一种晶圆升降装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种晶圆升降装置，包括：若干个升降杆，设置于所述晶圆的反应腔室内，用于承载及升降所述晶圆；若干个重量感应器，与各所述升降杆相对应设置，分别用于检测位于所述升降杆上的所述晶圆对各所述升降杆所产生的重量。本实用新型专利技术通过晶圆升降装置即可承载及升降晶圆又可以确认升降杆上方是否具有晶圆，从而可解决由于反应腔室内发生破片时，由真空传送手臂所引起的撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆造成整个反应腔室的污染以及机器down机的问题，从而降低生产成本以及提高工作效率。

A wafer lifting device

The utility model provides a wafer lifting device, which comprises a plurality of lifting rods arranged in the reaction chamber of the wafer for carrying and lifting the wafer, a plurality of weight sensors corresponding to the lifting rods for detecting the wafers on the lifting rod for each lifting rod. The weight produced by the rod. The utility model can load and lift the wafer through the wafer lifting device, and can confirm whether there is a wafer above the lifting rod, so as to solve the problem of breaking the lifting rod, breaking the electrostatic suction disc, causing the pollution of the whole reaction chamber and the machine caused by breaking the wafer when the fragment occurs in the reaction chamber. The problem of the down machine reduces the production cost and improves the work efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆升降装置
本技术属于半导体加工设备领域，涉及一种晶圆升降装置。
技术介绍
半导体刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀两种方法。其中，干法刻蚀是把晶圆周围的气体激发成为等离子体，等离子体在偏压引导下轰击晶圆表面，与晶圆发生物理化学反应，从而在晶圆表面刻蚀出所需形貌。当晶圆在反应腔室内完成刻蚀，经过等离子放电后，反应腔室内的升降杆会顶起晶圆。当升降杆的感应器感应到升降杆升起时，位于传送腔体内的真空传送手臂就会抓取晶圆进行下一步骤的工艺。但目前，由于反应腔室内的所述升降杆的感应器只能感应升降杆的升起与下降，不具备检测升降杆上表面有没有晶圆的功能，因而，当晶圆在反应腔室内发生破片时，反应腔室内的升降杆依然会正常升起，当升降杆的感应器感应到升降杆升起时，位于传送腔体内的真空传送手臂还会继续去取片，有可能会引起：撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆造成整个反应腔室的污染以及机器down机的现象，造成生产成本增加及工作效率降低。基于以上所述，提供一种即可以用于承载及升降晶圆又可以确认升降杆上方是否具有晶圆的晶圆升降装置，以解决目前由于反应腔室内发生破片时，由真空传送手臂所引起的撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆，造成整个反应腔室的污染以及机器down机的问题实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种晶圆升降装置，用于解决现有技术中由于反应腔室内发生破片时，由真空传送手臂所引起的撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆，造成整个反应腔室的污染以及机器down机的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种晶圆升降装置，包括：若干个升降杆，设置于所述晶圆的反应腔室内，用于承载及升降所述晶圆；若干个重量感应器，与各所述升降杆相对应设置，分别用于检测位于所述升降杆上的所述晶圆对各所述升降杆所产生的重量。优选地，所述升降杆的个数范围介于2～10。优选地，所述若干个升降杆的顶端处于同一水平面上。优选地，所述若干个升降杆的顶端围成一正三角形，且所述正三角形的中心与所述晶圆的中心重合。优选地，所述晶圆升降装置还包括升降感应器，所述升降感应器用于测试所述升降杆的高度位置。优选地，所述晶圆升降装置还包括显示器，所述显示器与所述重量感应器及所述升降感应器相连接，用于显示所述升降杆测得的所述晶圆的重量以及所述升降杆的高度位置。优选地，所述晶圆升降装置还包括控制器，所述控制器与所述重量感应器、升降感应器及真空传送手臂相连接，当所述若干个升降杆测得的所述晶圆对各所述升降杆产生的重量概呈相等，且所述升降感应器测得的所述若干个升降杆的高度位置均到达目标高度时，所述控制器启动并控制所述真空传送手臂，抓取所述晶圆。优选地，所述晶圆升降装置还包括报警器，所述报警器与所述控制器相连接，当所述若干个升降杆测得的所述晶圆对各所述升降杆产生的重量不等或所述升降感应器测得的所述若干个升降杆的高度位置未到达目标高度时，所述控制器启动所述报警器。优选地，所述晶圆升降装置还包括普通型升降杆。如上所述，本技术的晶圆升降装置，具有以下有益效果：晶圆升降装置即可以用于承载及升降晶圆又可以确认升降杆上方是否具有晶圆，解决由于反应腔室内发生破片时，由真空传送手臂所引起的撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆，造成整个反应腔室的污染以及机器down机的问题，从而降低生产成本以及提高工作效率。附图说明图1显示为实施例一中的晶圆升降装置的结构示意图。图2显示为实施例一中的升降杆的分布结构示意图。图3显示为实施例二中的晶圆升降装置的结构示意图。图4显示为实施例二中的升降杆及普通型升降杆的分布结构示意图。元件标号说明100升降杆101普通型升降杆200静电吸盘300晶圆400重量感应器500升降感应器600控制器700显示器800报警器900真空传送手臂具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1至图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例一如图1所示，本实施例提供一种晶圆升降装置，包括：若干个升降杆100、若干个重量感应器400、若干个升降感应器500、控制器600、显示器700以及报警器800。具体的，所述若干个升降杆100位于晶圆300的下方，所述晶圆300的下方还包括静电吸盘200，所述静电吸盘200用于承载及吸附所述晶圆300。所述若干个升降杆100包括顶针、顶针基座、防松螺母及可调螺栓。当所述晶圆300在反应腔室内未完成等离子放电时，所述若干个升降杆100位于所述静电吸盘200的下方，所述顶针上表面低于所述静电吸盘200的上表面；当所述晶圆300在反应腔室内完成刻蚀，经过等离子放电后，位于所述静电吸盘200下方的所述若干个升降杆100的所述顶针升起，所述顶针上表面高于所述静电吸盘200的上表面，将所述晶圆300顶起，所述若干个升降杆100用于承载及升降位于其上方的所述晶圆300。具体的，所述若干个升降杆100内部连接有感应线路，所述感应线路与与之相对应的所述重量感应器400相连接，用于检测位于所述若干个升降杆100上的所述晶圆300对各所述升降杆100所产生的重量，所述若干个升降感应器500用于测试与之相对应的所述升降杆100的高度位置。作为示例，所述升降杆100的个数范围介于2～10，本实施例中，由于仅包括所述升降杆100，因此所述升降杆100的个数必须满足构成一水平面，即所述升降杆100的所述顶针的顶端处于同一水平面上，以便于承载所述晶圆300，本实施例优选所述升降杆100的个数为3，以形成结构稳定的正三角形水平面，且所述正三角形水平面的中心与所述晶圆300的中心重合，如图2所示，显示为本实施例中升降杆的分布结构示意图。在另一实施例中，也可包含其他类型的升降杆，所述升降杆100的个数以及所围成的图形形貌可根据具体需要进行选择，此处不作限制。作为示例，所述控制器600与所述若干个重量感应器400、若干个升降感应器500、显示器700、报警器800以及位于传送腔体内的所述真空传送手臂900相连接。具体的，所述若干个重量感应器400置于反应腔室左下方与所述若干个升降感应器500放置在一起，所述重量感应器400及所述升降感应器500的个数与所述升降杆100的个数相对应设置。所述若干个重量感应器400及所述若干个升降感应器500通过导线与所述控制器600相连接，所述若干个升降杆100将测得的位于其上方的所述晶圆300的重量以及由所述若干个升降感应器500测得的与之相对应的所述升降杆100的高度位置的信息反馈给所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆升降装置，其特征在于，所述晶圆升降装置包括：若干个升降杆，设置于所述晶圆的反应腔室内，用于承载及升降所述晶圆；若干个重量感应器，与各所述升降杆相对应设置，分别用于检测位于所述升降杆上的所述晶圆对各所述升降杆所产生的重量。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆升降装置，其特征在于，所述晶圆升降装置包括：若干个升降杆，设置于所述晶圆的反应腔室内，用于承载及升降所述晶圆；若干个重量感应器，与各所述升降杆相对应设置，分别用于检测位于所述升降杆上的所述晶圆对各所述升降杆所产生的重量。2.根据权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于：所述升降杆的个数范围介于2～10。3.根据权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于：所述若干个升降杆的顶端处于同一水平面上。4.根据权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于：所述若干个升降杆的顶端围成一正三角形，且所述正三角形的中心与所述晶圆的中心重合。5.根据权利要求1所述的晶圆升降装置，其特征在于：所述晶圆升降装置还包括升降感应器，所述升降感应器用于测试所述升降杆的高度位置。6.根据权利要求5所述的晶圆升降装置，其特征在于：所述晶圆升降装置还包括显示器，所述显示器与所述重量...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛荣华，阚保国，刘家桦，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32