对准标记重现清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种对准标记重现清洗装置。对准标记重现清洗装置包括基板、清洗桶、第一液管、喷嘴和真空管道。基板用于放置晶圆。清洗桶架设于晶圆的上方，清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间。第一液管位于环形空间内，第一液管的出液口对应于晶圆上的对准标记，且第一液管的出液口的大小与对准标记的大小相适配。喷嘴设于清洗桶上，喷嘴与第一液管的进液口相连通，喷嘴用于向第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂。真空管道设于清洗桶上，真空管道与环形空间相连通，真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。该对准标记重现清洗装置能够减少刻蚀剂和清洗剂的用量，减少对晶圆的二次污染。

Alignment mark reappearance cleaning device

The utility model discloses an alignment mark reappearance and cleaning device. The alignment mark reappearance cleaning device comprises a base plate, a cleaning bucket, a first liquid pipe, a nozzle and a vacuum pipeline. The substrate is used to lay the wafer. The cleaning bucket rack is positioned above the wafer, and the annular space is formed between the outer wall and the inner wall of the cleaning bucket. The liquid outlet of the first liquid tube corresponds to the alignment mark on the wafer, and the size of the liquid outlet of the first liquid tube corresponds to the alignment mark. The nozzle is arranged on the cleaning barrel, and is connected with the liquid inlet of the first liquid tube. The nozzle is used to pass etchant and cleaning agent into the first liquid tube. The vacuum pipeline is arranged on the cleaning barrel, and the vacuum pipeline is connected with the annular space. The end of the vacuum pipeline is far from the cleaning barrel for connecting to the vacuum equipment. The alignment mark re-cleaning device can reduce the amount of etchant and cleaning agent, and reduce the secondary pollution to the wafer.

【技术实现步骤摘要】
对准标记重现清洗装置
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种对准标记重现清洗装置。
技术介绍
随着半导体积体电路的集积度不断地提高，积体电路的设计也跟着越来越复杂，积体电路的决定尺寸也跟着越来越小。当半导体积体电路的制程进入0.1微米以下的制程时，因为积体电路是由多层线路图案重叠而成的，每层线路图案的对准对制程的品质有极大的影响。如图1和图2所示，在晶圆10上，一般有两个对准标记100位于晶圆边缘的位置上，其总面积大小约为450平方微米左右，对准标记100是由相互垂直的多个平行沟渠101、102排列而成。沟渠101、102之间的宽度与间距大约为8微米左右，沟渠101、102之间的深度约为0.12微米左右。因此，即使对准标记100上面覆盖有好几层的薄膜，沟渠之间所造成的起伏外形仍然可以辨识的出来。在当前的晶圆制程中，在重叠上下两层的线路图案时，通常是利用500-630nm的激光照射对准标记，利用晶圆表面反射九波所形成的光程差来辨识对准标记以完成对准。但这要求对准标记的阶梯高度必须达到一个最少值一上，如20nm以上，才能提供够清楚的对准信号，然后才进行微影蚀刻的步骤，转移光罩上的线路图案至薄膜上。然而在对准标记上的薄膜经常会或多或少地改变对准标记的起伏外形，造成对准标记的光干涉讯号中心的偏移。此外，有些材质的薄膜会吸收500-630nm的激光，使得对准标记的讯号十分不清楚。若为此而重新制造新的光罩，来去除对准标记上的薄膜，势必要花很大的制造成本与制造时间。另外，有时在制程过程中还会衍生一些其他问题。以制造浅沟渠隔离来说，在化学机械研磨过程中来去除氮化硅层上的氧化硅层：如果在化学机械研磨步骤以后才进行微影蚀刻制程，将对准标记区域上的氧化硅层蚀刻掉，对对准的影响较小；如果在化学机械研磨步骤之前就进行微影蚀刻制程，将对准标记区域上的氧化硅层蚀刻掉，则氧化硅与研浆的残渣很容易残留在对准标记的沟渠内，造成不易辨识对准标记的问题。此外，在现有技术中，利用清洗设备或者装置使对准标记重现而进行的蚀刻、清洗的工艺过程中，通常会出现刻蚀剂、清洗剂用量过大，刻蚀剂、清洗剂、以及刻蚀残渣会造成晶圆的二次污染和成品良率降低以及操作使用不方便的问题。综上，现有技术中的对准标记重现清洗装置具有刻蚀剂、清洗剂用量过大及易造成晶圆的二次污染的缺陷。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中的对准标记重现清洗装置具有刻蚀剂、清洗剂用量过大及易造成晶圆的二次污染的缺陷，提供一种对准标记重现清洗装置。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：一种对准标记重现清洗装置，用于使晶圆上的对准标记重现，其特点在于，所述对准标记重现清洗装置包括：基板，所述基板用于放置所述晶圆；清洗桶，所述清洗桶架设于所述晶圆的上方，所述清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间；第一液管，所述第一液管位于所述环形空间内，所述第一液管的出液口对应于所述晶圆上的对准标记，且所述第一液管的出液口的大小与所述对准标记的大小相适配；喷嘴，所述喷嘴设于所述清洗桶上，所述喷嘴与所述第一液管的进液口相连通，所述喷嘴用于向所述第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂；真空管道，所述真空管道设于所述清洗桶上，所述真空管道与所述环形空间相连通，所述真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。在本方案中，第一液管的出液口与晶圆上的对准标记适配，使得第一液管与对准标记对准时，第一液管的出液口能够刚好覆盖对应的对准标记，从而有利于可靠地使对准标记重现，有利于减少刻蚀剂和清洗剂的用量。另外，在刻蚀和清洗的过程中真空管道与真空设备连通，使得环形空间处于真空状态，既能够将刻蚀过程中的多余刻蚀剂及刻蚀残渣抽走，又能够将清洗过程中的清洗液和清洗残渣吸走，有利于减少对晶圆的二次污染，另外，还能够降低使对准标记重现的难度。还需要说明的是，环形空间可以增大真空吸附面积，有利于提高吸附效率。较佳地，所述第一液管的出液口与所述清洗桶的底部相齐平。在本方案中，第一液管与清洗桶的相对位置关系有利于保护第一液管，从而有利于提高使对准标记重现的可靠性，有利于提高成品的良率。另外，上述相对位置关系还有利于提高在刻蚀过程中对多余刻蚀剂及刻蚀残渣、在清洗过程中对多余清洗液及清洗残渣的处理效果，从而，有利于进一步减少对晶圆的二次污染。较佳地，所述第一液管的数量与所述对准标记的数量相同。在本方案中，一个对准标记对应一个第一液管，从而有利于提高使得对准标记重现的效率。较佳地，所述对准标记重现清洗装置还包括：干燥管道，所述干燥管道设于所述清洗桶上，所述干燥管道与所述环形空间相连通，所述干燥管道用于向所述环形空间内通入干燥剂。在本方案中，清洗过程结束后，向环形空间内通入干燥剂，对环形空间内部进行干燥，从而能够进一步降低对晶圆的二次污染，有利于提高成品的良率。较佳地，所述干燥剂为氮气。较佳地，所述真空管道和所述干燥管道均设于所述清洗桶的顶部。在本方案中，真空管道和干燥管道设于清洗桶的顶部，有利于提高真空吸附面积和干燥接触面积，从而有利于提高吸附效率和干燥效率，进而有利于进一步降低对晶圆的二次污染。较佳地，所述对准标记重现清洗装置还包括：第二液管，所述第二液管设于所述清洗桶的顶部，所述第二液管连接于所述喷嘴和所述第一液管之间，且所述喷嘴、所述第二液管和所述第一液管之间相连通。较佳地，所述喷嘴包括：第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述第二液管相连通，用于向所述第二液管内通入所述刻蚀剂；第二喷嘴，所述第二喷嘴与所述第二液管相连通，用于向所述第二液管内通入所述清洗剂。较佳地，所述基板上设有真空回路，所述晶圆通过真空吸附设于所述基板上。较佳地，所述第一液管和所述清洗桶的材质均为聚四氟乙烯。在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本技术各较佳实例。本技术的积极进步效果在于：第一液管的出液口与晶圆上的对准标记适配，使得第一液管与对准标记对准时，第一液管的出液口能够刚好覆盖对应的对准标记，从而有利于可靠地使对准标记重现，有利于减少刻蚀剂和清洗剂的用量。另外，在刻蚀和清洗的过程中真空管道与真空设备连通，使得环形空间处于真空状态，既能够将刻蚀过程中的多余刻蚀剂及刻蚀残渣抽走，又能够将清洗过程中的清洗液和清洗残渣吸走，有利于减少对晶圆的二次污染，另外，还能够降低使对准标记重现的难度。附图说明图1为晶圆的结构示意图。图2为晶圆上的对准标记的结构示意图。图3为本技术一较佳实施例的对准标记重现清洗装置的结构示意图。图4为图3中沿A-A的剖视结构示意图。图5为本技术一较佳实施例的对准标记重现清洗装置刻蚀及清洗时的示意图。图6为本技术一较佳实施例的对准标记重现清洗装置干燥时的示意图。图7为本技术一较佳实施例的使晶圆上的对准标记重现的方法。图8为本技术另一较佳实施例的使晶圆上的对准标记重现的方法。附图标记说明10晶圆100对准标记101,102沟渠20基板30清洗桶301环形空间40第一液管50喷嘴501第一喷嘴502第二喷嘴60真空管道70干燥管道80第二液管具体实施方式下面通过实施例的方式进一步说明本技术，但并不因此将本技术限制在的实施例范围之中。本实施例揭示一种对准标记重现清洗装置，该对准标记重现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对准标记重现清洗装置，用于使晶圆上的对准标记重现，其特征在于，所述对准标记重现清洗装置包括：基板，所述基板用于放置所述晶圆；清洗桶，所述清洗桶架设于所述晶圆的上方，所述清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间；第一液管，所述第一液管位于所述环形空间内，所述第一液管的出液口对应于所述晶圆上的对准标记，且所述第一液管的出液口的大小与所述对准标记的大小相适配；喷嘴，所述喷嘴设于所述清洗桶上，所述喷嘴与所述第一液管的进液口相连通，所述喷嘴用于向所述第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂；真空管道，所述真空管道设于所述清洗桶上，所述真空管道与所述环形空间相连通，所述真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。

【技术特征摘要】
1.一种对准标记重现清洗装置，用于使晶圆上的对准标记重现，其特征在于，所述对准标记重现清洗装置包括：基板，所述基板用于放置所述晶圆；清洗桶，所述清洗桶架设于所述晶圆的上方，所述清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间；第一液管，所述第一液管位于所述环形空间内，所述第一液管的出液口对应于所述晶圆上的对准标记，且所述第一液管的出液口的大小与所述对准标记的大小相适配；喷嘴，所述喷嘴设于所述清洗桶上，所述喷嘴与所述第一液管的进液口相连通，所述喷嘴用于向所述第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂；真空管道，所述真空管道设于所述清洗桶上，所述真空管道与所述环形空间相连通，所述真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。2.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述第一液管的出液口与所述清洗桶的底部相齐平。3.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述第一液管的数量与所述对准标记的数量相同。4.如权利要求1所述的对准标记重现清洗装置，其特征在于，所述对准标记重现清洗装置还包括：干燥管道，所述干燥管道设于所述清洗桶上，所述干...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，史筱超，李成克，耿志月，王卫卫，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31