一种掩膜装置及溅射系统制造方法及图纸

技术编号:20382931 阅读:39 留言:0更新日期:2019-02-20 00:03
本发明专利技术实施例提供一种掩膜装置及溅射系统,涉及掩膜板技术领域,能够解决现有技术中由于掩膜条与基板之间间隙较大而造成溅射成膜阴影较大,进而导致产品良率较低的问题。所述掩膜装置包括掩膜板和设置在掩膜板一侧的多个掩膜条;至少一个掩膜条上靠近掩膜板一侧的表面上设置有多个条状的金属结构,多个金属结构沿掩膜条的长度方向间隔排布,金属结构的热膨胀系数大于掩膜条的热膨胀系数。本发明专利技术用于溅射成膜。

A Mask Device and Sputtering System

The embodiment of the invention provides a mask device and a sputtering system, which relates to the technical field of mask plate, and can solve the problem of large sputtering film shadows caused by large gap between the mask strip and the substrate in the prior art, thereby leading to low product yield. The mask device comprises a mask plate and a plurality of mask strips arranged on one side of the mask plate; at least one mask strip is provided with a plurality of strip-shaped metal structures on the surface close to the one side of the mask plate, and the plurality of metal structures are arranged at intervals along the length direction of the mask strip, and the thermal expansion coefficient of the metal structure is larger than that of the mask strip. The invention is used for sputtering film forming.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜装置及溅射系统
本专利技术涉及掩膜板
,尤其涉及一种掩膜装置及溅射系统。
技术介绍
随着显示技术的快速发展,用户对大尺寸显示和画质的要求也逐步增加,大尺寸OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)显示装置由于其具有的众多优点而越来越受到用户的青睐。现有OLED器件通常由阳极层、发光层和阴极层组成。根据出光方向不同可分为底发射器件和顶发射器件两种。由于顶发射器件可以获得更大的开口率,能显著提高屏幕亮度,因而成为近年来研究的热门。OLED顶发射器件需要透明阴极来增加光的透过率,而透明阴极膜一般是由蒸镀工艺和溅射工艺来生成。现有溅射机一般为直立式,基板成膜时呈竖立状态,为了保持基板的竖立状态,基板周围设置有夹具,基板从其它工艺段传送至溅射机背板平台上,利用夹具将基板夹持在背板平台上,然后背板平台连同基板一起从水平状态翻转至竖立成膜状态。在基板翻转的过程中,为了避免随之翻转的夹具剐蹭到基板镀膜侧的掩膜板(mask)及掩膜条(masksheet),掩膜板和掩膜条与夹具运动路径间会留有一定的间隙。这样在基板翻转完成处于竖直状态的时候,掩膜条与基板之间就会存在较大间隙,一般为0.5mm~1.5mm之间,这个较大间隙会导致溅射成膜阴影较大,这样可能会造成外围电路短路,进而导致产品不良。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种掩膜装置及溅射系统,能够解决现有技术中由于掩膜条与基板之间间隙较大而造成溅射成膜阴影较大,进而导致产品良率较低的问题。为达到上述目的,本专利技术的实施例采用如下技术方案:一方面,本专利技术实施例提供一种掩膜装置,包括掩膜板和设置在所述掩膜板一侧的多个掩膜条;至少一个所述掩膜条上靠近所述掩膜板一侧的表面上设置有多个条状的金属结构,多个所述金属结构沿所述掩膜条的长度方向间隔排布,所述金属结构的热膨胀系数大于所述掩膜条的热膨胀系数。可选的,多个所述金属结构等间隔排布。可选的,所述金属结构的热膨胀系数大于或等于1.7e-5/℃。可选的,所述金属结构的制作材料为Mn75Ni15Cu10、Ni20Mn6、Ni19Cr11、Cu和Al中的任意一种。可选的,相邻两个所述金属结构的间隔与所述金属结构的宽度的比值为0.5~2.5。可选的,所述金属结构的宽度为1mm~10mm。可选的,所述金属结构的厚度为10μm~100μm。可选的,在所述掩膜条靠近所述掩膜板一侧的表面上,靠近所述掩膜板开口的一端设置的所述金属结构的条数大于远离所述掩膜板开口的一端设置的所述金属结构的条数。可选的,所述掩膜条包括横向掩膜条和竖向掩膜条,所述竖向掩膜条位于所述横向掩膜条与所述掩膜板之间;所述横向掩膜条和所述竖向掩膜条上均设置有所述金属结构。另一方面,本专利技术实施例提供一种溅射系统,包括基台、设置在所述基台上的基板、以及用于将所述基板固定在所述基台上的夹具;还包括位于所述基板镀膜侧的如上述任意一种所述的掩膜装置,所述掩膜条位于所述掩膜板与所述基板之间。本专利技术实施例提供的掩膜装置及溅射系统,所述掩膜装置包括掩膜板和设置在掩膜板一侧的多个掩膜条;至少一个掩膜条上靠近掩膜板一侧的表面上设置有多个条状的金属结构,多个金属结构沿掩膜条的长度方向间隔排布,金属结构的热膨胀系数大于掩膜条的热膨胀系数。相较于现有技术,在本专利技术实施例提供的掩膜装置中,通过在掩膜条靠近掩膜板一侧的表面上设置热膨胀系数较大的金属结构,在常温下,掩膜条和金属结构均为平整形状;而在溅射成膜时,掩膜条温度会上升,由于金属结构的热膨胀系数较大,而掩膜条的热膨胀系数较小,因而掩膜条上边缘会向基板方向弯曲,这样可以减小甚至消除掩膜条与基板间的间隙,从而避免了溅射成膜时阴影的出现,提高了产品良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术提供的溅射系统结构示意图一;图2为相关技术提供的溅射系统结构示意图二;图3为本专利技术实施例提供的掩膜条和金属结构示意图一;图4为图3中沿AA线的剖视图;图5为图3中掩膜条变形后沿BB线的剖视图;图6为本专利技术实施例提供的溅射系统结构示意图一;图7为本专利技术实施例提供的掩膜条和金属结构示意图二;图8为本专利技术实施例提供的溅射系统结构示意图二;图9为本专利技术实施例提供的掩膜装置结构示意图一;图10为本专利技术实施例提供的掩膜装置结构示意图二。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种掩膜装置,如图3至图10所示,包括掩膜板10和设置在掩膜板10一侧的多个掩膜条11;至少一个掩膜条11上靠近掩膜板10一侧的表面上设置有多个条状的金属结构12,多个金属结构12沿掩膜条11的长度方向间隔排布,金属结构12的热膨胀系数大于掩膜条11的热膨胀系数。当掩膜条11受热时,掩膜条11靠近掩膜板开口13的一端可向远离掩膜板10的一侧弯曲。在相关技术中,参考图1和图2所示,为了将基板15保持竖立状态,一般会利用夹具16将基板15夹持在基台14上,然后翻转基台14。为了避免翻转过程中夹具15碰触掩膜条11和掩膜板10,掩膜条11与基板15之间会留有较大间隙,同时还会在掩膜板10对应夹具16的位置设置凹槽17。在本专利技术实施例中,参考图3至图6所示,在掩膜条11靠近掩膜板10一侧的表面上设置热膨胀系数较大的多个金属结构12,在常温下,掩膜条11和金属结构12均为平整形状;而在溅射成膜时,掩膜条11温度会上升,由于金属结构12的热膨胀系数较大,而掩膜条11的热膨胀系数较小,因而掩膜条11上边缘会向基板15方向弯曲,如图6所示,这样可以减小甚至消除掩膜条11与基板15间的间隙,从而避免了溅射成膜时阴影的出现,提高了产品良率。金属结构12与掩膜条11的连接方式有多种,本专利技术实施例对此不做限定。示例的,可以采用电铸、冷轧或使用粘结剂等方法制作。本专利技术实施例对于掩膜条11的具体设置数量、尺寸等均不作限定,本领域技术人员可以根据实际情况进行设定。参考图8至图10所示,掩膜条11一般包括横向掩膜条111和竖向掩膜条112,竖向掩膜条112位于横向掩膜条111与掩膜板10之间;在实际应用中,可以只在横向掩膜条111上设置该金属结构12,也可在横向掩膜条111和竖向掩膜条112上均设置该金属结构12,本专利技术实施例对此亦不做限定。参考图3所示,为了便于控制掩膜条11的弯曲程度以及便于制作金属结构12,通常设置多个金属结构12等间隔排布。图4为图3中沿AA线的剖视图;图5为图3中掩膜条11变形后沿BB线的剖视图。参考图3至图5所示,在常温条件下该掩膜条11为平整状态,当温度升高后,由于金属结构12的热膨胀系数较大,而掩膜条11的热膨胀系数较小,因此掩膜条11向基板15侧沿短边方向弯曲,如图6所示。由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜装置,包括掩膜板和设置在所述掩膜板一侧的多个掩膜条;其特征在于,至少一个所述掩膜条上靠近所述掩膜板一侧的表面上设置有多个条状的金属结构,多个所述金属结构沿所述掩膜条的长度方向间隔排布,所述金属结构的热膨胀系数大于所述掩膜条的热膨胀系数。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜装置,包括掩膜板和设置在所述掩膜板一侧的多个掩膜条;其特征在于,至少一个所述掩膜条上靠近所述掩膜板一侧的表面上设置有多个条状的金属结构,多个所述金属结构沿所述掩膜条的长度方向间隔排布,所述金属结构的热膨胀系数大于所述掩膜条的热膨胀系数。2.根据权利要求1所述的掩膜装置,其特征在于,多个所述金属结构等间隔排布。3.根据权利要求1所述的掩膜装置,其特征在于,所述金属结构的热膨胀系数大于或等于1.7e-5/℃。4.根据权利要求3所述的掩膜装置,其特征在于,所述金属结构的制作材料为Mn75Ni15Cu10、Ni20Mn6、Ni19Cr11、Cu和Al中的任意一种。5.根据权利要求2所述的掩膜装置,其特征在于,相邻两个所述金属结构的间隔与所述金属结构的宽度的比值为0.5~2.5。6.根据权利要求5所述的掩膜装置,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚固熊腾青李如
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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