一种扇出型封装结构和封装方法技术

本发明专利技术公开了一种扇出型封装结构和封装方法，包括：转移层，具有至少一层第一导电互连线；第一封装体，包括多个层叠的第一芯片和具有不同高度的多个第一互连柱，相同高度的第一互连柱上分别设置有第一芯片，第一互连柱一端与芯片的焊盘连接，第一互连柱另一端与第一导电互连线电连接。利用处于在底部的转移层，使多个芯片通过导电柱依次相互连接，封装体底部的金属端子与转移层连接；导电柱和芯片进行包封处理，通过连接不同高度的导电柱，保证整个封装的连接在一个平面上完成，保证芯片的稳定性，同时通过连接不同高度的导电柱，进行压力均分；防止重复性铺设重布线层和嵌入环氧树脂，因多层介质堆叠产生芯片形变实现多芯片集成。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型封装结构和封装方法
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种扇出型封装结构和封装方法。
技术介绍
为了满足电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展，芯片的小型化、智能化使得芯片封装引脚的数量在提升的同时，封装引脚的尺寸也在快速下降。传统的倒装芯片晶圆级封装方案中I/O连接端子散布在芯片表面面积之内，从而限制了I/O连接数目。扇出型晶圆级封装能很好的解决这个问题，同时由于其具有小型化、低成本和高集成度等优点，因此正在迅速成为新型芯片和晶圆级封装技术的选择。现有技术中通常将裸芯片的背面嵌入在环氧树脂中，然后在裸芯片的正面形成介电层和重布线层，并在裸芯片正面的焊盘与重布线层之间形成电连接，重布线层可重新规划从裸芯片上的I/O连接到外围环氧树脂区域的路线，再在重布线层的焊盘上形成焊球突起结构，由此形成扇出型封装结构。但该扇出型封装结构通过重复性铺设重布线层和嵌入环氧树脂；因多层介质堆叠产生芯片形变，影响产品质量。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种扇出型封装结构和封装方法，以减少封装体因多层介质堆叠产生的芯片形变，保证芯片的产品质量。根据第一方面，本专利技术实施例提供一种扇出型结构，至少包括：转移层，具有至少一层导电互连线；第一封装体，包括多个层叠的第一芯片和具有不同高度的多个第一互连柱，相同高度的第一互连柱上分别设置有所述第一芯片，所述第一互连柱一端与所述芯片的焊盘连接，所述第一互连柱另一端与所述导电互连线连接。可选地，所述扇出型封装结构包括：第二封装体，设置在所述第一封装体和所述转移层之间，包括至少一个第二芯片；所述转移层还包括第二互连柱，所述第二互连柱一端与所述第二芯片的焊盘连接，所述第二互连柱另一端与所述第一导电互连线连接。可选地，所述扇出型封装结构包括：第二导电互连线，设置在所述第二封装体面向所述第一封装体的一侧，与所述第一互连柱连接；所述转移层还包括第三互连柱，所述第三互连柱一端与所述第二导电互连线连接，所述第三互连柱的另一端与所述第一导电互连线连接。可选地，所述转移层包括多层第一导电互连线，以及包封多层所述第一导电互连线层的介质层；其中，不同层之间的是第一导电互连线之间通过所述介质层上的导电通孔电连接。可选地，所述的扇出型封装结构，包括：第一封装层，包封所述第一芯片、第一导电柱以及第二导电互连线；第二封装层，包封所述第二芯片。根据第二方面，本专利技术实施例提供了一种扇出型封装方法，包括：提供转移层，所述转移层具有至少一层第一导电互连线；在所述转移层上形成不同高度的多个第一互连柱，所述一互连柱第一端与所述第一导电互连线电连接；分别在相同高度的第一互连柱的另一端上安设第一芯片；在所述转移层上形成第一封装层，包封所述第一芯片和第一互连柱。可选地，在所述转移层上形成不同高度的多个第一互连柱，包括：通过电镀或蒸镀在所述转移层上形成金属层；经过多次刻蚀形成不同高度的多个第一互连柱，其中，每次刻蚀形成同种高度的多个第一互连柱。可选地，在所述提供转移层和所述在所述转移层上形成不同高度的多个第一互连柱之间包括：在所述转移层上形成第二封装体，所述第二封装体包括至少一个第二芯片；所述转移层还包括第二互连柱，所述第二互连柱一端与所述第二芯片的焊盘连接，所述第二互连柱另一端与所述第一导电互连线连接。可选地，在所述转移层上形成第二封装体之后包括：在所述第二封装体的非芯片区域形成第三互连柱，所述第三互连柱的一端与所述第一导电互连线连接；在所述第二封装体面向所述第一封装体的一面形成第二导电互连线，所述第二导电互连线与所述第三互连柱的另一端连接。本专利技术技术方案，具有如下优点：相比于现有技术中将裸芯片的背面嵌入在环氧树脂中，然后在裸芯片的正面形成介电层和重布线层，并在裸芯片正面的焊盘与重布线层之间形成电连接，重布线层可重新规划从裸芯片上的I/O连接到外围环氧树脂区域的路线，再在重布线层的焊盘上形成焊球突起结构，所形成的扇出型封装结构。所述方法是利用处于在底部的转移层，使多个芯片通过导电柱依次相互连接，封装体底部的金属端子与转移层连接；导电柱和芯片进行包封处理，通过连接不同高度的导电柱，保证整个封装的连接在一个平面上完成，保证芯片的稳定性，同时通过连接不同高度的导电柱，进行压力均分；防止重复性铺设重布线层和嵌入环氧树脂，因多层介质堆叠产生芯片形变实现多芯片集成。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的芯片的扇出型封装结构截面示例的结构图；图2-图6为本专利技术实施例提供的芯片扇出型封装结构图。附图标记：10-转移层；11-第一导电互连线；12-第二导电互连线；13-导电通孔；14-第一导电互连线层的介质层；20-第一封装体；21-第一芯片；22-第一互连柱；23-绝缘材料；30-第二封装体；31-第二芯片；32-第二互连柱；33-第三互连柱。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。本专利技术实施例提供一种扇出型封装结构，如图1所示，该结构包括：转移层10，具有至少一层第一导电互连线11；第一封装体20，包括多个层叠的第一芯片21和具有不同高度的多个第一互连柱22，相同高度的第一互连柱22上分别设置有所述第一芯片21，所述第一互连柱22一端与所述芯片21的焊盘连接，所述第一互连柱22另一端与所述第一导电互连线电连接11。在本实施例中，转移层10通过多层第一导电互连线11堆叠形成，其转移层10也可以称为重新布线层；第一封装体20由多个第一芯片21组成，第一芯片21正面有带信号的金属焊盘用于和同高度的第一互连柱22连接；通过不同高度的第一互连柱22连接转移层10上的第一导电互连线11，实现多芯片连接；利用不同高度的第一导电柱连接，确保堆叠芯片的平整性，保证该芯片处于平稳状态，同时不同高度的第一导电柱对堆叠的芯片进行压力分散，防止芯片形变。所述第一封装体20的第一芯片21周围有塑封材料，通过研磨或者光刻等技术实现背面的芯片背面平整。相较于现有技术；在本实施例中，利用不同高度导电柱连接处于不同高度的第一芯片21，通过多个堆叠的芯片整体封装，减少重复性铺设重布线层和嵌入环氧树脂；及多层介质堆叠产生芯片形变问题。作为可选的实施例，如图2所示；还包括：第二封装体30，设置在所述第一封装体20和所述转移层10之间，包括至少一个第二芯片31；第二芯片31周围被塑封材料包围，通过研磨或者光刻等技术实现第二芯片31的平整。所述转移层10还包括第二互连柱32，所述第二互连柱32一端与所述第二芯片31的焊盘连接，所述第二互连柱32另一端与所述第一导电互连线11连接。在本实施例中，通过在第一封装体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：转移层，具有至少一层第一导电互连线；第一封装体，包括多个层叠的第一芯片和具有不同高度的多个第一互连柱，相同高度的第一互连柱上分别设置有所述第一芯片，所述第一互连柱一端与所述芯片的焊盘连接，所述第一互连柱另一端与所述第一导电互连线电连接。

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：转移层，具有至少一层第一导电互连线；第一封装体，包括多个层叠的第一芯片和具有不同高度的多个第一互连柱，相同高度的第一互连柱上分别设置有所述第一芯片，所述第一互连柱一端与所述芯片的焊盘连接，所述第一互连柱另一端与所述第一导电互连线电连接。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括：第二封装体，设置在所述第一封装体和所述转移层之间，包括至少一个第二芯片；所述转移层还包括第二互连柱，所述第二互连柱一端与所述第二芯片的焊盘连接，所述第二互连柱另一端与所述第一导电互连线连接。3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括：第二导电互连线，设置在所述第二封装体面向所述第一封装体的一侧，与所述第一互连柱连接；所述转移层还包括第三互连柱，所述第三互连柱一端与所述第二导电互连线连接，所述第三互连柱的另一端与所述第一导电互连线连接。4.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述转移层包括多层第一导电互连线，以及包封多层所述第一导电互连线层的介质层；其中，不同层之间的是第一导电互连线之间通过所述介质层上的导电通孔电连接。5.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括：第一封装层，包封所述第一芯片、第一导电柱以及第二导电互连线；第二封装层，包封所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恒甫，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32