A semiconductor device and its forming method, wherein the method includes: providing a substrate, which comprises a first area and a second zone, the top surface of the first region is higher than the top surface of the second zone; the first optical barrier is formed on the top surface of the first region of the base, and the surface of the first photoresist and the top of the second region of the base. A second photoresist film is formed on the surface, and the thickness of the second photoresist film on the second area is larger than that of the second photoresist film on the first zone. The method described improves the performance of the semiconductor device.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
集成电路制造过程中,对覆盖于半导体衬底表面的光刻胶(PhotoResist,PR)进行曝光显影,形成图形化的光刻胶层,然后以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀半导体衬底,即采用刻蚀技术将光刻胶层中的图形转移到半导体衬底上,从而形成集成电路结构。在一种情况下,半导体衬底各区域的高度各不相同,各个区域光刻胶的阻挡能力具有较大的差别。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法,以提高半导体器件的性能。为解决上述问题,本专利技术提供一种半导体器件的形成方法,包括:提供基底,所述基底包括第一区和第二区,第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面;仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜;在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜,第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。可选的,形成所述第一光阻膜的方法包括:在基底的第一区和第二区表面形成第一光阻材料层;对第一光阻材料层进行曝光和显影以去除第二区表面的第一光阻材料层,形成所述第一光阻膜。可选的,所述基底仅包括第一区和第二区;所述第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度等于所述第二区上第二光阻膜的厚度。可选的,所述第一光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层;所述第二光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层。可选的,所述基底还包括第三区;所述第二区的顶部表面高于所述第三区的顶部表面;所述第二光阻膜暴露出所述第三区的顶部表面;所述半导体器件的形成方法还包括:在第二光阻膜的表面和基底第三区的 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括第一区和第二区,第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面;仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜;在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜,第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括第一区和第二区,第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面;仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜;在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜,第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,形成所述第一光阻膜的方法包括:在基底的第一区和第二区表面形成第一光阻材料层;对第一光阻材料层进行曝光和显影以去除第二区表面的第一光阻材料层,形成所述第一光阻膜。3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述基底仅包括第一区和第二区;所述第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度等于所述第二区上第二光阻膜的厚度。4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述第一光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层;所述第二光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层。5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述基底还包括第三区;所述第二区的顶部表面高于所述第三区的顶部表面;所述第二光阻膜暴露出所述第三区的顶部表面;所述半导体器件的形成方法还包括:在第二光阻膜的表面和基底第三区的顶部表面形成第三光阻膜,第三区上的第三光阻膜的厚度大于第二区上的第三光阻膜的厚度,且第二区上的第三光阻膜的厚度大于第一区上第三光阻膜的厚度。6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述基底仅包括第一区、第二区和第三区;所述第一区上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度,等于所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度,所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度等于所述第三区上第三光阻膜的厚度。7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:龙海凤,李天慧,藤井光一,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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