半导体发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体发光器件，其包括：半导体层，其具有主面，并能生成光；光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述主面；光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；和接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述光反射层之间的边界部的所述光反射层的表层部，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。本发明专利技术能够提高光反射层对光透射层的贴紧力。

Semiconductor Light Emitting Devices

The invention provides a semiconductor light-emitting device, which includes: a semiconductor layer, which has a main surface and can generate light; a light transmission layer, which has light transmission and covers the main surface of the semiconductor layer; a light reflection layer, which has light reflection and covers the light transmission layer; and a diffusion region of a bonding material, which is formed between the light transmission layer and the light reflection layer. The surface layer of the light reflecting layer at the boundary includes elements having a high tightness to the light transmitting layer compared with the elements constituting the light reflecting layer. The invention can improve the tightness of the light reflection layer to the light transmission layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件本申请与2017年10月18日在日本国特许厅提出的日本特愿2017－202116号和2018年8月29日在日本国特许厅提出的日本特愿2018－160697号对应，在此通过引用这些申请的全部公开内容而编入本申请。
本专利技术涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
专利文献1(日本特开2005－175462号公报)中，公开了一种半导体发光元件。该半导体发光元件具有通过第一接合金属层和第二接合金属层接合非发光部分与发光部分的结构。非发光部分包括硅基片和覆盖硅基片的第二接合金属层。发光部分包括能生成光的半导体区域、覆盖半导体区域的主面的光透射层、覆盖光透射层的光反射层和覆盖光反射层的第一接合金属层。发光部分中，使半导体区域的主面以与非发光部分的硅基片的主面相对的姿态配置于非发光部分之上。在该状态下，发光部分的第一接合金属层与非发光部分的第二接合金属层接合。
技术实现思路
如专利文献1的半导体发光元件，在光透射层被光反射层覆盖的结构中，有时讨论光反射层对光透射层的亲和性。例如，在光反射层对光透射层的亲和性低的情况下，光反射层对光透射层的贴紧力不足，光反射层的光反射率可能降低。因此，本专利技术的一实施方式的一个目的在于，提供一种能够提高光反射层对光透射层的贴紧力的半导体发光器件。本专利技术的一实施方式提供一种半导体发光器件，其包括：半导体层，其具有主面，并能生成光；光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述主面；光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；和接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述光反射层之间的边界部的所述光反射层的表层部，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。依照该半导体发光器件，接合材料扩散区域形成于光透射层与光反射层之间的边界部的光反射层的表层部。接合材料扩散区域包含具有与构成光反射层的元素相比对光透射层的贴紧力高的性质的元素。由此，能够提高光反射层对光透射层的贴紧力。本专利技术的一实施方式提供一种半导体发光器件，其包括：非发光体部，其包括：具有一侧的第一正面及另一侧的第一背面的基片；和具有光反射性，且覆盖所述基片的所述第一正面的第一光反射层，和发光体部，其包括：半导体层，其具有一侧的第二正面及另一侧的第二背面，并能生成光；光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述第二正面；第二光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；以及接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述第二光反射层之间的边界部的所述第二光反射层的表层部，并包含具有与构成所述第二光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素，所述发光体部以使所述半导体层的所述第二正面与所述非发光体部的所述基片的所述第一正面相对的姿态配置于所述非发光体部上。依照该半导体发光器件，接合材料扩散区域形成于光透射层与第二光反射层之间的边界部的第二光反射层的表层部。接合材料扩散区域包含具有与构成第二光反射层的元素相比对光透射层的贴紧力高的性质的元素。由此，能够提高第二光反射层对光透射层的贴紧力。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式的半导体发光器件的平面图。图2是本专利技术的第一实施方式的半导体发光器件的截面图，是表示图1的II－II截面的图。图3是表示图2所示的半导体层的结构的截面图。图4A是用于说明图2所示的半导体发光器件的制造方法的截面图。图4B是表示接着图4A说明的工序的截面图。图4C是表示接着图4B说明的工序的截面图。图4D是表示接着图4C说明的工序的截面图。图4E是表示接着图4D说明的工序的截面图。图4F是表示接着图4E说明的工序的截面图。图4G是表示接着图4F说明的工序的截面图。图4H是表示接着图4G说明的工序的截面图。图4I是表示接着图4H说明的工序的截面图。图4J是表示接着图4I说明的工序的截面图。图4K是表示接着图4J说明的工序的截面图。图5是本专利技术的第二实施方式的半导体发光器件的截面图。图6A是用于说明图5所示的半导体发光器件的制造方法的截面图。图6B是表示接着图6A说明的工序的截面图。图6C是表示接着图6B说明的工序的截面图。图6D是表示接着图6C说明的工序的截面图。图6E是表示接着图6D说明的工序的截面图。图6F是表示接着图6E说明的工序的截面图。图7是本专利技术的第三实施方式的半导体发光器件的截面图。图8是本专利技术的第四实施方式的半导体发光器件的平面图。图9是本专利技术的第四实施方式的半导体发光器件的截面图，是表示图8的IX－IX截面的图。图10是图9的半导体发光器件的主要部位放大图。图11A是用于说明图9所示的半导体发光器件的制造方法的截面图。图11B是表示接着图11A说明的工序的截面图。图11C是表示接着图11B说明的工序的截面图。图11D是表示接着图11C说明的工序的截面图。图11E是表示接着图11D说明的工序的截面图。图11F是表示接着图11E说明的工序的截面图。图11G是表示接着图11F说明的工序的截面图。图11H是表示接着图11G说明的工序的截面图。图11I是表示接着图11H说明的工序的截面图。图12是表示第二光反射层与发光强度和反射率各自的关系的图表。具体实施方式下面，参照附图，详细地说明本专利技术的实施方式。图1是本专利技术的第一实施方式的半导体发光器件1的平面图。图2是本专利技术的第一实施方式的半导体发光器件1的截面图，是表示图1的II－II截面的图。参照图2，半导体发光器件1包括：非发光体部2、发光体部3、接合材料层4、阳极电极层5(第一电极)和阴极电极层6(第二电极)。发光体部3通过接合材料层4与非发光体部2接合。半导体发光器件1的强度通过非发光体部2提高。非发光体部2包括基片10、基底电极层11和第一光反射层12。基片10包括一侧的第一正面13、另一侧的第一背面14和连接第一正面13与第一背面14的第一侧面15。基片10的厚度可以为50μm以上，300μm以下(例如为150μm左右)。基片10可以包括金属材料制的导体基片。导体基片可以包含Al(铝)、Cu(铜)、Au(金)或Ag(银)中的至少一种作为金属材料。基片10中，可以代替导体基片或在导体基片的基础上，还包括半导体材料制的半导体基片。半导体基片可以包含Si(硅)、碳化硅(SiC)、锗(Ge)、化合物半导体或氮化物半导体中的至少一种作为半导体材料。以下，对基片10由Si制的半导体基片构成的例子进行说明。基底电极层11覆盖基片10的第一正面13。基底电极层11与基片10的第一正面13接触。基底电极层11具有包括从基片10的第一正面13侧依次层叠的第一基底电极层16和第二基底电极层17的层叠结构。第一基底电极层16可以包含Ti(钛)。第一基底电极层16的厚度可以为0.01μm以上，0.1μm以下(例如0.05μm左右)。第二基底电极层17可以包含Au。第二基底电极层17的厚度可以为0.05μm以上，1.0μm以下(例如0.1μm左右)。第一光反射层12是具有光反射性的层。第一光反射层12覆盖基底电极层11。第一光反射层12与基底电极层11接触。在该方式中，第一光反射层12由包含Au的导电性光反射层构成。由此，第一光反射层12通过基底电极层11与基片10电连接。第一光反射层12的厚度可以为0.1μm以上，3.0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：半导体层，其具有主面，并能生成光；光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述主面；光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；和接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述光反射层之间的边界部的所述光反射层的表层部，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。

【技术特征摘要】
2017.10.18 JP 2017-202116;2018.08.29 JP 2018-160691.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：半导体层，其具有主面，并能生成光；光透射层，其具有光透射性，并覆盖所述半导体层的所述主面；光反射层，其具有光反射性，并覆盖所述光透射层；和接合材料扩散区域，其形成于所述光透射层与所述光反射层之间的边界部的所述光反射层的表层部，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：还包括接合材料层，其以隔着所述光反射层与所述光透射层相对的方式覆盖所述光反射层，并包含具有与构成所述光反射层的元素相比对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。3.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：所述接合材料扩散区域包含与所述接合材料层所含的元素同种的元素。4.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：所述接合材料层形成为使具有对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素向所述光反射层的表层部扩散来供给该元素的元素供给源，所述接合材料扩散区域包含从所述接合材料层扩散到所述光反射层的表层部的元素。5.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述光反射层包含金。6.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述光透射层包含氧化铟锡，所述接合材料扩散区域包含铬作为具有对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。7.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述光透射层包含氧化硅和氮化硅中的任一者或两者，所述接合材料扩散区域包含铍作为具有对所述光透射层的贴紧力高的性质的元素。8.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：非发光体部，其包括：具有一侧的第一正面及另一侧的第一背面的基片；和具有光反射性，且覆盖所述基片的所述第一正面的第一光反射层，和发光体部，其包括：半导体层，其具有一侧的第二正面及另一侧的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤洋平，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP