The invention discloses a single write multiple read memory based on a phenylenetetramine coordination polymer film and a preparation method thereof, which comprises a bottom-up substrate, a phenylenetetramine-based coordination polymer film and an upper electrode, wherein the thickness of the phenylenetetramine-based coordination polymer film is 60 nm. For the first time, by controlling the thickness of the coordination polymer film to 60 nm, the invention realizes the preparation of non-volatile one-time writing multiple reading memory devices. At the same time, based on the dependence of the coordination polymer film on the substrate, flexible conductive material is used as the lower electrode to realize the preparation of flexible memory based on the coordination polymer film electrode, which meets the development needs of flexible electronic devices in the future. The preparation method of the coordination polymer film has the advantages of direct film formation, convenient transfer and improved device preparation efficiency.
【技术实现步骤摘要】
基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法
本专利技术属于存储器
,具体涉及一种有机存储器件及其制备方法。
技术介绍
信息的高速发展推动着信息存储技术的发展,存储技术的发展伴随着先进材料的发展。得益于读写速度迅速、功率损耗低、结构简单、稳定性好等优点,阻变随机存储器在未来的存储领域中占据着有利位置。典型的阻变随机存储器单元结构是金属-活性材料-金属的类“三明治结构”。通过选择合适的活性材料可以实现不同存储性能的存储器的制备,比如闪存存储器(FlashMemory)、“一次写入多次读取”存储器(WORMMemory)、动态随机存储器(DRAMMemory)等。近年来,有机材料(染料、复合物、低聚物和聚合物)由于维度小型化和分子构成多样性等特点,被认为是极具发展前景的材料之一。其中,聚合物因其自身材料的结构多样性、优异的机械性、柔性以及易加工等优势而备受瞩目。然而,由于聚合物分子间作用力较弱,以聚合物作为活性层的存储器件表现出了较差的耐热性以及稳定性。同时在存储器的研究中,活性层的制备是关键。目前存储器活性层的制备方式主要包括真空热蒸镀法和旋涂法,但两种制备工艺都存在一定的局限性。首先,真空热蒸镀程序操作复杂,而且不适合聚合物材料薄膜的制备;而旋涂法涉及多种难挥发的有机溶剂,严重影响到存储器件的性能提高。以上缺陷严重阻碍了聚合物材料在存储领域中的发展,而有机-无机配位聚合材料的出现及发展将有望突破这一局限。有机-无机配位聚合材料本身不仅具备与聚合物类似的结构多样、易加工等特点,而且表现出了比聚合物更好的稳定性。最近,两种新型的有机-无 ...
【技术保护点】
1.一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器,其特征在于:包括自下而上依次设置的衬底(1)、基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)、上电极(3);其中,所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)的厚度为60nm。
【技术特征摘要】
1.一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器,其特征在于:包括自下而上依次设置的衬底(1)、基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)、上电极(3);其中,所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)的厚度为60nm。2.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器,其特征在于:所述衬底(1)的材质为ITO玻璃。3.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器,其特征在于:所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)的材质为配位聚合物钴-苯四胺,其结构式为:4.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器,其特征在于:所述上电极(3)的材质为铝。5.根据权利要求1或4所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器,其特征在于:所述上电极(3)为多个圆点状电极,其厚度为150nm,直径为500μm。6.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一,首先,将衬底清洗,然后用氮气吹干净;步骤二,将配位聚合物钴-苯四胺制备为厚度为60nm的配位聚合物薄膜,并转移至衬底上,自然环境下干燥;步骤三,将干燥后的配位聚合物薄膜表面覆盖点状的掩模版,使用无机真空镀膜机蒸镀金属铝作为上电极。7.根据权利要求6所述的基...
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