The invention provides a one-time programmable capacitive fuse position, which comprises an upper electrode plate 3, the upper electrode plate comprises a number of fuses arranged side-by-side spaced and connected in the middle of the adjacent two fuses, and the two ends and the upper space of each fuse are respectively provided with a connecting part connected with the fuse. A lower plate 2 corresponding to the two ends and the middle of the fuse is provided in the lower space of the fuse; a lower plate corresponding to the middle of the fuse has a positive area with a connection portion corresponding to the middle of the fuse; a lower plate corresponding to the middle of the fuse and a lower plate corresponding to the two ends of the fuse. A hollow part 4 is arranged between the plates, and the projection of the edge of the two ends of the fuse is located in the hollow part. The fuse structure of the invention adopts the upper plate of MIM, which is thinner than the level of metal connection, and the fuse current needed is not larger than the metal connection fuse.
【技术实现步骤摘要】
一次性可编程电容型熔丝位及存储器
本专利技术涉及一种熔丝,具体涉及一种一次性可编程电容型熔丝位及存储器。
技术介绍
通过一次性编程后的熔丝单元,在失去电源的情况下仍能保持存储的数据,此特性称为非易失性。当今先进工艺下,流片成本和芯片的调试成本增加,所以会设计非易失性存储单元来存储调试后的信息,一是为了弥补工艺波动造成的电路性能偏差,都需要对成品集成电路进行单片数据配置来达到最好的性能,二是配置工作模式,运行状态等,熔丝单元就很好的解决了这个数据的存储问题。传统的熔丝单元主要采用多晶硅或者金属引线的大电流熔断,且通过读取是否开路或短路来获得存储的固化信息。传统的熔丝单元占用芯片面积大,采用金属引线的熔断电流大,由于采用读取电阻阻值,会设计下拉或者上拉MOS电阻偏置电路,增加系统功耗。在先进工艺,比如0.18um工艺下,出现反熔丝设计,该反熔丝是通过设计击穿MOS器件的栅氧化层使其变成一个电阻来存储信息。优点是比传统的熔丝相同面积能存储更多的数据,缺点是电路设计复杂,包含有基准电路,电平转换电路,电荷泵电路等,且还是会消耗系统芯片设计版图的面积。传统的熔丝采用多晶硅设计的缺点是占用设计面积大,且通过电阻读取,会设计电平转换电路或者采用高耐压器件。因为写数据时候会在熔丝两端施加高压,使其通过大电流,熔丝单元自身的电阻上表现高功率发热使其熔断,施加高压时候要对链接的电路进行保护,避免把读取等电路烧坏。多晶硅比金属引线要薄,需要的熔断电流比金属引线的熔丝要小,金属引线的熔丝厚度是流片工艺决定,一般工艺为了降低金属连线的自身电阻,都会设计得很厚,熔断需要更大的电流,只 ...
【技术保护点】
1.一种一次性可编程电容型熔丝位,其特征在于,该熔丝位包括上极板(3),所述上极板包括若干并排间隔设置的熔丝(5),相邻两熔丝的中部连接;每个所述熔丝的两端部和中部的上部空间分别对应设置一与熔丝连接的连接部;该熔丝位还包括对应于所述熔丝两端部和中部设置的下极板(2),所述下极板设置于熔丝的下部空间;对应于所述熔丝中部的下极板与对应于所述熔丝中部的连接部具有正对面积;对应于所述熔丝中部的下极板与对应于所述熔丝两端部的下极板间具有镂空部(4),所述熔丝的两端部的边缘的投影位于镂空部内。
【技术特征摘要】
1.一种一次性可编程电容型熔丝位,其特征在于,该熔丝位包括上极板(3),所述上极板包括若干并排间隔设置的熔丝(5),相邻两熔丝的中部连接;每个所述熔丝的两端部和中部的上部空间分别对应设置一与熔丝连接的连接部;该熔丝位还包括对应于所述熔丝两端部和中部设置的下极板(2),所述下极板设置于熔丝的下部空间;对应于所述熔丝中部的下极板与对应于所述熔丝中部的连接部具有正对面积;对应于所述熔丝中部的下极板与对应于所述熔丝两端部的下极板间具有镂空部(4),所述熔丝的两端部的边缘的投影位于镂空部内。2.根据权利要求1所述的一种一次性可编程电容型熔丝位,其特征在于,所述熔丝均为长方形板状结构。3.根据权利要求2所述的一种一次性可编程电容型熔丝位,其特征在于,相邻两熔丝平行设置。4.根据权利要求3所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐鸣远,要水琴,李梁,沈晓峰,杨洪锐,王健安,付东兵,陈光炳,黄兴发,陈玺,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十四研究所,
类型:发明
国别省市:重庆,50
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