一种制造技术

本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种EUV金属光刻胶及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于光刻胶
，具体涉及一种
EUV
金属光刻胶及其制备方法和应用
。

技术介绍

[0002]随着现代半导体技术的不断发展，及其在电子设备，通信设备信息安全及娱乐设备等各领域的广泛应用，使其成为当今世界最有活力的
，广泛渗透到我们工作及生活的各个方面
。
而集成电路的制作又是半导体产业的核心领域，每一次集成电路的更新换代，都离不开光刻技术的更迭，光刻技术的发展历史就是集成电路的发展历史，光刻技术的水平决定着集成电路的制造水平
。
[0003]光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线
(
一般是紫外光
、
深紫外光
、
极紫外光
)
透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应
。
此后用特定溶剂洗去被照射
/
未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移
。
光刻技术经历了接触
/
接近
、
等倍投影
、
缩小步进投影
、
扫描步进投影曝光方式的变革，曝光波长从
300
至
450nm
的全谱曝光
、
到
436nm
的
G
‑
线
、365nm
的
I
‑/>线
、248nm KrF
激光，到现在应用最广泛
193nm ArF
激光，再到目前正被广泛研究的
13.5nm
极紫外光
、
电子束和
x
‑
射线，制造节点由
0.5mm、0.1mm、90nm
到
30nm
，甚至更低
。
极紫外光刻与传统的光学光刻不同的是具有极短的波长
。
然而绝大多数元素都对极紫外有很强的吸收，使得传统的长波长光刻胶不适用于极紫外光刻，因此需要研发新的极紫外光刻胶体系
。
光刻技术是集成电路制造中最关键的技术之一，每一代光刻技术的成功运用都极大的推动了集成电路的发展，使集成电路的集成度越来越高，成本越来越低
。
光刻技术就是对涂覆在半导体基片表面的光刻胶材料进行曝光，将掩膜上的精细几何图形转移到半导体基片上的工艺流程
。
光刻图形的分辨率越来越高，也就是集成电路集成度越来越高，关键尺寸越来越小
。
[0004]目前半导体业界达成共识，极紫外光刻技术
(Extreme Ultraviolet
，
EUV
，
13.5nm)
是潜力巨大的下一代光刻技术
。
极短的波长，最终的分辨率将只是受限于光刻胶的材料性能
。
利用
EUV
光刻能够产生分辨率更高的电路图，大大提高集成电路的集成密度和电子器件的性能
。
研究适用于
EUV
光刻技术的光刻胶和光刻工艺成为光刻研究的热点和难点
。
[0005]EUV
光刻胶必须具有低吸光率
、
高透明度
、
高抗蚀刻性
、
高分辨率
、
高灵敏度
、
低曝光剂量
、
高的环境稳定性
、
低产气作用和低的线边缘粗糙度等特性
。EUV
光刻胶的发展一直受限于三个因素：分辨率
、
线边缘粗糙度和光敏性，这三者一般存在一个相互制约的关系
。
在早期的光刻技术中，高分子光刻胶应用最多，因此首先将高分子光刻胶体系应用于
EUV
光刻
。
行业亟待开发提升分辨率的
EUV
光刻胶
。

技术实现思路

[0006]本专利技术所要解决的技术问题是克服现有
EUV
光刻胶种类少，可选择性差的缺点
。
从而提供了一种
EUV
金属光刻胶组合物及其制备方法和应用
。
本专利技术所提供的光刻胶具备高分辨率
、
高灵敏度和高光敏度的特点，具备广泛的应用前景
。
[0007]本专利技术提供了一种光刻胶组合物，其包含以下组分：如下式所示的化合物
A、
如下式所示的蝶烯
B、
光产酸剂
、
有机溶剂和有机碱；
[0008][0009]所述化合物
A
以重量份数计的份数为
40
‑
60
份，所述蝶烯
B
以重量份数计的份数为
40
‑
60
份
。
[0010]所述光刻胶组合物中，所述光产酸剂可以为光刻胶领域中常规的光产酸剂，例如
[0011]所述光刻胶组合物中，所述有机溶剂可以为光刻胶领域中常规的有机溶剂，例如酯类溶剂；优选为乳酸乙酯
。
[0012]所述光刻胶组合物中，所述有机碱可以为光刻胶领域中常规的有机碱，优选为有机弱碱，例如三辛胺
。
[0013]所述光刻胶组合物中，所述化合物
A
以重量份数计的份数优选为
50
份
。
[0014]所述光刻胶组合物中，所述蝶烯
B
以重量份数计的份数优选为
50
份
。
[0015]所述光刻胶组合物中，所述光产酸剂以重量份数计的份数可以为本领域常规的份数，例如1‑
12
份，优选为9份
。
[0016]所述光刻胶组合物中，所述有机溶剂以重量份数计的份数可以为本领域常规的份数，例如
1500
‑
2500
份，优选为
2000
份
。
[0017]所述光刻胶组合物中，所述有机碱以重量份数计的份数可以为本领域常规的份数，优选为
0.2
‑1份，更优选为
0.5
份
。
[0018]在某一具体实施例中，所述光产酸剂为以重量份数计1‑
12
份的
[0019]所述有机溶剂为以重量份数计
1500
‑
2500
份的乳酸乙酯；
[0020]所述有机碱为以重量份数计
0.2
‑1份的三辛胺
。
[0021]在某一具体实施例中，所述光刻胶组合物由以下组分组成：上述化合物
A、
上述蝶烯
B、
上述光产酸剂
、
上述有机溶剂和上述有机碱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光刻胶组合物，其特征在于，包含以下组分：如下式所示的化合物
A、
如下式所示的蝶烯
B、
光产酸剂
、
有机溶剂和有机碱；所述化合物
A
以重量份数计的份数为
40
‑
60
份，所述蝶烯
B
以重量份数计的份数为
40
‑
60
份
。2.
如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物满足如下一个或多个条件；
(1)
所述光产酸剂为
(2)
所述有机溶剂为酯类溶剂；
(3)
所述有机碱为有机弱碱
。3.
如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述有机溶剂为乳酸乙酯；和
/
或，所述有机碱为三辛胺
。4.
如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物满足如下一个或多个条件；
(1)
所述化合物
A
以重量份数计的份数为
50
份；
(2)
所述蝶烯
B
以重量份数计的份数为
50
份；
(3)
所述光产酸剂以重量份数计的份数为1‑
12
份；
(4)
所述有机溶剂以重量份数计的份数为
1500
‑
2500
份；
(5)
所述有机碱以重量份数计的份数为
0.2
‑1份
。5.
如权利要求4所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物满足如下一个或多个条件；
(1)
所述光产酸剂以重量份数计的份数为9份；
(2)
所述有机溶剂以重量份数计的份数为
2000
份；
(3)
所述有机碱以重量份数计的份数为
0.5
份
。6.
如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光产酸剂为以重量份数计1‑
12
份的
所述有机溶剂为以重量份数计
1500
‑
2500
份的乳酸乙酯；所述有机碱为以重量份数计
0.2
‑1份的三辛胺
。7.
如权利要求1‑6中任一项所述光刻胶组合物，其特征在于，其由以下组分组成：所述化合物
A、
所述蝶烯
B、
所述光产酸剂
、
所述有机溶剂和所述有机碱
。8.
如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，其为由...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，方书农，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：