一种快速收集闪存阈值电压分布的方法技术

本发明专利技术提出一种快速收集闪存阈值电压分布的方法，包括下列步骤：采用预先设定的快速扫描大步长在电压范围内进行顺序扫描；扫描过程中自动记录每步获得的闪存失效单元数；根据闪存失效单元数快速自动判断闪存存储单元阈值电压分布起始边界；自动转换至精确扫描用的小步长进行顺序扫描，并根据失效单元数得到闪存存储单元阈值电压分布截止边界，并自动停止扫描。本发明专利技术提出的快速收集闪存阈值电压分布的方法，减少收集存储类闪存芯片存储器单元阵列阈值电压分布的时间。

【技术实现步骤摘要】
一种快速收集闪存阈值电压分布的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种快速收集闪存阈值电压分布的方法。
技术介绍
随着集成电路集成度的提高以及电源电压的降低，构成集成电路的半导体器件的几何尺寸不断缩减，这就要求不断改进芯片的制造工艺。制造工艺的改进对单个半导体器件的性能影响很大，为评估半导体器件的性能，通常需要对半导体器件的可靠性进行测试。闪存单元由一个带浮栅的MOS晶体管构成，该MOS晶体管的阈值电压可通过在其栅极上施加电场而被反复改变，此操作被称为编程。MOS管阈值电压是影响存储器可靠性的一项重要指标。现有技术中，通常通过晶圆可接受性测试(WAT，WaferAcceptanceTest)获得静态随机存储器(SRAM，StaticRandomAccessMemory)存储阵列中的MOS管阈值电压。在存储类闪存产品的生产测试过程中，我们经常需要收集存储单元的阈值电压分布，以此来验证制造工艺的优劣或测试条件的好坏，请参考图1，图1所示为一般阈值电压分布示意图，为保证测试的准确性，我们一般在较大的范围内进行电压扫描，而实际阈值电压分布只占整个扫描范围较小的一部分。图2所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速收集闪存阈值电压分布的方法，其特征在于，包括下列步骤：采用预先设定的快速扫描大步长在电压范围内进行顺序扫描；扫描过程中自动记录每步获得的闪存失效单元数；根据闪存失效单元数快速自动判断闪存存储单元阈值电压分布起始边界；自动转换至精确扫描用的小步长进行顺序扫描，并根据失效单元数得到闪存存储单元阈值电压分布截止边界，并自动停止扫描。

【技术特征摘要】
1.一种快速收集闪存阈值电压分布的方法，其特征在于，包括下列步骤：采用预先设定的快速扫描大步长在电压范围内进行顺序扫描；扫描过程中自动记录每步获得的闪存失效单元数；根据闪存失效单元数快速自动判断闪存存储单元阈值电压分布起始边界；自动转换至精确扫描用的小步长进行顺序扫描，并根据失效单元数得到闪存存储单元阈值电压分布截止边界，并自动停止扫描。2.根据权利要求1所述的快速...

【专利技术属性】
技术研发人员：席与凌，李强，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31