The invention provides a wafer cleaning device and a wafer cleaning method. The device is used for cleaning the wafer adsorbed on the base plate. The base plate has the first surface of the wafer bearing. The wafer cleaning device comprises a plurality of deionized water nozzles, which are arranged above the first surface of the base plate. The spraying direction of each deionized water nozzle is different, and the spraying direction of each deionized water nozzle is the first. There is an angle between one surface and theta, 0 degrees < 90 degrees. By tilting the jet direction of the deionized water nozzle towards the wafer surface, the pressure of the deionized water on the residual defects on the wafer can be reduced, the intermediate defects are not easy to form, and the horizontal thrust on the defects can be increased, the defects existing in the middle can be reduced, thus greatly improving the process yield. Compared with the nozzle perpendicular to the wafer in the prior art, the wafer cleaning device does not require a longer cleaning time, thereby shortening the developing process cycle.
【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置及晶圆清洗方法
本专利技术涉及半导体工艺
,具体而言,涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。
技术介绍
传统的晶圆清洗装置如图1所示,基台10'将晶圆20'吸附于表面,去离子水通过去离子水喷嘴30'垂直喷射于晶圆表面,当去离子水垂直喷在晶圆中间时,晶圆中间受到去离子水的压力F,在晶圆中间容易形成缺陷,并且随着喷速的增加中间的缺陷数量增加。由喷口到晶片表面,重力势能(Ep=mgh)转化为动能从而推导出假定去离子水的在喷口的初速度为v0,去离子水到达晶片表面的总速度:流体力学中的驻点方程—伯努利方程:其中,P为流体中某点的压强,v为流体该点的流速,ρ为流体密度,g为重力加速度,h为该点所在的高度,C是一个常量;当取晶片表面为零势面时,去离子水对晶片中间区域的压强P,由伯努利方程得:去离子水对晶片中间区域的压力F为:其中,ΔS为受压面积,r是喷管半径,h是喷管到晶片的垂直高度,压力F主要与v0的二次方有关。可见,当喷速v0增加时,压力F迅速增加,导致晶片中间的缺陷数量急剧增加。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法,以解决现有技术中的去离子水喷嘴易对晶圆造成缺陷的问题。为了实现上述目的,根据本专利技术的一个方面,提供了一种晶圆清洗装置,用于对基台吸附的晶圆进行清洗,基台具有承载晶圆的第一表面,晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴,去离子水喷嘴设置于基台的第一表面上方,各去离子水喷嘴的喷射方向不同,且各去离子水喷嘴的喷射方向与第一表面之间具有夹角θ,0°<θ<90°。进一步地,去离子水喷嘴为两个,一个去离子水喷嘴具有第一 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置,用于对基台(10)吸附的晶圆(20)进行清洗,所述基台(10)具有承载所述晶圆(20)的第一表面,其特征在于,所述晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴(30),所述去离子水喷嘴(30)设置于所述基台(10)的第一表面上方,各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向不同,且各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向与所述第一表面之间具有夹角θ,0°<θ<90°。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置,用于对基台(10)吸附的晶圆(20)进行清洗,所述基台(10)具有承载所述晶圆(20)的第一表面,其特征在于,所述晶圆清洗装置包括多个去离子水喷嘴(30),所述去离子水喷嘴(30)设置于所述基台(10)的第一表面上方,各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向不同,且各所述去离子水喷嘴(30)的喷射方向与所述第一表面之间具有夹角θ,0°<θ<90°。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述去离子水喷嘴(30)为两个,一个所述去离子水喷嘴(30)具有第一出水口,另一个所述去离子水喷嘴(30)具有第二出水口,所述第一出水口和所述第二出水口均靠近所述第一表面,所述基台(10)具有相对的第一侧和第二侧,所述第一出水口位于所述第一侧,所述第一出水口的喷射方向朝向所述第二侧,所述第二出水口位于所述第二侧,所述第二出水口的喷射方向朝向所述第一侧,且所述第一喷射方向与所述第二喷射方向在所述第一表面所在平面上的投影平行。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一出水口的外侧与所述第二出水口的外侧相互抵接。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:马玲,韦亚一,徐步青,董立松,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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