半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面；仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜；在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。所述方法提高了半导体器件的性能。

Semiconductor devices and their formation methods

A semiconductor device and its forming method, wherein the method includes: providing a substrate, which comprises a first area and a second zone, the top surface of the first region is higher than the top surface of the second zone; the first optical barrier is formed on the top surface of the first region of the base, and the surface of the first photoresist and the top of the second region of the base. A second photoresist film is formed on the surface, and the thickness of the second photoresist film on the second area is larger than that of the second photoresist film on the first zone. The method described improves the performance of the semiconductor device.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
集成电路制造过程中，对覆盖于半导体衬底表面的光刻胶(PhotoResist，PR)进行曝光显影，形成图形化的光刻胶层，然后以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀半导体衬底，即采用刻蚀技术将光刻胶层中的图形转移到半导体衬底上，从而形成集成电路结构。在一种情况下，半导体衬底各区域的高度各不相同，各个区域光刻胶的阻挡能力具有较大的差别。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面；仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜；在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。可选的，形成所述第一光阻膜的方法包括：在基底的第一区和第二区表面形成第一光阻材料层；对第一光阻材料层进行曝光和显影以去除第二区表面的第一光阻材料层，形成所述第一光阻膜。可选的，所述基底仅包括第一区和第二区；所述第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度等于所述第二区上第二光阻膜的厚度。可选的，所述第一光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层；所述第二光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层。可选的，所述基底还包括第三区；所述第二区的顶部表面高于所述第三区的顶部表面；所述第二光阻膜暴露出所述第三区的顶部表面；所述半导体器件的形成方法还包括：在第二光阻膜的表面和基底第三区的顶部表面形成第三光阻膜，第三区上的第三光阻膜的厚度大于第二区上的第三光阻膜的厚度，且第二区上的第三光阻膜的厚度大于第一区上第三光阻膜的厚度。可选的，所述基底仅包括第一区、第二区和第三区；所述第一区上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度，等于所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度，所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度等于所述第三区上第三光阻膜的厚度。可选的，还包括：对第一光阻膜和第二光阻膜进行曝光和显影，使第一区上的第一光阻膜和第二光阻膜形成图形化的第一光阻层，使第二区上的第二光阻膜形成图形化的第二光阻层。可选的，以所述第一光阻层为掩膜刻蚀基底的第一区，同时以第二光阻层为掩膜刻蚀基底的第二区；或者，以所述第一光阻层为掩膜对基底的第一区进行离子注入，同时以第二光阻层为掩膜对基底的第二区进行离子注入。本专利技术还提供一种半导体器件，包括：基底，所述基底包括第一区和第二区，第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面；仅位于基底的第一区的顶部表面的第一光阻膜；位于第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面的第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。可选的，所述基底仅包括第一区和第二区；所述第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度等于所述第二区上第二光阻膜的厚度。可选的，所述基底还包括第三区，所述第二区的顶部表面高于所述第三区的顶部表面；所述第三区的顶部表面未被第二光阻膜覆盖；所述半导体器件还包括：位于第二光阻膜的表面和基底第三区的顶部表面的第三光阻膜，第三区上的第三光阻膜的厚度大于第二区上的第三光阻膜的厚度，且第二区上的第三光阻膜的厚度大于第一区上第三光阻膜的厚度。可选的，所述基底仅包括第一区、第二区和第三区；所述第一区上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度，等于所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度，所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度等于所述第三区上第三光阻膜的厚度。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术技术方案提供的半导体器件的形成方法中，尽管第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度，但是由于在形成第二光阻膜之前，在第一区的顶部表面形成了第一光阻膜，因此能够使得第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度与第二区上第二光阻膜的厚度之间的差别较小。进而使得第一区上的第一光阻膜和第二光阻膜总的阻挡能力与第二区上第二光阻膜的阻挡能力之间的差别较小，满足工艺设计的需要，从而提高了半导体器件的性能。本专利技术技术方案提供的半导体器件中，第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度与第二区上第二光阻膜的厚度之间的差别较小。进而使得第一区上的第一光阻膜和第二光阻膜总的阻挡能力与第二区上第二光阻膜的阻挡能力之间的差别较小，满足工艺设计的需要，从而提高了半导体器件的性能。附图说明图1至图2是一种半导体器件形成过程的结构示意图；图3至图7是本专利技术一实施例中半导体器件形成过程的结构示意图；图8至图15是本专利技术一实施例中半导体器件形成过程的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有技术形成的半导体器件的性能较差。图1至图2是一种半导体器件形成过程的结构示意图。参考图1，提供基底100，所述基底100包括第一区A1和第二区A2，第一区A1的顶部表面高于第二区A2的顶部表面。第一区A1的顶部表面高于第二区A2的顶部表面，这样后续能够形成高低不平的图案。参考图2，在基底100的第一区A1和第二区A2的表面形成光阻膜120。接着，对所述光阻膜120进行曝光和显影，在基底100的第一区A1上形成第一光刻胶层，在第二区A2上形成第二光刻胶层；以第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜刻蚀基底100的第一区A1和第二区A2，或者以第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜对基底100进行离子注入。然而，上述方法形成的半导体器件的性能较差，经研究发现，原因在于：形成所述光阻膜120的工艺为旋涂工艺。由于第一区A1的顶部表面高于第二区A2的顶部表面，在旋涂光阻膜120的过程中，光阻膜120具有流动性，因此导致第二区A2上的光阻膜120的厚度远大于第一区A1上光阻膜120的厚度。相应的，第二光刻胶层的厚度远大于第一光刻胶层的厚度。第一光刻胶层和第二光刻胶层的阻挡能力之间的差别较大，第一区A1和第二区A2的离子注入效果差别较大，或者第一区A1和第二区A2的刻蚀效率差别较大。综上，难以满足工艺的需要。在此基础上，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜；在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。所述方法提高了半导体器件的性能。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图3至图7是本专利技术一实施例中半导体器件形成过程的结构示意图。参考图3，提供基底200，所述基底200包括第一区B1和第二区B2，第一区B1的顶部表面高于第二区B2的顶部表面。所述待刻蚀材料层200为后续需要刻蚀的材料层。所述待刻蚀材料层200可以为单层或多层堆叠结构。所述待刻蚀材料层200的材料可以为半导体材料，如硅、锗或锗化硅，这里不再一一举例。本实施例中，所述待刻蚀材料层200的材料为硅。所述待刻蚀材料层200中还可以形成有半导体结构，如PMOS晶体管、NMOS晶体管、电阻或电容。第一区B1的顶部表面高于第二区B2的顶部表面，这样后续能够形成高低不平的图案。接着，仅在基底200的第一区B1的顶部表面形成第一光阻膜。参考图4，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面；仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜；在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，第一区的顶部表面高于第二区的顶部表面；仅在基底的第一区的顶部表面形成第一光阻膜；在第一光阻膜的表面和基底的第二区的顶部表面形成第二光阻膜，第二区上的第二光阻膜的厚度大于第一区上的第二光阻膜的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一光阻膜的方法包括：在基底的第一区和第二区表面形成第一光阻材料层；对第一光阻材料层进行曝光和显影以去除第二区表面的第一光阻材料层，形成所述第一光阻膜。3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底仅包括第一区和第二区；所述第一区上第一光阻膜和第二光阻膜的总厚度等于所述第二区上第二光阻膜的厚度。4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层；所述第二光阻膜的材料为正性光刻胶或负性光刻胶层。5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底还包括第三区；所述第二区的顶部表面高于所述第三区的顶部表面；所述第二光阻膜暴露出所述第三区的顶部表面；所述半导体器件的形成方法还包括：在第二光阻膜的表面和基底第三区的顶部表面形成第三光阻膜，第三区上的第三光阻膜的厚度大于第二区上的第三光阻膜的厚度，且第二区上的第三光阻膜的厚度大于第一区上第三光阻膜的厚度。6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底仅包括第一区、第二区和第三区；所述第一区上第一光阻膜、第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度，等于所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度，所述第二区上第二光阻膜和第三光阻膜的总厚度等于所述第三区上第三光阻膜的厚度。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙海凤，李天慧，藤井光一，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32