一种新型传感器单晶硅刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种新型传感器单晶硅刻蚀装置，包括：反应箱、气源室、进气管、出气管、抽气装置、片架、旋转电机、固定座、立柱、滚动球、环形托架、隔热衬套、电磁线圈，反应箱的底壁上连接一根出气管，出气管另一端与抽气装置连接，旋转电机输出轴向上穿过反应箱底壁后末端固接一个固定座，片架固接在固定座上端面处，固定座下端面上周向均匀地固接有四根立柱，且每个立柱的下端均转动安装一个滚动球，滚动球下端置于环形槽内，反应箱外壁上固接有若干环形托架，每个环形托架上端面处均开有一个环形凹槽，环形凹槽槽底及两侧壁上均固设有隔热衬套，电磁线圈嵌装环形凹槽内。本实用新型专利技术具有结构新颖、使用寿命长的优点。

A new type of monocrystalline silicon etching device for sensor

The utility model discloses a novel sensor monocrystalline silicon etching device, which comprises a reaction box, an air source chamber, an air inlet pipe, an air outlet pipe, an air exhaust device, a chip rack, a rotating motor, a fixed seat, a column, a rolling ball, an annular bracket, an insulating bush, an electromagnetic coil, and an air outlet pipe connected to the bottom wall of the reaction box, and an air outlet pipe. The other end is connected with the air extracting device, and the output of the rotating motor is axially connected with a fixed seat through the rear end of the bottom wall of the reaction box, and the sheet holder is fixed at the upper end face of the fixed seat. The lower end face of the fixed seat is circumferentially and evenly fixed with four columns, and the lower end of each column is rotated to install a rolling ball, and the lower end of the rolling ball is placed in a ring shape. In the groove, a number of ring brackets are fixed on the outer wall of the reaction box, and an annular groove is arranged at the upper end face of each ring bracket. Insulation bushes are fixed at the bottom of the annular groove and on both sides of the groove wall, and the electromagnetic coil is embedded in the annular groove. The utility model has the advantages of novel structure and long service life.

【技术实现步骤摘要】
一种新型传感器单晶硅刻蚀装置
本技术涉及一种新型传感器单晶硅刻蚀装置，应用于传感器加工

技术介绍
刻蚀技术是在半导体工艺中，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，在传感器单晶硅加工过程中，均需对其进行刻蚀处理，通常将单晶硅置于旋转的片架上，然后向片架所在位置导入反应气体，使反应气体在电场环境下产生等离子体，现有的传感器单晶硅刻蚀装置存在以下缺陷：一是长期使用后，片架会发生一定量的偏移，造成刻蚀效果变差；二是刻蚀过程中，反应容器内会产生高温气体，受高温气体影响，设置在反应容器外侧的电磁线圈可能发生松动，进而影响刻蚀精度。
技术实现思路
为解决现有技术方案的缺陷，本技术公开了一种新型传感器单晶硅刻蚀装置，具有结构新颖、刻蚀精度高的优点。本技术公开了一种新型传感器单晶硅刻蚀装置，包括：反应箱、气源室、进气管、出气管、抽气装置、片架、旋转电机、固定座、立柱、滚动球、环形托架、隔热衬套、电磁线圈，所述反应箱与气源室之间通过进气管连接，所述反应箱的底壁上连接一根出气管，所述出气管不与反应箱连接的另一端与抽气装置连接，所述旋转电机固定安装在反应箱下端面，所述旋转电机输出轴向上穿过反应箱底壁后末端固接一个固定座，所述片架固接在固定座上端面处，所述固定座下端面上周向均匀地固接有四根立柱，所述立柱竖直设置，且每个立柱的下端均转动安装一个滚动球，所述反应箱底壁上开有环形槽，所述滚动球下端置于环形槽内，所述反应箱外壁上固接有若干环形托架，所述环形托架水平设置且在竖直方向上呈层状分布，每个环形托架上端面处均开有一个环形凹槽，所述环形凹槽槽底及两侧壁上均固设有隔热衬套，所述电磁线圈嵌装在设有隔热衬套的环形凹槽内。所述抽气装置为真空泵或抽风机中的一种。所有立柱置于同一个同心圆上，其同心圆的圆心为旋转电机输出轴与固定座连接接点。所述环形托架的数目为4~6个，且电磁线圈的数目与环形托架数目相一致。由于采用上述技术方案，本技术具有以下有益优点：1、结构新颖；2、刻蚀精度高。附图说明图1是本技术一种新型传感器单晶硅刻蚀装置的结构示意图；图2是本技术中反应箱底壁处的结构示意图。其中：1-反应箱；2-气源室；3-进气管；4-出气管；5-抽气装置；6-片架；7-旋转电机；8-固定座；9-立柱；10-滚动球；11-环形托架；12-隔热衬套；13-电磁线圈；101-环形槽。具体实施方式如图1、2所示，本技术公开了一种新型传感器单晶硅刻蚀装置，包括：反应箱1、气源室2、进气管3、出气管4、抽气装置5、片架6、旋转电机7、固定座8、立柱9、滚动球10、环形托架11、隔热衬套12、电磁线圈13，所述反应箱1与气源室2之间通过进气管3连接，所述反应箱1的底壁上连接一根出气管4，所述出气管4不与反应箱1连接的另一端与抽气装置5连接，所述旋转电机7固定安装在反应箱1下端面，所述旋转电机7输出轴向上穿过反应箱1底壁后末端固接一个固定座8，所述片架6固接在固定座8上端面处，所述固定座8下端面上周向均匀地固接有四根立柱9，所述立柱9竖直设置，且每个立柱9的下端均转动安装一个滚动球10，所述反应箱1底壁上开有环形槽101，所述滚动球10下端置于环形槽101内，所述反应箱1外壁上固接有若干环形托架11，所述环形托架11水平设置且在竖直方向上呈层状分布，每个环形托架11上端面处均开有一个环形凹槽，所述环形凹槽槽底及两侧壁上均固设有隔热衬套12，所述电磁线圈13嵌装在设有隔热衬套12的环形凹槽内。所述抽气装置5为真空泵或抽风机中的一种。所有立柱9置于同一个同心圆上，其同心圆的圆心为旋转电机7输出轴与固定座8连接接点。所述环形托架11的数目为4~6个，且电磁线圈13的数目与环形托架11数目相一致。本技术是这样实施的：将单晶硅置于片架6上，通过气源室2向反应箱1内供入反应气体，旋转电机7带动固定座8以及固定座8上的片架6一起转动，在固定座8的下端面设置有立柱9，且立柱9下端转动安装有滚动球10，在转动过程中，带动立柱9一同转动，滚动球10在环形槽111内移动，由于立柱9的限制作用，提高了片架6的稳定性，同时刻蚀过程中产生的高温气体由于隔热衬套的作用，传递到电磁线圈13的热量较少，且电磁线圈13卡设在环形凹槽内，不容易发生偏移，从而可提高整体的刻蚀精度。最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术而并非限制本技术所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本技术已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本技术进行修改或等同替换；而一切不脱离本技术的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本技术的权利要求范围中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型传感器单晶硅刻蚀装置，包括：反应箱、气源室、进气管、出气管、抽气装置、片架、旋转电机、固定座、立柱、滚动球、环形托架、隔热衬套、电磁线圈，所述反应箱与气源室之间通过进气管连接，所述反应箱的底壁上连接一根出气管，所述出气管不与反应箱连接的另一端与抽气装置连接，其特征在于：所述旋转电机固定安装在反应箱下端面，所述旋转电机输出轴向上穿过反应箱底壁后末端固接一个固定座，所述片架固接在固定座上端面处，所述固定座下端面上周向均匀地固接有四根立柱，所述立柱竖直设置，且每个立柱的下端均转动安装一个滚动球，所述反应箱底壁上开有环形槽，所述滚动球下端置于环形槽内，所述反应箱外壁上固接有若干环形托架，所述环形托架水平设置且在竖直方向上呈层状分布，每个环形托架上端面处均开有一个环形凹槽，所述环形凹槽槽底及两侧壁上均固设有隔热衬套，所述电磁线圈嵌装在设有隔热衬套的环形凹槽内。

【技术特征摘要】
1.一种新型传感器单晶硅刻蚀装置，包括：反应箱、气源室、进气管、出气管、抽气装置、片架、旋转电机、固定座、立柱、滚动球、环形托架、隔热衬套、电磁线圈，所述反应箱与气源室之间通过进气管连接，所述反应箱的底壁上连接一根出气管，所述出气管不与反应箱连接的另一端与抽气装置连接，其特征在于：所述旋转电机固定安装在反应箱下端面，所述旋转电机输出轴向上穿过反应箱底壁后末端固接一个固定座，所述片架固接在固定座上端面处，所述固定座下端面上周向均匀地固接有四根立柱，所述立柱竖直设置，且每个立柱的下端均转动安装一个滚动球，所述反应箱底壁上开有环形槽，所述滚动球下端置于环形槽内，所述反应箱外壁上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张如根，
申请(专利权)人：蚌埠市龙子湖区金力传感器厂，
类型：新型
国别省市：安徽,34