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本发明公开了一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法，该存储器包括自下而上依次设置的衬底、基于苯四胺的配位聚合物薄膜、上电极；其中，所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜的厚度为60nm。本发明首次通过控制配位聚合物薄膜的...
该专利属于南京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京工业大学授权不得商用。

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