使用所述共形膜蚀刻所述下面的层,直到所述共形膜从所述下面的层的平行于所述工作表面的水平表面除去;以及使共形膜沉积和活化蚀刻循环进行的步骤,直到除去预定量的未被所述凹凸图案覆盖的所述下面的层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.06 US 62/384,1611.一种处理基底的方法,所述方法包括:接收具有工作表面的基底,所述工作表面具有形成在下面的层上使得部分所述下面的层未被覆盖的凹凸图案;执行共形膜沉积过程,所述共形膜沉积过程在所述基底上共形沉积聚合物膜,其中所述聚合物膜的厚度小于3纳米;执行活化蚀刻过程,所述活化蚀刻过程使用所述共形膜蚀刻所述下面的层,直到所述共形膜从所述下面的层的平行于所述工作表面的水平表面除去;以及使共形膜沉积和活化蚀刻循环进行的步骤,直到除去预定量的未被所述凹凸图案覆盖的所述下面的层。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述凹凸图案包含光致抗蚀剂材料。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述光致抗蚀剂材料为EUV光致抗蚀剂。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述下面的层为软掩模材料。5.根据权利要求1所述的方法,其中执行所述共形膜沉积包括将等离子体维持在第一离子能量,以及其中执行所述活化蚀刻过程包括将等离子体维持在第二离子能量,其中所述第二离子能量大于所述第一离子能量。6.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一离子能量比足以活化蚀刻特定沉积材料以及离子结合的阈值能量低。7.根据权利要求1所述的方法,其中执行所述共形膜沉积包括使用CxFy处理气体,其中执行所述活化蚀刻过程包括停止CxFy处理气体流。8.根据权利要求1所述的方法,其中执行所述共形膜沉积过程包括使用各向同性沉积方法,其中执行所述活化蚀刻过程包括使用各向异性蚀刻方法。9.根据权利要求1所述的方法,其中执行所述活化蚀刻过程包...
【专利技术属性】
技术研发人员:红云·科特尔,安德鲁·W·梅斯,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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