The invention discloses a micro-arc discharge cutting device for semiconductor, which comprises a base, a column vertically fixed with a rectangular structure on the base, a driving device and a \several\ shaped worktable are arranged from top to bottom on one side of the column, and the table surface of the \several\ shaped worktable is parallel and the back is opposite to the side of the column. A sliding mechanism is arranged vertically on the side of the column, and a \several\ shaped worktable is movably connected to the sliding mechanism. An ultrasonic vibration mechanism is fixed on the \several\ shaped worktable, a cutting mechanism is fixed under the ultrasonic vibration mechanism, and a container containing electrolyte is arranged on the base, and the container is located below the ultrasonic vibration mechanism. Triangular chucks are arranged inside the device to solve the problem of uneven distribution of bubbles on the solid-liquid interface of SiC single crystal during cutting process.
【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体的微弧放电切割装置
本专利技术属于半导体材料加工装置
,涉及一种用于半导体的微弧放电切割装置。
技术介绍
随着半导体材料的不断发展,SiC作为第三代半导体材料在功率器件和IC行业的应用越来越广泛;在SiC大直径生长过程突破后,其晶片的制造过程成为了人们关注的焦点,由于SiC具有硬度高及脆性大的特点,使SiC单晶片的切割、研磨和抛光成为器件制造过程的瓶颈,尤其是切割过程,占据了整个晶片制造工作量的50%左右,切割后的晶片表面质量对后续的研磨和抛光工作以及晶片作为功率器件衬底的使用寿命具有重要影响;通常在通过将电解液放电将气体电离后形成微弧等离子体,并利用微弧产生的等离子体实现SiC单晶体的切割过程中,容易出现固-液界面气泡分布不均匀情况,会造成SiC单晶体表面出现凹坑,影响切割后的晶片表面质量;因而,急需一种SiC单晶片在切割过程中使得固-液界面气泡分布均匀的SiC单晶微弧放电装置,以获得良好的晶片加工表面质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于半导体的微弧放电切割装置,解决了现有技术中SiC单晶体在切割过程容易出现固-液界面气泡分布不均匀情况而导致SiC单晶体表面出现凹坑的问题。本专利技术所采用的技术方案是,一种用于半导体材料的微弧放电切割装置,包括底座,底座上竖直固接有长方体结构的立柱,立柱的一个侧面自上而下依次设置有驱动装置和“几”字形工作台,且“几”字形工作台的台面平行且背对于立柱侧面,立柱的侧面竖直设置有滑动机构,“几”字形工作台活动连接于滑动机构内,“几”字形工作台上固接有超声振动机构,超声振动机构下方固接有切割机构, ...
【技术保护点】
1.一种用于半导体材料的微弧放电切割装置,其特征在于,包括底座(1),底座(1)上竖直固接有长方体结构的立柱(2),所述立柱(2)的一个侧面自上而下依次设置有驱动装置和“几”字形工作台(3),且所述“几”字形工作台(3)的台面平行且背对于立柱(2)侧面,所述立柱(2)的侧面竖直设置有滑动机构,所述“几”字形工作台(3)活动连接于滑动机构内,所述“几”字形工作台(3)上固接有超声振动机构,所述超声振动机构下方固接有切割机构,所述底座(1)上还设置有装有电解液的容器(8),且所述容器(8)位于超声振动机构下方,容器(8)内部设置有三角卡盘(9)。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体材料的微弧放电切割装置,其特征在于,包括底座(1),底座(1)上竖直固接有长方体结构的立柱(2),所述立柱(2)的一个侧面自上而下依次设置有驱动装置和“几”字形工作台(3),且所述“几”字形工作台(3)的台面平行且背对于立柱(2)侧面,所述立柱(2)的侧面竖直设置有滑动机构,所述“几”字形工作台(3)活动连接于滑动机构内,所述“几”字形工作台(3)上固接有超声振动机构,所述超声振动机构下方固接有切割机构,所述底座(1)上还设置有装有电解液的容器(8),且所述容器(8)位于超声振动机构下方,容器(8)内部设置有三角卡盘(9)。2.如权利要求1所述的一种用于半导体的微弧放电切割装置,其特征在于,所述超声振动机构包括固接在“几”字形工作台(3)上的超声振子固定板(4),所述超声振子固定板(4)下表面边缘均匀固接有若干个超声振子(5)。3.如权利要求2所述的一种用于半导体的微弧放电切割装置,其特征在于,所述切割机构包括固接于所述超声振子固定板(4)下表面的刀具夹持装置(6),所述刀具夹持装置(6)上夹持有刀具(7)。4.如权利要求1所述的一种用于半导体的微弧放电切割装置,其特征在于,所述驱动装置包括竖直设置于立柱(2)任意一侧面上方的电机(10)和轴承座(11),所述轴承座(11)内设置有轴承,所述轴承座(11)下方设置有膜片连接器(12),所述电机(10)的输出轴穿过轴承内圈与膜片连接器(12)上表面连接,所述膜片连接器(12)下表面竖直固接有丝杆(13),所述丝杆(13)与“几”字形工作台(3)背面螺纹连接。5.如权利要求1所述的一种用于半导体的微弧放电切割装置,其特征在于,所述滑动机构包括并排设置于立柱(2)一表面两侧的导轨槽(14),所述“几”字形工作台(3)的两侧分别竖直设置有导轨(15),所述导轨(15)活动嵌于导轨槽(14)内。6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:李淑娟,辛彬,李斯文,路雄,
申请(专利权)人:西安理工大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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