【技术实现步骤摘要】
一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法
本专利技术涉及一种硅微机械加工
,特别是一种一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法。
技术介绍
深硅刻蚀工艺是硅微机械加工中的关键工艺流程之一。侧壁陡直度是深硅刻蚀结构主要关注的重要指标。众所周知,刻蚀掩膜是影响深硅刻蚀结构形貌的首要因素。深硅刻蚀工艺常采用的刻蚀掩膜主要有两类,第一类是采用一定厚度的光刻胶图形作为掩膜,第二类是采用薄层光刻胶和介质层的复合图形作为掩膜。采用单层光刻胶掩膜时,要求光刻胶层具有足够的厚度,以防在硅片达到所需刻蚀深度之前,过薄的刻胶掩膜就被消耗完毕。例如,以硅和光刻胶40:1的刻蚀选择比计算,刻蚀120μm的深硅结构,光刻胶掩膜的厚度必须大于3μm。然而较厚的光刻胶掩膜图形存在结构形貌、线宽符合度差等问题,直接影响深硅刻蚀结构的质量。采用光刻胶和介质层的复合掩膜时,可以采用薄层光刻胶,但是介质层掩膜的制备和去除明显增加了工艺的复杂性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度,有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。本专利技术的上述目的是通过如下技术方案予以实现的:一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,包括如下步骤:步骤(一)、将待刻蚀晶圆水平放置在热氮气中;并在待刻蚀晶圆的上表面涂覆光刻胶;步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤;步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻胶掩膜;步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处 ...
【技术保护点】
1.一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤(一)、将待刻蚀晶圆(301)水平放置在热氮气中;并在待刻蚀晶圆(301)的上表面涂覆光刻胶(303);步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶(303)的晶圆(301)进行烘烤;步骤(三)、在光刻胶(303)的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻胶掩膜(303);步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜(303)的外表面进行轰击处理;步骤(五)、在光刻胶掩膜(303)的上表面,采用氧等离子体对光刻胶掩膜(303)进行边角削除;得到最终图形成型的光刻胶掩膜(303);步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜(303),对待刻蚀晶圆(301)进行深硅刻蚀。
【技术特征摘要】
1.一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤(一)、将待刻蚀晶圆(301)水平放置在热氮气中;并在待刻蚀晶圆(301)的上表面涂覆光刻胶(303);步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶(303)的晶圆(301)进行烘烤;步骤(三)、在光刻胶(303)的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻胶掩膜(303);步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜(303)的外表面进行轰击处理;步骤(五)、在光刻胶掩膜(303)的上表面,采用氧等离子体对光刻胶掩膜(303)进行边角削除;得到最终图形成型的光刻胶掩膜(303);步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜(303),对待刻蚀晶圆(301)进行深硅刻蚀。2.根据权利要求1所述的一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,其特征在于:所述的步骤(一)中,热氮气的温度为85-105℃。3.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:李新坤,庄海涵,梁德春,刘福民,吴浩越,王风娇,徐宇新,
申请(专利权)人:北京航天控制仪器研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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