化合物半导体晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供一种不会发生加工变形且可以进行薄板化的化合物半导体晶片的加工方法。该方法为将由半导体元素即第1原子以及与该第1原子不同的元素即第2原子离子结合的化合物半导体构成的晶片11进行加工的化合物半导体晶片的加工方法，该方法包括：通过由与第1原子反应的蚀刻气体产生的高密度等离子体，蚀刻晶片11的表面；使用机械研磨除去该蚀刻后的晶片11的表面的含有第2原子的残余粒子层12。

Processing Method of Compound Semiconductor Wafers

【技术实现步骤摘要】
化合物半导体晶片的加工方法
本专利技术涉及由SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)等的化合物半导体构成的化合物半导体晶片的加工方法。
技术介绍
作为功率半导体器件的材料，使用比Si(硅)容易导电、难以产生电损失的SiC或GaN这些化合物半导体，但这些化合物半导体与Si相比具有晶片制造困难的问题。特别是SiC晶片非常硬，通常用机械研磨加工成350μm左右后，再使用CMP(化学机械研磨)进行表面的镜面加工(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2014-116553号公报(段落0002～0003)
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是近年来，期望功率半导体的薄板化，若使用通常的机械研磨将晶片进一步研磨变薄，由于随着厚度变薄晶片会慢慢反向弯曲，因此在晶片的中心部与端部厚度会发生变化。这样晶片的厚度会因场合不同而发生变化，阻力也会变化，成为因场合不同而特性不同的晶片。另外，如上所述通常机械研磨后进行CMP时，化合物半导体的表面为含有通常机械研磨引起的加工层的状态。即，使用通常机械研磨会产生20～30μm的加工变形，但该加工变形不能通过CMP除去，会一直在CMP后的化合物半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物半导体晶片的加工方法，其为将由半导体元素即第1原子以及与该第1原子不同的元素即第2原子离子结合的化合物半导体构成的晶片进行加工的化合物半导体晶片的加工方法，所述加工方法包括：通过由与所述第1原子反应的蚀刻气体产生的高密度等离子体，蚀刻所述晶片的表面；使用机械研磨除去该蚀刻后的晶片表面的含有所述第2原子的残余粒子层。

【技术特征摘要】
2017.11.07 JP 2017-2148611.一种化合物半导体晶片的加工方法，其为将由半导体元素即第1原子以及与该第1原子不同的元素即第2原子离子结合的化合物半导体构成的晶片进行加工的化合物半导体晶片的加...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田浩，
申请(专利权)人：株式会社合斯科，
类型：发明
国别省市：日本,JP