一种基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件及其制备方法，所述选通管器件从下至上依次包括柔性衬底、底电极、功能层和顶电极，其中：所述功能层材料为铪钛氧复合薄膜；所述柔性衬底为聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的任一种；底电极优选为ITO；所述功能层是将二元过渡金属氧化物HfO2、TiO2共溅射制得；顶电极采用Pt金属。本发明专利技术是通过磁控溅射、光刻、剥离等技术制备各层薄膜。本发明专利技术的优点是：室温下制备、工艺简单、成本低廉；选通管阈值电压和保持电压离散度低；柔性抗弯曲特性优良。本发明专利技术的柔性选通管器件可以用于解决阻变存储器三维集成后面临的串扰电流问题，具有较强的发展潜力及应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件及其制备方法
本专利技术涉及微电子技术与材料科学领域，更具体地说，本专利技术涉及一种基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件及其制备方法。
技术介绍
随着便携、可穿戴式设备的飞速发展以及柔性薄膜晶体管、传感器、有机发光二极管、射频识别天线等电子器件的广泛应用，人们迫切需要开发一种基于柔性衬底上的存储器件，实现数据存储、处理运算、射频通讯等功能，并能够与其它电子器件整合，应用于柔性电子系统、柔性显示、射频识别、生物医学等领域。因此，存储器的柔性化展现出广阔的应用前景而备受关注，已成为未来信息存储领域的一个重要发展方向。柔性存储器除了具有一般RRAM器件的诸多优点，还具有成本低、可低温、可弯曲及大面积生产等优良特性。要实现柔性RRAM器件在电路中的应用，必须对存储器单元集成而构成三维垂直交叉阵列。无源交叉阵列通常是RRAM集成的首选方式，每个存储单元的面积为4F2/N(F为特性尺寸，N为层数)。虽然交叉阵列结构能大力提高器件的集成度，但始终面临着交叉串扰引起的误读问题。目前，解决RRAM无源交叉阵列中串扰问题的方案主要有三种：交叉阵列节点处每个存储单元与一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件，其特征在于：所述选通管器件从下至上依次包括柔性衬底、底电极、功能层和顶电极，其中：所述功能层材料为铪钛氧复合薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件，其特征在于：所述选通管器件从下至上依次包括柔性衬底、底电极、功能层和顶电极，其中：所述功能层材料为铪钛氧复合薄膜。2.根据权利要求1所述的基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件，其特征在于：所述的柔性衬底材料为聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的任一种；所述的底电极为FTO、ITO、ZTO或TiN材料中的任一种；所述的顶电极材料为Pt。3.根据权利要求1所述的基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件，其特征在于：所述的底电极优选为ITO。4.根据权利要求1所述的基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件，其特征在于：所述底电极厚度为100～200nm，所述功能层厚度为10～50nm，所述顶电极的厚度为100～200nm。5.根据权利要求1所述的基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件，其特征在于：所述铪钛氧复合薄膜材料是由氧化铪、氧化钛共溅射制得。6.根据权利要求1所述的基于铪钛氧复合薄膜的柔性选通管器件，其特征在于：所述顶电极的形状为圆形，直径为20μm～100μm。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶葱，徐中，周易，熊文，刘磊，夏天，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42