具有场板结构的发光二极管器件制造技术

本实用新型专利技术为一种具有场板结构的发光二极管器件。该器件主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P‑型欧姆电极；所述的N‑型半导体传输层部分暴露，暴露的N‑型半导体传输层上分布有N‑型欧姆电极；其中，场板结构层位于P‑型重掺杂半导体传输层和电流扩展层之间，并嵌于电流扩展层；所使用的绝缘体材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、AlN、LiF、金刚石或PMMA。本实用新型专利技术中具有场板结构的发光二极管器件，制作工艺简单，易于操作，可重复性强，生产成本低。

【技术实现步骤摘要】
具有场板结构的发光二极管器件
本技术涉及发光二极管半导体
，具体地说是一种具有场板结构的发光二极管器件。
技术介绍
在上世纪50年代，随着锗、硅材料作为第一代半导体的出现，以集成电路为核心的微电子工业开始逐渐发展起来，此类材料被广泛应用于集成电路中。进入90年代以后，第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的半导体材料逐渐出现，使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初，碳化硅，氮化镓等具有宽禁带的第三代半导体材料也相继问世，随着半导体器件制备技术的不断进步，氮化物LED发光二极管技术相应地取得了充分的发展，在通讯照明，国防军事，杀菌消毒等领域都有着广阔的应用前景。目前，氮化物LED发光二极管技术亟待解决的主要问题是高电流下的效率衰退。相关研究机构发现造成这种现象的原因主要有较低的空穴注入率、载流子的离域以及俄歇复合等原因。如前所提到的原因均是基于载流子在多量子阱(MQWs)中的垂直分布。然而面内(水平方向)的载流子分布不均匀，即电流拥挤现象对器件造成的影响同样值得关注。有关研究发现，空穴具有相较于电子更重的有效质量，因此空穴的迁移率则会较低，加之P-型材料层的电阻率较高，使空穴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有场板结构的发光二极管器件，其特征为该器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P‑型欧姆电极；所述的N‑型半导体传输层部分暴露，暴露的N‑型半导体传输层上分布有N‑型欧姆电极；其中，场板结构层位于P‑型重掺杂半导体传输层和电流扩展层之间，并嵌于电流扩展层；所使用的绝缘体材料为非掺杂的SiO2、Al2O3、Si3N4、AlN、LiF、金刚石或PMMA，厚度为0.1～1000 μm，宽度为1～1000 μm。

【技术特征摘要】
1.一种具有场板结构的发光二极管器件，其特征为该器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N-型半导体传输层、多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体传输层、P-型重掺杂半导体传输层、场板结构层、电流扩展层和P-型欧姆电极；所述的N-型半导体传输层部分暴露，暴露的N...

【专利技术属性】
技术研发人员：张紫辉，车佳漭，楚春双，张勇辉，田康凯，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：新型
国别省市：天津,12