薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其中数据线和源漏极的制作方法具体为：S21、分别制作数据线材料膜层和源漏极材料膜层；S22、制作光阻材料膜层；S23、采用半色调掩膜法刻蚀光阻材料膜层形成光阻层，获得第一蚀刻基板；S24、采用4 Mask工艺刻蚀第一蚀刻基板，在栅极绝缘层上形成数据线，在有源层上形成源漏极，在源漏极间形成背沟道，获得薄膜晶体管。根据本发明专利技术的制作方法通过设计线宽较大的数据线材料膜层和源漏极材料膜层，并结合半色调掩膜法形成光阻层，可有效避免数据线和源漏极的锯齿侧边，改善了铜质的数据线和源漏极的侧边干刻异物，形成正常taper角，改善了台阶覆盖性。本发明专利技术还公开了基于上述薄膜晶体管的制作方法来制作阵列基板的方法。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法
本专利技术液晶显示器制造
，具体来讲，涉及一种薄膜晶体管的制作方法，以及基于该薄膜晶体管的制作方法来制作阵列基板的方法。
技术介绍
铜制程为目前液晶面板大尺寸产品中的常用工艺，为降低阵列工艺的成本，常会搭配4Mask工艺，但搭配使用4Mask工艺时，会存在铜的侧面暴露在干刻气体氛围下的制程，从而形成铜的化合物，影响下一步的蚀刻过程，形成异常taper角和锯齿状数据线，影响台阶覆盖性。具体来讲，现有技术中的4Mask工艺一般为：先一道湿刻，再一道干刻，再一道湿刻，最后一道干刻，以获得数据线和源漏极。第一道湿刻后图案的结构示意图如图1所示；第二道干刻后图案的结构示意图如图2所示，扫描电镜图(SEM)如图3所示，可以看出，铜的侧壁会与干刻中的气体如SF6/Cl2等反应，生成铜化合物层1b；第三道湿刻后图案的结构示意图如图4所示，扫描电镜图如图5所示，可以看出，上述形成的铜化合物层的存在，会极大地影响到下一步铜的湿刻，最终形成锯齿状的侧边；第四道干刻后图案的结构示意图如图6所示。在图1、图2、图4、图6中，11表示衬底，12表示栅极，13表示栅极绝缘层，14表示有源层，15a表示数据线前驱体，15表示数据线，16a表示源漏极前驱体，161表示源极，162表示漏极，163表示形成于源极161和漏极162之间的沟道，1a表示光阻。综上可以看出，基于目前4Mask工艺的局限性，极大地影响了台阶覆盖性和良率。
技术实现思路
为解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种薄膜晶体管的制作方法，该制作方法在刻蚀形成数据线和源漏极时，通过设计线宽较大的数据线材料膜层和源漏极材料膜层，并结合半色调掩膜法来形成光阻层，从而避免数据线和源漏极形成过程中由于干法刻蚀所引起锯齿侧边。为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用了如下的技术方案：一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：S1、在衬底上依次制作栅极、栅极绝缘层和有源层；S2、在所述栅极绝缘层上制作数据线，在所述有源层上制作源漏极，并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道，获得薄膜晶体管；所述步骤S2的具体方法包括下述步骤：S21、在所述栅极绝缘层上制作数据线材料膜层，在所述有源层上制作源漏极材料膜层；S22、在所述数据线材料膜层和所述源漏极材料膜层上均制作光阻材料膜层；S23、采用半色调掩膜法刻蚀所述光阻材料膜层，形成光阻层，获得第一蚀刻基板；其中，所述数据线材料膜层上的光阻层的边缘处的厚度小于中心处的厚度，所述数据线材料膜层上的光阻层的中心处的宽度与预形成的数据线的宽度相当；并且所述源漏极材料膜层上的光阻层的边缘处和中心处的厚度均小于边缘处与中心处之间的厚度，所述源漏极材料膜层上的光阻层的中心处延伸至边缘处的宽度与预形成的源漏极的边缘间距相当；S24、采用4Mask工艺刻蚀所述第一蚀刻基板，在所述栅极绝缘层上形成所述数据线，在所述有源层上形成所述源漏极，在所述源漏极间形成所述背沟道，获得所述薄膜晶体管。进一步地，在所述步骤S23中，所述数据线材料膜层上的光阻层的中心处的宽度小于所述数据线材料膜层的宽度，所述源漏极材料膜层上的光阻层的中心处延伸至边缘处的宽度小于所述源漏极材料膜层的宽度。进一步地，所述步骤S24的具体方法为：对所述第一蚀刻基板依次进行一次湿法刻蚀和一次干法刻蚀，所述数据线材料膜层的表面和所述源漏极材料膜层的表面均形成铜化合物层，获得第二蚀刻基板；对所述第二蚀刻基板依次进行一次灰化光阻和二次湿法刻蚀，在所述栅极绝缘层上形成所述数据线，在所述有源层上形成所述源漏极，获得第三蚀刻基板；对所述第三蚀刻基板依次进行二次干法刻蚀和二次灰化光阻，所述光阻层被完全去除，并且在所述源漏极间形成所述背沟道，获得所述薄膜晶体管。进一步地，在所述一次湿法刻蚀和所述二次湿法刻蚀中，刻蚀液为铜酸。进一步地，在所述一次干法刻蚀和所述二次干法刻蚀中，刻蚀气体为SF6/Cl2。进一步地，在所述一次灰化光阻和所述二次灰化光阻中，灰化气体为O2。本专利技术的另一目的在于提供一种阵列基板的制作方法，至少包括如上任一所述的薄膜晶体管的制作方法。本专利技术通过设计线宽较大的数据线材料膜层和源漏极材料膜层，并结合半色调掩膜法来形成光阻层，由此，当后续采用4Mask工艺刻蚀时，经一次干法刻蚀形成在铜膜(数据线材料膜层和源漏极材料膜层)表面的铜化合物层则不会影响数据线和源漏极的形状，即有效避免了现有技术中数据线和源漏极的锯齿侧边，改善了铜质的数据线和源漏极的侧边干刻异物，形成正常taper角，改善了台阶覆盖性。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是现有技术4Mask工艺中第一道湿刻工艺后的结构示意图；图2是现有技术4Mask工艺中第二道干刻工艺后的结构示意图；图3是现有技术4Mask工艺中第二道干刻工艺后的SEM图片；图4是现有技术4Mask工艺中第三道湿刻工艺后的结构示意图；图5是现有技术4Mask工艺中第三道湿刻工艺后的SEM图片；图6是现有技术4Mask工艺中第四道干刻工艺后的结构示意图；图7是根据本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制作方法的步骤流程图；图8-图16是根据本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制作方法的工艺流程图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终被用于表示相同或相似的元件。将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。实施例1图7是根据本实施例的薄膜晶体管的制作方法的步骤流程图。具体参照图7，根据本实施例的薄膜晶体管的制作方法包括下述步骤：在步骤Q1中，在衬底21上依次制作栅极22、栅极绝缘层23和有源层24；如图8所示。衬底21的选择及在其上制作栅极22、栅极绝缘层23以及有源层24的材料选择及工艺，此处不再赘述，本领域技术人员参照现有技术即可.如衬底21可选用玻璃衬底等，栅极22的材料可以是Mo/Cu叠层材料或Ti/Mo/Cu叠层材料，栅极绝缘层23的材料可以是SiNx；优选地，若栅极22的材料为Mo/Cu叠层材料，一般控制Mo层的厚度为Cu层的厚度为同时栅极绝缘层23的厚度优选控制为一般地，可通过涂布/曝光/显影/湿法蚀刻/剥离等工艺来制作形成栅极22。有源层24一般通过PECVD法在栅极绝缘层23上沉淀一层厚度为的非晶硅和掺杂非晶硅而获得。在步骤Q2中，在栅极绝缘层23上制作数据线材料膜层25a，在有源层24上制作源漏极材料膜层26a；如图9所示。一般地，数据线材料膜层25a和源漏极材料膜层26a一体形成即可；如此，一般通过物理溅射沉淀一层Mo/Cu叠层材料或Ti/Mo/Cu叠层材料而获得，对应形成在栅极绝缘层23上的即为数据线材料膜层25a，而对应形成在有源层24上的即为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：S1、在衬底上依次制作栅极、栅极绝缘层和有源层；S2、在所述栅极绝缘层上制作数据线，在所述有源层上制作源漏极，并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道，获得薄膜晶体管；其特征在于，所述步骤S2的具体方法包括下述步骤：S21、在所述栅极绝缘层上制作数据线材料膜层，在所述有源层上制作源漏极材料膜层；S22、在所述数据线材料膜层和所述源漏极材料膜层上均制作光阻材料膜层；S23、采用半色调掩膜法刻蚀所述光阻材料膜层，形成光阻层，获得第一蚀刻基板；其中，所述数据线材料膜层上的光阻层的边缘处的厚度小于中心处的厚度，所述数据线材料膜层上的光阻层的中心处的宽度与预形成的数据线的宽度相当；并且所述源漏极材料膜层上的光阻层的边缘处和中心处的厚度均小于边缘处与中心处之间的厚度，所述源漏极材料膜层上的光阻层的中心处延伸至边缘处的宽度与预形成的源漏极的边缘间距相当；S24、采用4Mask工艺刻蚀所述第一蚀刻基板，在所述栅极绝缘层上形成所述数据线，在所述有源层上形成所述源漏极，在所述源漏极间形成所述背沟道，获得所述薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：S1、在衬底上依次制作栅极、栅极绝缘层和有源层；S2、在所述栅极绝缘层上制作数据线，在所述有源层上制作源漏极，并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道，获得薄膜晶体管；其特征在于，所述步骤S2的具体方法包括下述步骤：S21、在所述栅极绝缘层上制作数据线材料膜层，在所述有源层上制作源漏极材料膜层；S22、在所述数据线材料膜层和所述源漏极材料膜层上均制作光阻材料膜层；S23、采用半色调掩膜法刻蚀所述光阻材料膜层，形成光阻层，获得第一蚀刻基板；其中，所述数据线材料膜层上的光阻层的边缘处的厚度小于中心处的厚度，所述数据线材料膜层上的光阻层的中心处的宽度与预形成的数据线的宽度相当；并且所述源漏极材料膜层上的光阻层的边缘处和中心处的厚度均小于边缘处与中心处之间的厚度，所述源漏极材料膜层上的光阻层的中心处延伸至边缘处的宽度与预形成的源漏极的边缘间距相当；S24、采用4Mask工艺刻蚀所述第一蚀刻基板，在所述栅极绝缘层上形成所述数据线，在所述有源层上形成所述源漏极，在所述源漏极间形成所述背沟道，获得所述薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S23中，所述数据线材料膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志超，夏慧，陈梦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44