【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质。
技术介绍
1、在空间站环境中工作的航天电子器件会受到各类辐射粒子的影响，从而诱发辐射缺陷，辐射缺陷会导致器件电学参数的退化，严重的甚至功能失效，对航天器的可靠运行构成巨大威胁。在现有研究中，电子器件辐射缺陷的退火通常采用常温退火或者将被测器件放置于老化箱等装置中进行高温退火的方法。常温退火的局限性在于多种辐射缺陷的退火具有极大的温度依赖性，如界面陷阱电荷发生大量退火的温度通常高于100℃，而在室温下退火过程则变得极为缓慢甚至无法发生退火，因此常温退火通常具有较高的时间成本。利用老化箱等装置进行高温退火可以加速辐射缺陷的退火速率，其局限性在于无法在辐照后对器件进行原位退火，且在退火过程中需将整个被测器件置于高温环境，在长时间退火过程中，将会导致键合引线、封装管壳失效等额外的可靠性风险。
2、因此，如何在不依赖温度的情况下，快速对辐照后的双极晶体管进行原位辐射退火，是目前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供一种双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质，以解决上述技术问题。
2、为达到上述目的及其他相关目的，本申请提供的技术方案如下。
3、在第一方面，本专利技术提供了一种双极晶体管辐射缺陷退火方法，包括：
4、获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管；
5、对所述样本双极晶体管的基极与集电极
6、对所述待退火双极晶体管进行辐照，基于所述辐射退火条件对辐照后的待退火双极晶体管进行退火处理，得到退火双极晶体管。
7、于本专利技术的一实施例中，对所述样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对所述样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，包括：对所述样本双极晶体管的基极与集电极之间施加所述偏置电压，并对所述样本双极晶体管的发射极施加初级电流密度的电流，持续时间为第一预设时间；对所述初级电流密度进行逐级递增处理，得到多级电流密度；控制所述偏置电压不变，将所述多级电流密度的电流施加到所述双极晶体管的发射极，持续时间为所述第一预设时间，得到多级电流密度下的待测样本双极晶体管。
8、于本专利技术的一实施例中，在得到多级电流密度下的待测样本双极晶体管之后，还包括：对每一级电流密度下的待测样本双极晶体管进行gummel特性测试，得到多组样本双极晶体管的基极电流变化量。
9、于本专利技术的一实施例中，所述多组样本双极晶体管的基极电流变化量的确定方式，包括：对逐级递增的电流密度下的待测样本双极晶体管进行gummel特性测试，直至递增的电流密度等于电流密度上限阈值，得到每一级电流密度下的基极电流变化量，以此形成所述多组样本双极晶体管的基极电流变化量。
10、于本专利技术的一实施例中，对所述待退火双极晶体管进行辐照之前，包括：将所述待退火双极晶体管放置于样本台；调整辐照源与所述待退火双极晶体管的距离确定辐照剂量率；基于所述辐照源的位置调整所述样本台的相对位置，使所述待退火双极晶体管均处于所述辐照源的照射下。
11、于本专利技术的一实施例中，将辐射退火条件作用于辐照后的待退火双极晶体管，得到退火双极晶体管，包括：将所述辐射退火条件施加到辐照后的待退火双极晶体管并维持第二预设时间，得到所述退火双极晶体管。
12、在第二方面，本专利技术还提供一种双极晶体管辐射缺陷退火装置，包括：采集模块，用于获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管；条件确定模块，用于对所述样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对所述样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，若所述样本双极晶体管的基极电流变化量随所述电流密度的增大而减小基极电流变化量预设趋势，则将对应的所述电流密度及所述偏置电压设置为辐射退火条件；退火模块，用于对所述待退火双极晶体管进行辐照，基于所述辐射退火条件对辐照后的待退火双极晶体管进行退火处理，得到退火双极晶体管。
13、在第三方面，本专利技术还提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述一个或多个处理器实现如上述实施例中所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法。
14、在第四方面，本专利技术还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序被计算机的处理器执行时，使计算机执行如上述实施例中所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法。
15、本专利技术提供一种双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管；对样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，当样本双极晶体管的基极电流变化量随电流密度的增大而减小，将对应的电流密度及偏置电压设置为辐射退火条件；对待退火双极晶体管进行辐照，基于辐射退火条件对辐照后的待退火双极晶体管进行退火处理，得到退火双极晶体管。本申请对样本双极晶体管施加复合应力，以确定双极晶体管的退火条件，将退火条件施加到辐照后的双极晶体管进行原位退火，使得双极晶体管完成退火操作，退火的操作过程不需要依赖温度，能快速使双极晶体管完成原位退火，提高了器件的可靠性。
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1.一种双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，对所述样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对所述样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，包括：
3.根据权利要求2所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，在得到多级电流密度下的待测样本双极晶体管之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，所述多组样本双极晶体管的基极电流变化量的确定方式，包括：
5.根据权利要求1所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，对所述待退火双极晶体管进行辐照之前，包括：
6.根据权利要求5所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，将辐射退火条件作用于辐照后的待退火双极晶体管，得到退火双极晶体管，包括：
7.一种双极晶体管辐射缺陷退火装置，其特征在于，包括：
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，当所述计
...【技术特征摘要】
1.一种双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，对所述样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对所述样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，包括：
3.根据权利要求2所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，在得到多级电流密度下的待测样本双极晶体管之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，所述多组样本双极晶体管的基极电流变化量的确定方式，包括：
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏佳男，付晓君，张培健，陈杰，易孝辉，张小磊，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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