一种掩膜版及其制备方法、光刻方法技术

本发明专利技术公开一种掩膜版及其制备方法、光刻方法，涉及光掩膜技术领域，以通过单个掩膜板实现两种图案的光刻，从而降低显示基板的制作成本。所述掩膜版包括透光基板，透光基板包括相对的第一表面和第二表面；第一表面和第二表面均形成有单向透光图案层，第一表面所形成的单向透光图案层的图案和第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，第一表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向与第二表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向相反。所述掩膜版的制作方法用于制作上述掩膜版。本发明专利技术提供的掩膜版及其制备方法、光刻方法用于光掩膜制作显示面板中。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版及其制备方法、光刻方法
本专利技术涉及光掩膜
，尤其涉及一种掩膜版及其制备方法、光刻方法。
技术介绍
制作显示基板时，经常采用光掩模技术制作显示基板所包含的图案化膜层，这使得在制作显示基板时，需要使用大量的掩膜版实现光掩膜，使得显示基板的制作成本比较高。目前，常见的掩膜版使用石英基板作为基底，在石英基板上按照掩膜图案制作铬膜，从而形成掩膜版；但是这种掩膜版只能制作一种图案化的膜层，没有充分利用石英基板的空间，导致制作显示基板前，需要按照显示基板膜层的图案先完成每种图案对应的掩膜版的制作，才能开始显示基板制作，导致显示基板的制作周期较长。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种掩膜版及其制备方法、光刻方法，以通过单个掩膜板实现两种图案的光刻，从而降低显示基板的制作成本。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种掩膜版，该掩膜版包括透光基板，所述透光基板包括相对的第一表面和第二表面；所述第一表面和所述第二表面均形成有单向透光图案层，所述第一表面所形成的单向透光图案层的图案和所述第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，所述第一表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向与所述第二表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向相反。与现有技术相比，本专利技术提供的掩膜版中，透光基板的第一表面和第二表面均形成有单向透光图案层，第一表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向与第二表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向相反，这使得本专利技术提供的掩膜版中，如果从第一表面到第二表面传播的光线能够穿过第一表面的单向透光图案层，而无法从第二表面的单向透光图案层穿过，那么从第二表面传播的光线能够穿过第二表面的单向透光图案层，就无法从第一表面的单向透光图案层穿过，而且，由于第一表面所形成的单向透光图案层的图案和第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，使得需要光刻第一表面的单向透光图案层对应图案时，只需要将透光基板的第一表面与需要进行光刻的待曝光基板相对，就可以使得曝光机发出的光线全部穿过第二表面的单向透光图案层，并利用第一表面的单向透光图案层所包含的遮光部遮光，从而将第一表面的单向透光图案层对应的图案光刻到待曝光基板上，而需要光刻第二表面的单向透光图案层对应图案时，只需要将透光基板的第二表面与需要进行光刻的待曝光基板相对，就可以使得曝光机发出的光线全部穿过第一表面的单向透光图案层，并利用第二表面的单向透光图案层所包含的遮光部遮光，从而将第二表面的单向透光图案层对应的图案光刻到待曝光基板上。同理，如果从第一表面到第二表面传播的光线能够穿过第二表面的单向透光图案层，而无法从第一表面的单向透光图案层穿过，那么从第二表面到第一表面传播的光线能够穿过第一表面的单向透光图案层，就无法从第二表面的单向透光图案层穿过，而且，由于第一表面所形成的单向透光图案层的图案和第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，使得需要光刻第一表面的单向透光图案层对应图案时，只需要将透光基板的第二表面与需要进行光刻的待曝光基板相对，就可以使得曝光机发出的一部分光线被第一表面的单向透光图案层所包含的遮光部遮挡，剩余一部分光线全部穿过第二表面的单向透光图案层所包含的遮光部遮光，从而将第一表面的单向透光图案层对应的图案光刻到待曝光基板上，而需要光刻第二表面的单向透光图案层对应图案时，只需要将透光基板的第一表面与需要进行光刻的待曝光基板相对，就可以使得曝光机发出的一部分光线被第二表面的单向透光图案层所包含的遮光部遮挡，剩余一部分光线全部穿过第一表面的单向透光图案层，从而将第二表面的单向透光图案层对应的图案光刻到待曝光基板上。因此，本专利技术提供的掩膜版能够独立的实现两种图案的光刻，使得显示基板的制作过程中所使用的掩膜版数量减少，从而降低了显示基板的制作成本和制作周期。本专利技术还提供了一种掩膜版的制作方法，该掩膜版的制作方法包括：提供一透光基板，所述透光基板包括相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面和所述第二表面分别形成单向透光图案层，使得所述第一表面所形成的单向透光图案层的图案和所述第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，所述第一表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向与所述第二表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向相反。与现有技术相比，本专利技术提供的掩膜版的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的掩膜版的有益效果，在此不做赘述。本专利技术还提供了一种光刻方法，其应用上述技术方案提供的所述的掩膜版，所述光刻方法包括：提供一待曝光基板；将所述掩膜版设置在所述待曝光基板与曝光机的曝光光线出口之间；所述曝光机发出的曝光光线全部透过第一表面的单向透光图案层，使得所述待曝光基板形成第二表面的单向透光图案层的图案；或，所述曝光机发出的曝光光线全部透过第二表面的单向透光图案层，使得所述待曝光基板形成第一表面的单向透光图案层的图案。与现有技术相比，本专利技术提供的光刻方法的有益效果与上述技术方案提供的掩膜版的有益效果相同，在此不做赘述。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例提供的掩膜版的侧视示意图；图2为本专利技术实施例中单向透光图案层的侧视示意图；图3为本专利技术实施例中第一光子晶体单元和第二光子晶体单元的俯视图；图4为本专利技术实施例提供的掩膜版的制作方法流程图；图5为本专利技术实施例中单向透光图案层的第一种制作方法流程图；图6为本专利技术实施例中单向透光图案层的第二种制作方法流程图；图7为本专利技术实施例提供的光刻方法的流程图。附图标记：1-掩膜版，10-透光基板；11-第一单向透光图案层，12-第二单向透光图案层；100-光子晶体复合单元，101-第一空气孔阵列；102-第二空气孔阵列，a1-第一空气孔阵列中空气孔孔径；b1-第一空气孔阵列的点阵常数，a2-第二空气孔阵列中空气孔孔径；b2-第二空气孔阵列的点阵常数。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术实施例提供的掩膜版1包括透光基板10，透光基板10包括相对的第一表面和第二表面；透光基板10一般为石英基板(石英玻璃)，或其他材料基板，在此不做详细说明。本专利技术实施例中第一表面和第二表面均形成有单向透光图案层，第一表面所形成的单向透光图案层的图案和第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，第一表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向与所述第二表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向相反。具体实施时，如图1和图4所示，可采用如下步骤制作掩膜版1，具体步骤包括：步骤S100：提供一透光基板10，透光基板10包括相对的第一表面和第二表面；步骤S200：在所述第一表面和所述第二表面分别形成单向透光图案层。光刻时，如图1和图7所示，可按照如下步骤进行光刻，具体步骤包括：步骤S100'：提供一待曝光基板，待曝光基板一般表面形成有膜层，需要利用光刻工艺对其进行光刻。步骤S200'：将掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜版，其特征在于，包括透光基板，所述透光基板包括相对的第一表面和第二表面；所述第一表面和所述第二表面均形成有单向透光图案层，所述第一表面所形成的单向透光图案层的图案和所述第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，所述第一表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向与所述第二表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向相反。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括透光基板，所述透光基板包括相对的第一表面和第二表面；所述第一表面和所述第二表面均形成有单向透光图案层，所述第一表面所形成的单向透光图案层的图案和所述第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，所述第一表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向与所述第二表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向相反。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一表面的单向透光图案层为具有第一掩膜图案的光子晶体层，所述第二表面的单向透光图案层为具有第二掩膜图案的光子晶体层；具有第一掩膜图案的光子晶体层所透过的光线传播方向与具有第二掩膜图案的光子晶体层所透过的光线传播方向不同。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一表面的单向透光图案层和所述第二表面的单向透光图案层均包括介电薄膜层，以及交替设置在所述介电薄膜层的第一空气孔阵列和第二空气孔阵列；所述第一空气孔阵列的点阵常数为λ/2n，λ为曝光机发出的光线波长，n为有效折射率，所述第一空气孔阵列中空气孔孔径是第一空气孔阵列的点阵常数的三分之二；所述第二空气孔阵列的点阵常数为mλ0/[2(n2-n1)]，m为准相位匹配阶数，λ0为曝光机发出的基频光波长，n1为曝光机发出的基频光折射率，n2为曝光机发出的倍频光折射率，所述第二空气孔阵列中空气孔孔径是第二空气孔阵列的点阵常数的二分之一。4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一表面的单向透光图案层为具有第一掩膜图案的偏光膜层，所述第二表面的单向透光图案层为具有第二掩膜图案的偏光膜层，所述第一表面的偏光膜层的偏振方向与所述第二表面的偏光膜层的偏振方向相互垂直。5.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供一透光基板，所述透光基板包括相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面和所述第二表面分别形成单向透光图案层，使得所述第一表面所形成的单向透光图案层的图案和所述第二表面所形成的单向透光图案层的图案不同，所述第一表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向与所述第二表面的单向透光图案层所透过的光线传播方向相反。6.根据权利要求5所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面和所述第二表面分别形成单向透过图案层包括：在所述第一表面和所述第二表面分别形成介电薄膜层；在所述第一表面的介电薄膜层和所述第二表面的介电薄膜层开设交替排布的第一空气孔阵列和第二空气孔阵列，所述第一空气孔阵列的点阵常数为λ/2n，λ为曝光机发出的光线波长，n为有效折射率，所述第一空气孔阵列中空气孔孔径是第一空气孔阵列的点阵常数的三分之二；所述第二空气孔阵列的点阵常数为mλ0/[2(n2-n1)]，m为准相位匹配阶数，λ0为曝光机发出的基频光波长，n1为曝光机发出的基频光折射率，n2为曝光机发出的倍频光折射率，所述第二空气孔阵列中空气孔孔径是第二空气孔阵列的点阵常数的二分之一；在所述第一表面的介电薄膜层形成第一掩膜图案，得到第一表面的单向透光图案层；在所述第二表面的介电薄膜层形成第二掩膜图案，得到第二表面的单向透光图案层。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞洋，刘晓伟，吴洪江，陈凡，李海光，廖加敏，罗时建，伍蓉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11