The utility model provides a semiconductor structure and a semiconductor memory device with the semiconductor structure, which comprises a substrate with a shallow groove isolation structure, a plurality of grooves on the surface of the substrate, a P-shaped well area formed at the bottom of the substrate, a plurality of gate components formed in the plurality of grooves, one side of each gate component being a source region, and the other. The side is a leak zone; the first ion implantation layer and the second ion implantation layer are formed in the source zone and the leak zone, the second ion implantation layer is located below the first ion implantation layer; and the first diffusion barrier layer and the second diffusion barrier layer, the first diffusion barrier layer are located between the first ion implantation layer and the second ion implantation layer, and the second diffusion barrier layer is located between the first ion implantation layer and the second ion implantation layer. The lower part of the second ion implantation layer is described. The stability of device performance can be effectively improved by adding diffusion barrier layer in semiconductor structure.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体存储器件
本技术涉及半导体领域,具体涉及一种半导体结构以及具有该半导体结构的半导体存储器件。
技术介绍
随着半导体器件微缩进程的发展,衍生出一种新型埋入式晶体管(RecessMOS)结构,其与传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductor,MOS)的主要区别在于其栅极结构位于半导体衬底内部,即埋入式栅极(BuriedGate),应用在阵列(array)区。但由于应用这种埋入式晶体管结构的array区域尺寸较小,且其中的掺杂元素(例如硼、磷等)极易发生扩散,掺杂元素的扩散会影响掺杂浓度分布的稳定性,进一步影响整个半导体器件的性能。因此,亟需一种新的半导体结构,以解决现有技术中存在的上述问题。需注意的是,前述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本技术的背景理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种半导体结构以及具有该半导体结构的半导体存储器件,以解决埋入式晶体管结构的array区域掺杂元素易扩散而导致的半导体存储器件性能不稳定的问题。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:本技术提供一种半导体结构,包括:具有浅沟槽隔离结构的衬底,所述衬底表面具有多个沟槽;P型阱区,形成于所述衬底的底部;多个栅极组件,形成于所述多个沟槽内,每个栅极组件的一侧为源区,另一侧为漏区;第一离子植入层和第二离子植入层,形成于所述源区和漏区,所述第二离子植入层位于所述第一离子植入层的下方;及第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层位于所述第一离子植入层和第二离子植入层之 ...
【技术保护点】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:具有浅沟槽隔离结构的衬底,所述衬底表面具有多个沟槽;P型阱区,形成于所述衬底的底部;多个栅极组件,形成于所述多个沟槽内,每个栅极组件的一侧为源区,另一侧为漏区;第一离子植入层和第二离子植入层,形成于所述源区和漏区,所述第二离子植入层位于所述第一离子植入层的下方;及第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层位于所述第一离子植入层和第二离子植入层之间,所述第二扩散阻挡层位于所述第二离子植入层的下方。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:具有浅沟槽隔离结构的衬底,所述衬底表面具有多个沟槽;P型阱区,形成于所述衬底的底部;多个栅极组件,形成于所述多个沟槽内,每个栅极组件的一侧为源区,另一侧为漏区;第一离子植入层和第二离子植入层,形成于所述源区和漏区,所述第二离子植入层位于所述第一离子植入层的下方;及第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层位于所述第一离子植入层和第二离子植入层之间,所述第二扩散阻挡层位于所述第二离子植入层的下方。2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第一扩散阻挡层的注入深度为5~20nm,所述第二扩散阻挡层的注入深度为20~60nm。3.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第一离子植入层和所述第二离子植入层均掺杂N型杂质。4.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,所述第一离子植入层为掺杂砷的离子植入层,所述第二离子植入层为掺杂磷的离子植入层,所述第一扩散阻挡层为掺杂氮的离子植入层,所述第二扩散阻挡层为掺杂氟的离子植入层,所述P型阱区掺杂硼。5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述第一扩散阻挡层的掺杂剂量为1.0E15~9.0E15ion/cm2,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:王楚玉,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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