半导体器件制造技术

半导体器件可以包括变化检测电路和变化确定电路。变化检测电路可以被配置为生成具有根据晶体管的变化而改变的电压电平的检测电压。变化确定电路可以被配置为基于检测电压的电压电平使能多个确定信号中的任何一个。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月1日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0097780的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
各种实施例通常可以涉及一种半导体集成电路，更具体地，涉及一种半导体器件。
技术介绍
半导体器件可以被配置为接收和输出电信号。半导体器件可以包括多个晶体管。根据相关技术，包括晶体管的半导体器件可能根据工艺变化、电压变化、温度变化等而发生故障。
技术实现思路
根据本公开的实施例，半导体器件可以包括变化检测电路和变化确定电路。所述变化检测电路可以被配置为生成具有根据晶体管的变化而改变的电压电平的检测电压。所述变化确定电路可以被配置为基于所述检测电压的所述电压电平使能多个确定信号中的任何一个。附图说明参考下面列出的附图详细地描述本公开的主题的方面、特征和优点。图1是图示了根据各种实施例的半导体器件的框图。图2是图示了根据一个实施例的图1的变化检测电路的电路图。图3是图示了根据一个实施例的图1的变化确定电路的框图。图4是图示了根据一个实施例的图3的解码电路的电路图。图5是图示了根据一个实施例的图1的可变时序电路的框图。具体实施方式将参考附图详细地描述各种实施例。附图是各种实施例(和中间结构)的示意图。照此，可以预期由于例如制造技术和/或公差导致的图示的结构和形状的变化。因此，所描述的实施例不应被解释为限于本文中示出的特定结构和形状，而是可以包括不脱离如所附权利要求中限定的本公开的精神和范围的结构和形状的偏差。在本文参照本公开的理想化实施例的截面和/或平面图示描述了本公开。然而，本公开的实施例不应被解释为限制本专利技术构思。尽管将示出和描述一些实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本公开的原理和精神的情况下，可以在这些实施例中进行改变。本公开的实施例可以提供能够检测晶体管变化的半导体器件。根据实施例的示例，可以通过检测晶体管的变化来改变半导体器件的操作时序。因此，半导体器件可以具有改善的操作可靠性。图1是图示了根据各种实施例的半导体器件的框图。参见图1，实施例的半导体器件可以包括：变化检测电路100、变化确定电路200和可变时序电路300。变化检测电路100可以被配置为生成检测电压V_d。检测电压V_d可以具有根据晶体管的变化而改变的电压电平。例如，变化检测电路100可以利用两个具有不同尺寸的相同类型的晶体管的导通电阻来生成检测电压V_d。具体地，随着两个晶体管的导通电阻减小，变化检测电路100可以生成具有成比例地变高电压电平的检测电压V_d。相反，随着两个晶体管的导通电阻增加，变化检测电路100可以生成具有成比例地变低电压电平的检测电压V_d。变化确定电路200可以被配置为响应于检测电压V_d而使能第一确定信号至第三确定信号F_s、N_s和S_s中的任何一个。例如，当检测电压V_d高于第一目标电平时，变化确定电路200可以使能第一确定信号F_s。当检测电压V_d低于第一目标电平并且高于第二目标电平时，变化确定电路200可以使能第二确定信号N_s。当检测电压V_d低于第二目标电平时，变化确定电路200可以使能第三确定信号S_s。这里，第一目标电平可以高于第二目标电平。可变时序电路300可以被配置为响应于第一确定信号至第三确定信号F_s、N_s和S_s而改变延迟量。可变时序电路300可以将输入信号IN_s延迟变化的延迟量，以输出延迟的输入信号作为输出信号OUT_s。例如，当第一确定信号F_s被使能时，可变时序电路300可以将输入信号IN_s延迟第一延迟量，以输出延迟的输入信号作为输出信号OUT_s。当第二确定信号N_s被使能时，可变时序电路300可以将输入信号IN_s延迟第二延迟量，以输出延迟的输入信号作为输出信号OUT_s。当第三确定信号S_s被使能时，可变时序电路300可以将输入信号IN_s延迟第三延迟量，以输出延迟的输入信号作为输出信号OUT_s。这里，第一延迟量可以大于第二延迟量。第二延迟量可以大于第三延迟量。图2是图示了图1中的变化检测电路的电路图。参见图2，变化检测电路100可以包括第一晶体管N1、第二晶体管N2和第一电阻器R1。第一晶体管N1可以包括：栅极，其被配置为接收外部电压VDD；以及漏极，其被配置为接收外部电压VDD。第二晶体管N2可以包括：栅极，其被配置为接收外部电压VDD；漏极，其连接到第一晶体管N1的源极；以及源极，其连接到接地端子VSS。第一电阻器R1可以包括：第一端部，其连接到连接在第一晶体管N1和第二晶体管N2之间的节点；以及第二端部，其连接到接地端子VSS。检测电压V_d可以对应于从连接在第一晶体管N1和第二晶体管N2之间的节点输出的电压。在一个实施例中，第一晶体管N1和第二晶体管N2可以是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。在其他的实施例中，第一晶体管N1和第二晶体管N2可以是任何类型的晶体管。在本公开的实施例中，第一晶体管N1可以具有与第二晶体管N2的类型大体上相同的类型。第一晶体管N1的尺寸可以与第二晶体管N2的尺寸不同。根据工艺、温度和电压电平的变化[即，根据工艺、电压和温度(PVT)变化]，第一晶体管N1和第二晶体管N2中的一个的导通电阻的变化可以高于第一晶体管N1和第二晶体管N2的另一个导通电阻的变化。具体地，第一晶体管N1和第二晶体管和N2可以具有不同的沟道长度或宽度。例如，第一晶体管N1和第二晶体管N2可以具有相同的沟道长度和不同的沟道宽度。或者，第一晶体管N1和第二晶体管N2可以具有相同的沟道宽度和不同的沟道长度。此外，第一晶体管N1和第二晶体管N2可以具有不同的沟道长度和不同的沟道宽度。当第一晶体管N1导通时第一晶体管N1中的从漏极流到源极的电流量可以大于当第二晶体管N2导通时第二晶体管N2中的从漏极流到源极的电流量。图3是图示了图1的变化确定电路的框图。参见图3，变化确定电路200可以包括：目标电压生成电路210、第一比较电路220、第二比较电路230和解码电路240。目标电压生成电路210可以分配外部电压VDD以生成第一目标电压V_r1和第二目标电压V_r2。第一目标电压V_r1可以高于第二目标电压V_r2。目标电压生成电路210可以包括第二电阻器至第六电阻器R2、R3、R4、R5和R6。第二电阻器R2可以具有被配置为接收外部电压VDD的第一端部。第三电阻器R3可以具有连接到第二电阻器R2的第二端部的第一端部。第四电阻器R4可以具有连接到第三电阻器R3的第二端部的第一端部。第五电阻器R5可以具有连接到第四电阻器R4的第二端部的第一端部。第六电阻器R6可以具有：连接到第五电阻器R5的第二端部的第一端部，以及连接到接地端子VSS的第二端部。第一目标电压V_r1可以从连接在第二电阻器R2和第三电阻器R3之间的节点输出。第二目标电压V_r2可以从连接在第五电阻器R5和第六电阻器R6之间的节点输出。第一比较电路220可以将检测电压V_d与第一目标电压V_r1进行比较，以生成第一比较信号Com_1。例如，当检测电压V_d高于第一目标电压V_r1时，第一比较电路220可以使能第一比较信号Com_1。相反，当检测电压V_d低于第一目标电压V_r1时，第一比较电路220可以禁止第一比较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其包括：变化检测电路，其被配置为生成具有根据晶体管的变化而改变的电压电平的检测电压；以及变化确定电路，其被配置为基于所述检测电压的所述电压电平使能多个确定信号中的任何一个。

【技术特征摘要】
2017.08.01 KR 10-2017-00977801.一种半导体器件，其包括：变化检测电路，其被配置为生成具有根据晶体管的变化而改变的电压电平的检测电压；以及变化确定电路，其被配置为基于所述检测电压的所述电压电平使能多个确定信号中的任何一个。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述变化检测电路根据工艺、电压和温度变化检测所述晶体管的变化量，以生成所述检测电压。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，并且根据所述工艺、电压和温度变化，所述第一晶体管的变化量与所述第二晶体管的变化量不同。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是相同类型的。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管都是N沟道金属氧化物半导体晶体管。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述检测电压的所述电压电平根据所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述变化量而改变。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的沟道宽度和不同的沟道长度。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的沟道宽度或不同的沟道长度。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的沟道长度和大体上相同的沟道宽度。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的沟道宽度和大体上相同的沟道长度。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述变化确定电路将所述检测电压的所述电压电平与多个目标电压进行比较，以使能所述确定信号中的任何一个。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵娜衍，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR