电熔丝电路及熔丝单元结构制造技术

本发明专利技术涉及一种电熔丝电路，涉及半导体器件，包括：一编程器件，包括一第一端、一第二端和一控制端，所述第二端接地，所述控制端用于接收控制信号；以及一熔丝单元，所述熔丝单元包括一第一熔丝支路和一第二熔丝支路，所述第一熔丝支路与所述第二熔丝支路并联连接形成一第一连接端点和一第二连接端点，所述第一连接端点连接所述编程器件的所述第一端，所述第二连接端点连接一电压源，且每一所述熔丝支路包括至少一熔丝部分，所述熔丝部分包括一第一电极、一第二电极及一熔丝线，所述第一电极与第二电极通过所述熔丝线连接；以减小熔丝单元阻值的波动。

【技术实现步骤摘要】
电熔丝电路及熔丝单元结构
本专利技术涉及一种半导体器件，尤其涉及一种电熔丝电路。
技术介绍
随着半导体工业的发展，对电子装置的高速化、高精度及高稳定的要求越来越严格。电熔丝电路作为一种半导体器件在通信设备、计算机等的处理器中得到广泛应用，且对其性能的要求也越来越高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电熔丝电路，以大大减小单个熔丝部分因工艺偏差而影响熔丝单元编程前及编程后的良率的几率，且减小了不同硅片间的熔丝单元编程前及编程后阻值的波动范围。本专利技术提供的一种电熔丝电路，包括：一编程器件，包括一第一端、一第二端和一控制端，所述第二端接地，所述控制端用于接收一控制信号；以及一熔丝单元，所述熔丝单元包括一第一熔丝支路和一第二熔丝支路，所述第一熔丝支路与所述第二熔丝支路并联连接形成一第一连接端点和一第二连接端点，所述第一连接端点连接所述编程器件的所述第一端，所述第二连接端点连接一电压源，且每一所述熔丝支路包括至少一熔丝部分，所述熔丝部分包括一第一电极、一第二电极及一熔丝线，所述第一电极与第二电极通过所述熔丝线连接。更进一步的，所述第一连接端点为阴极电极端，所述第二连接端点为阳极电极端。更进一步的，所述第一熔丝支路包括一第一熔丝部分和一第二熔丝部分，所述第一熔丝部分的阴极连接所述第二熔丝部分的阳极，所述第二熔丝支路包括一第三熔丝部分和一第四熔丝部分，所述第三熔丝部分的阴极连接所述第四熔丝部分的阳极，且所述第一熔丝部分的阳极连接所述第三熔丝部分的阳极以形成所述第二连接端点，所述第二熔丝部分的阴极连接所述第四熔丝部分的阴极以形成所述第一连接端点。更进一步的，每一所述熔丝支路包括的所述熔丝部分的个数相同。更进一步的，所述熔丝部分的连接方式相同。更进一步的，所述每一熔丝支路包括一个熔丝部分，所述第一熔丝支路内的熔丝部分的阴极与所述第二熔丝支路内的熔丝部分的阴极连接以形成所述第一连接端点，所述第一熔丝支路内的熔丝部分的阳极与所述第二熔丝支路内的熔丝部分的阳极连接以形成所述第二连接端点。本专利技术还提供一种熔丝单元结构，包括：一第一熔丝支路结构，包括一第一阴极区和一第一阳极区；一第二熔丝支路结构，包括一第二阴极区和一第二阳极区；一第一连接布线，所述第一连接布线的一端连接所述第一阴极区，所述第一连接布线的另一端连接所述第二阴极区以构成所述熔丝单元结构的阴极区；以及一第二连接布线，所述第二连接布线的一端连接所述第一阳极区，所述第二连接布线的另一端连接所述第二阳极区以构成所述熔丝单元结构的阳极区。更进一步的，所述第一熔丝支路结构还包括一第一熔丝线布线，所述第一熔丝线布线连接所述第一阴极区和所述第一阳极区；所述第二熔丝支路结构还包括一第二熔丝线布线，所述第二熔丝线布线连接所述第二阴极区和所述第二阳极区。更进一步的，所述第一熔丝支路结构还包括第三阳极区、第三阴极区、第三熔丝线布线和第三连接布线，所述第一熔丝线布线的一端连接所述第一阴极区，所述第一熔丝线布线的另一端依次通过所述第三阳极区、所述第三连接布线、所述第三阴极区和所述第三熔丝线布线连接所述第一阳极区；所述第二熔丝支路结构还包括第四阳极区、第四阴极区、第四熔丝线布线和第四连接布线，所述第二熔丝线布线的一端连接所述第二阴极区，所述第二熔丝线布线的另一端依次通过所述第四阳极区、所述第四连接布线、所述第四阴极区和所述第四熔丝线布线连接所述第二阳极区。更进一步的，所述第三熔丝线布线通过一中间部件连接所述第一阳极区；所述第四熔丝线布线通过一中间部件连接所述第二阳极区。更进一步的，所述第一阴极区与所述第二阴极区的形状、尺寸和材料相同；所述第一阳极区与所述第二阳极区的形状、尺寸和材料相同；所述第一熔丝线布线与所述第二熔丝线布线的形状、尺寸和材料相同。更进一步的，所述第一阴极区与所述第二阴极区的形状、尺寸和材料相同；所述第一阳极区与所述第二阳极区的形状、尺寸和材料相同；所述第一熔丝线布线与所述第二熔丝线布线的形状、尺寸和材料相同；所述第三阳极区与所述第四阳极区的形状、尺寸和材料相同；所述第三阴极区与所述第四阴极区的形状、尺寸和材料相同；所述第三熔丝线布线与所述第四熔丝线布线的形状、尺寸和材料相同；所述第三连接布线与所述第四连接布线的形状、尺寸和材料相同。本专利技术提供的电熔丝电路，通过提供包括多个熔丝支路并联的熔丝单元，大大减小了单个熔丝部分因工艺偏差而影响熔丝单元编程前及编程后的良率的几率，且减小了不同硅片间的熔丝单元编程前及编程后阻值的波动范围。附图说明图1为一种电熔丝电路示意图。图2为一种熔丝部分示意图。图3为电熔丝电路的熔丝部分编程前的阻值示意图。图4为电熔丝电路的熔丝部分编程后的阻值示意图。图5为本专利技术一实施例的电熔丝电路示意图。图6为本专利技术一实施例的熔丝单元结构的示意图。图7为本专利技术另一实施例的熔丝单元结构的示意图。图中主要元件附图标记说明如下：520、熔丝单元；521、第一熔丝支路；522、第二熔丝支路；5211、第一熔丝部分；5212、第二熔丝部分；5221、第三熔丝部分；5222、第四熔丝部分；100、编程器件；102、第一端；104、第二端；106、控制端。具体实施方式下面将结合附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，图1为一种电熔丝电路示意图。如图1所示，电熔丝电路包括编程器件100和熔丝部分120。并请参阅图2，图2为一种熔丝部分示意图。如图2所示，熔丝部分120包括第一电极122、第二电极124及连接第一电极122与第二电极124的熔丝线126。第一电极122、第二电极124及熔丝线126一体成型，或为分立部分并通过连接件连接。其中，第一电极122可为阴极，第二电极124可为阳极。熔丝线126为电可编程材料。编程器件100为一可控的开关器件，包括第一端102、第二端104和控制端106，如场效应晶体管(MOSFET)，第一端102为漏极，第二端104为源极，控制端106为栅极。如图1所示的电熔丝电路，编程器件100的第一端102连接熔丝部分120的第一电极122，编程器件100的第二端104接地(GND)，熔丝部分120的第二电极124连接一电压源(VDD)，编程器件100的控制端106接收一控制信号。通过向控制端106施加一控制信号，向第二电极124与第二端104之间施加一电压可以改变流经熔丝线126的电流强度，并引起熔丝线126内的电子迁移，而使熔丝部分120处于编程前的低阻状态或编程后的高阻状态，而得到广泛应用。其中，一般希望编程前的低阻状态的阻值在70欧姆至140欧姆之间，而编程后的高阻状态的阻值到达5000欧姆以上。然而，由于在不同批次，同一批次不同硅片，甚至是同一硅片的不同位置，工艺总有差别。这种工艺偏差就会使得熔丝部分120在编程前或编程后的阻止不在希望范围内，且不同熔丝部分之间的偏差比较大。请参阅图3，图3为电熔丝电路的熔丝部分编程前的阻值示意图。如图3所示，请参考“改进前”的阻值，在一定工艺条件下，由于硅片片内工艺偏差，同一硅片(如硅片2、4……12)上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电熔丝电路，其特征在于，包括：一编程器件，包括一第一端、一第二端和一控制端，所述第二端接地，所述控制端用于接收一控制信号；以及一熔丝单元，所述熔丝单元包括一第一熔丝支路和一第二熔丝支路，所述第一熔丝支路与所述第二熔丝支路并联连接形成一第一连接端点和一第二连接端点，所述第一连接端点连接所述编程器件的所述第一端，所述第二连接端点连接一电压源，且每一所述熔丝支路包括至少一熔丝部分，所述熔丝部分包括一第一电极、一第二电极及一熔丝线，所述第一电极与第二电极通过所述熔丝线连接。

【技术特征摘要】
1.一种电熔丝电路，其特征在于，包括：一编程器件，包括一第一端、一第二端和一控制端，所述第二端接地，所述控制端用于接收一控制信号；以及一熔丝单元，所述熔丝单元包括一第一熔丝支路和一第二熔丝支路，所述第一熔丝支路与所述第二熔丝支路并联连接形成一第一连接端点和一第二连接端点，所述第一连接端点连接所述编程器件的所述第一端，所述第二连接端点连接一电压源，且每一所述熔丝支路包括至少一熔丝部分，所述熔丝部分包括一第一电极、一第二电极及一熔丝线，所述第一电极与第二电极通过所述熔丝线连接。2.根据权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，所述第一连接端点为阴极电极端，所述第二连接端点为阳极电极端。3.根据权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，所述第一熔丝支路包括一第一熔丝部分和一第二熔丝部分，所述第一熔丝部分的阴极连接所述第二熔丝部分的阳极，所述第二熔丝支路包括一第三熔丝部分和一第四熔丝部分，所述第三熔丝部分的阴极连接所述第四熔丝部分的阳极，且所述第一熔丝部分的阳极连接所述第三熔丝部分的阳极以形成所述第二连接端点，所述第二熔丝部分的阴极连接所述第四熔丝部分的阴极以形成所述第一连接端点。4.根据权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，每一所述熔丝支路包括的所述熔丝部分的个数相同。5.根据权利要求4所述的电熔丝电路，其特征在于，所述熔丝部分的连接方式相同。6.根据权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，所述每一熔丝支路包括一个熔丝部分，所述第一熔丝支路内的熔丝部分的阴极与所述第二熔丝支路内的熔丝部分的阴极连接以形成所述第一连接端点，所述第一熔丝支路内的熔丝部分的阳极与所述第二熔丝支路内的熔丝部分的阳极连接以形成所述第二连接端点。7.一种熔丝单元结构，其特征在于，包括：一第一熔丝支路结构，包括一第一阴极区和一第一阳极区；一第二熔丝支路结构，包括一第二阴极区和一第二阳极区；一第一连接布线，所述第一连接布线的一端连接所述第一阴极区，所述第一连接布线的另一端连接所述第二阴极区以构成所述熔丝单元结构的阴极区；以及一第二连接布线，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昌锋，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31