The present invention provides a method for preparing a flash memory unit and a semiconductor structure. Firstly, the length range of a floating gate in the flash memory unit to be formed is determined, then the dielectric layer and the floating gate layer are etched to form a first opening, the cross-section width at the bottom of the first opening is measured, and the polysilicon is filled in the first opening. Material; removing the medium layer to form a second opening; selecting the section width of the first side wall according to the length range of the floating gate and the section width at the bottom of the first opening, and forming the first side wall at the side wall of the second opening. When a floating gate is formed by separating different flash memory units, the floating gate layer at the bottom of the first side wall is etched with the first side wall as a mask. The length of the floating gate is adjusted by adjusting the sectional width of the first side wall to ensure that the formed floating gate is within its length range and to avoid the performance change of the device.
【技术实现步骤摘要】
闪存单元及半导体结构的制备方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种闪存单元及半导体结构的制备方法。
技术介绍
闪存(FlashMemory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。闪存中的浮栅的长度至关重要,其决定了闪存能够存储电荷量的多少,然而现有的形成闪存的工艺中,浮栅的长度难以控制,导致器件的性能发生改变。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闪存单元及半导体结构的制备方法,以解决现有技术中浮栅的长度难以控制等问题。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种闪存单元的制备方法,所述闪存单元的制备方法包括:确定待形成的闪存单元中浮栅的长度范围;提供衬底,所述衬底上依次形成有浮栅层及介质层;刻蚀所述介质层及所述浮栅层,形成第一开口,所述第一开口暴露出所述衬底;测量所述第一开口底部的截面宽度,并在所述第一开口中填充多晶硅材料;去除所述介质层,形成第二开口;根据所述浮栅的长度范围及所述第一开口底部的截面宽度选择第一侧墙的截面宽度,并在所述第二开口的侧壁形成所述第一侧墙;以所述第一侧墙为掩膜,去除所述第二开口底部的浮栅层,形成浮栅。可选的,所述浮栅的长度范围包括90nm~95nm。可选的,所述第一开口底部的截面宽度包括60nm~65nm。可选的,所述第一侧墙的截面宽度包括200埃~1000埃。可选的,所述浮栅层及所述介质层之间还形成有控制栅层。可选的,刻蚀所述介质层及所述浮栅层,形成第一开口, ...
【技术保护点】
1.一种闪存单元的制备方法,其特征在于,所述闪存单元的制备方法包括:确定待形成的闪存单元中浮栅的长度范围;提供衬底,所述衬底上依次形成有浮栅层及介质层;刻蚀所述介质层及所述浮栅层,形成第一开口,所述第一开口暴露出所述衬底;测量所述第一开口底部的截面宽度,并在所述第一开口中填充多晶硅材料;去除所述介质层,形成第二开口;根据所述浮栅的长度范围及所述第一开口底部的截面宽度选择第一侧墙的截面宽度,并在所述第二开口的侧壁形成所述第一侧墙;以所述第一侧墙为掩膜,去除所述第二开口底部的浮栅层,形成浮栅。
【技术特征摘要】
1.一种闪存单元的制备方法,其特征在于,所述闪存单元的制备方法包括:确定待形成的闪存单元中浮栅的长度范围;提供衬底,所述衬底上依次形成有浮栅层及介质层;刻蚀所述介质层及所述浮栅层,形成第一开口,所述第一开口暴露出所述衬底;测量所述第一开口底部的截面宽度,并在所述第一开口中填充多晶硅材料;去除所述介质层,形成第二开口;根据所述浮栅的长度范围及所述第一开口底部的截面宽度选择第一侧墙的截面宽度,并在所述第二开口的侧壁形成所述第一侧墙;以所述第一侧墙为掩膜,去除所述第二开口底部的浮栅层,形成浮栅。2.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法,其特征在于,所述浮栅的长度范围包括90nm~95nm。3.如权利要求2所述的闪存单元的制备方法,其特征在于,所述第一开口底部的截面宽度包括60nm~65nm。4.如权利要求2所述的闪存单元的制备方法,其特征在于,所述第一侧墙的截面宽度包括200埃~1000埃。5.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法,其特征在于,所述浮栅层及所述介质层之间还形成有控制栅层。6.如权利要求5所述的闪存单元的制备方法,其特征在于,刻蚀所述介质层及所述浮栅层,形成第一开口,所述第一开口暴露出所述衬底包括:刻蚀所述介质层,形成第一沟槽,所述第一沟槽暴露出所述控制栅层;在所述第一沟槽的侧壁形成第二侧墙;以所述第二侧墙为掩膜,刻蚀所述控制栅层,形成第二沟槽,所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈思杰,刘宪周,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。