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一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法技术
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文档序号:18447269
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一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法,涉及硅微机械加工技术领域;包括如下步骤:步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶;步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤;步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影,形成预先设计图形的光刻...
该专利属于北京航天控制仪器研究所所有,仅供学习研究参考,未经过北京航天控制仪器研究所授权不得商用。
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