晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，既能够抑制碎裂或缺陷的产生又能够对晶片进行适当地分割。一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法包含如下步骤：第1激光加工步骤，沿着第1分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的内部形成第1改质层；第2激光加工步骤，沿着第2分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在除去第1分割预定线和第2分割预定线相交叉的交叉区域内的非加工区域之外的晶片的内部形成第2改质层；以及磨削步骤，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至规定的厚度，并且以第1改质层和第2改质层为起点将晶片分割成多个芯片，在第2激光加工步骤中，不在非加工区域中形成第2改质层。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及利用激光束对晶片的内部进行改质的晶片的加工方法。
技术介绍
在以移动电话、个人计算机为代表的电子设备中，电子电路等的具有器件的器件芯片成为必须的构成要素。器件芯片例如是通过以下方式制造的：在利用多条分割预定线(间隔道)对由硅等半导体材料制成的晶片的正面进行划分并在各区域中形成了器件之后，沿着该分割预定线对晶片进行分割。作为对晶片进行分割的方法之一，公知有如下的被称为SD(StealthDicing：隐形切割)的方法：使透过性的激光束会聚在晶片的内部而形成通过多光子吸收而被改质的改质层(改质区域)(例如，参照专利文献1)。通过在沿着分割预定线形成了改质层之后对晶片施力，从而能够以改质层为起点对晶片进行分割。但是，在该SD中，在很多情况下因所形成的器件芯片上残留有改质层而无法充分提高器件芯片的抗折强度。因此，实用化了如下的被称为SDBG(StealthDicingBeforeGrinding：先隐形切割后减薄)的方法：在形成了改质层之后对晶片的背面进行磨削而一边将改质层去除一边将晶片分割成多个器件芯片(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2002-192370号公报专利文献2：国际公开第2003/77295号在上述的SDBG中，由于利用磨削时施加的力对晶片进行分割，所以也不必需要进行用于分割晶片的其他工序。另一方面，在SDBG中，因在分割成器件芯片之后仍继续进行的磨削而使器件芯片的角发生接触，从而容易在器件芯片上产生碎裂或缺陷。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，既能够抑制碎裂或缺陷的产生又能够对晶片进行适当地分割。根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，该晶片在正面侧的由在第1方向上延伸的多条第1分割预定线和在与该第1方向交叉的第2方向上延伸的多条第2分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1激光加工步骤，沿着该第1分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的内部形成第1改质层；第2激光加工步骤，沿着该第2分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在除去第1分割预定线和第2分割预定线相交叉的交叉区域内的非加工区域之外的晶片的内部形成第2改质层；以及磨削步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至规定的厚度，并且以该第1改质层和该第2改质层为起点将晶片分割成多个芯片，在该第2激光加工步骤中，不在该非加工区域中形成第2改质层。在本专利技术的一个方式中，优选该非加工区域是以该第1分割预定线的宽度方向的中央的位置为中心而在该第2方向上延伸的150μm以上且250μm以下的区域。在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，由于不在交叉区域内所设定的非加工区域内形成第2改质层，所以既能够抑制碎裂或缺陷的产生又能够对晶片进行适当地分割。附图说明图1的(A)是示意性地示出晶片的结构例的立体图，图1的(B)是示意性地示出在晶片上粘贴保护部件的情形的立体图。图2的(A)是示意性地示出第1激光加工步骤的局部剖视侧视图，图2的(B)是示意性地示出第2激光加工步骤的局部剖视侧视图。图3是示意性地示出形成有第1改质层和第2改质层的晶片的图。图4是示意性地示出磨削步骤的局部剖视侧视图。标号说明11：晶片；11a：正面；11b：背面；13a：第1分割预定线(第1间隔道)；13b：第2分割预定线(第2间隔道)；15：器件；17a：第1改质层；17b：第2改质层；21：保护部件；21a：正面；21b：背面；2：激光加工装置；4：卡盘工作台；4a：保持面；6：激光照射单元；12：磨削装置；14：卡盘工作台；14a：保持面；16：磨削单元；18：主轴；20：安装座；22：磨削磨轮；24：磨轮基台；26：磨削磨具。具体实施方式参照附图对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的晶片的加工方法包含第1激光加工步骤(参照图2的(A))、第2激光加工步骤(参照图2的(B))以及磨削步骤(参照图4)。在第1激光加工步骤中，沿着在第1方向上伸长(延伸)的第1分割预定线(第1间隔道)对晶片照射激光束，在晶片的内部形成第1改质层。在第2激光加工步骤中，沿着在第2方向上伸长(延伸)的第2分割预定线(第2间隔道)对晶片照射激光束，在除去第1分割预定线和第2分割预定线相交叉的交叉区域内的非加工区域之外的晶片的内部形成第2改质层。在磨削步骤中，对背面进行磨削而使晶片变薄，并且分割成多个芯片(器件芯片)。以下，对本实施方式的晶片的加工方法进行详述。图1的(A)是示意性地示出通过本实施方式进行加工的晶片的结构例的立体图。如图1的(A)所示，晶片11使用硅(Si)等半导体材料而形成为圆盘状。通过在第1方向D1上伸长的多条第1分割预定线(第1间隔道)13a和在第2方向D2上伸长的多条第2分割预定线(第2间隔道)13b将晶片11的正面11a侧划分成多个区域，在各区域内设置有IC、LSI等器件15。另外，在本实施方式中，使用由硅等半导体材料制成的圆盘状的晶片11，但晶片11的材质、形状、构造、大小等并没有限制。例如，也可以使用由陶瓷等材料制成的晶片11。同样，器件15的种类、数量、大小、配置等也没有限制。并且，第1分割预定线13a所伸长的第1方向D1和第2分割预定线13b所伸长的第2方向D2互相交叉即可，不需要互相垂直。在实施本实施方式的晶片的加工方法之前，预先在上述的晶片11的正面11a侧粘贴由树脂等制成的保护部件。图1的(B)是示意性地示出在晶片11上粘贴保护部件的情形的立体图。保护部件21例如是具有与晶片11同等直径的圆形的膜(带)，在其正面21a侧设置有具有粘接力的糊层。因此，如图1的(B)所示，通过使保护部件21的正面21a侧与被加工物11的正面11a侧紧贴，能够将保护部件21粘贴在被加工物11的正面11a侧。通过在被加工物11的正面11a侧粘贴保护部件21，能够缓和在之后的各步骤中施加的冲击，对设置于晶片11的正面11a侧的器件15等进行保护。在将保护部件21粘贴在晶片11的正面11a侧之后，进行第1激光加工步骤，沿着第1分割预定线13a照射激光束，在晶片11的内部形成第1改质层。图2的(A)是示意性地示出第1激光加工步骤的局部剖视侧视图。例如，使用图2的(A)所示的激光加工装置2来进行第1激光加工步骤。激光加工装置2具有用于对晶片11进行吸引、保持的卡盘工作台4。卡盘工作台4与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，绕与铅直方向大致平行的旋转轴进行旋转。并且，在卡盘工作台4的下方设置有移动机构(未图示)，卡盘工作台4通过该移动机构在水平方向上移动。卡盘工作台4的上表面的一部分成为对粘贴在晶片11上的保护部件21进行吸引、保持的保持面4a。保持面4a通过形成于卡盘工作台4的内部的吸引路(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。通过使吸引源的负压作用于保持面4a，晶片11隔着保护部件21被保持在卡盘工作台4上。在卡盘工作台4的上方配置有激光照射单元6。激光照射单元6将激光振荡器(未图示)所脉冲振荡出的激光束L照射并会聚至规定的位置。激光振荡器构成为能够脉冲振荡出对于晶片11具有透过性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧的由在第1方向上延伸的多条第1分割预定线和在与该第1方向交叉的第2方向上延伸的多条第2分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1激光加工步骤，沿着该第1分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的内部形成第1改质层；第2激光加工步骤，沿着该第2分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在除去该第1分割预定线和该第2分割预定线相交叉的交叉区域内的非加工区域之外的晶片的内部形成第2改质层；以及磨削步骤，在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至规定的厚度，并且以该第1改质层和该第2改质层为起点将晶片分割成多个芯片，在该第2激光加工步骤中，不在该非加工区域中形成第2改质层。

【技术特征摘要】
2016.10.11 JP 2016-2001541.一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧的由在第1方向上延伸的多条第1分割预定线和在与该第1方向交叉的第2方向上延伸的多条第2分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1激光加工步骤，沿着该第1分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的内部形成第1改质层；第2激光加工步骤，沿着该第2分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在除去...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵泰羽，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP