【技术实现步骤摘要】
有界栅极的硅控整流器
本专利技术是关于一种静电防护元件,特别是关于一种有界栅极的硅控整流器。
技术介绍
随着集成电路(IntegratedCircuit,IC)中的晶体管尺寸日渐缩小,静电放电(ElectrostaticDischarge,ESD)所造成的元件损坏的问题逐渐被重视。寄生PNP与NPN双载子接面晶体管构成的硅控整流器(SiliconControlledRectifier,SCR)为目前常用的静电放电保护元件,相较于其他静电防护元件,硅控整流器具有较低的保持电压(holdingvoltage),可以在较小的布局面积内,承受较大的静电放电能量,却也导致硅控整流器在正常电路运作下,容易无预警的产生闩锁(latchup)现象,此闩锁现象可能导致集成电路无法运作或损坏。因此,如何在追求静电放电防护的同时,避免闩锁现象的产生,对于硅控整流器的设计是一大难题。
技术实现思路
本专利技术揭露的一方面是关于一种有界栅极的硅控整流器。有界栅极的硅控整流器包含基板、N型井区、P型井区、第一N型半导体区、第一P型半导体区、第二N型半导体区、第二P型半导体区以及第三半导体区。N型井区与P型井区皆配置于基板之中,且N型井区与P型井区之间存在一接面,第一N型半导体区连接至第一接脚,且第一N型半导体区配置于N型井区之中,第一P型半导体区连接至第二接脚,且第一P型半导体区配置于P型井区之中,第二N型半导体区连接至第二接脚,且第二N型半导体区配置于P型井区之中,介于第一N型半导体区与第一P型半导体区之间,第二P型半导体区连接至第一接脚,且第二P型半导体区配置于N型井区之中,介于第一 ...
【技术保护点】
一种有界栅极的硅控整流器,其特征在于,包含:一基板;一N型井区,配置于该基板之中;一P型井区,配置于该基板之中,与该N型井区之间存在一接面;一第一N型半导体区,连接至一第一接脚,该第一N型半导体区配置于该N型井区之中;一第一P型半导体区,连接至一第二接脚,该第一P型半导体区配置于该P型井区之中;一第二N型半导体区,连接至该第二接脚,该第二N型半导体区配置于该P型井区之中,介于该第一N型半导体区与该第一P型半导体区之间;一第二P型半导体区,连接至该第一接脚,该第二P型半导体区配置于该N型井区之中,介于该第一N型半导体区与该第一P型半导体区之间;以及一第三半导体区,介于该第二N型半导体区与该第二P型半导体区之间,其中该第一接脚与该第二接脚分别连接至一阳极端与一阴极端。
【技术特征摘要】
1.一种有界栅极的硅控整流器,其特征在于,包含:一基板;一N型井区,配置于该基板之中;一P型井区,配置于该基板之中,与该N型井区之间存在一接面;一第一N型半导体区,连接至一第一接脚,该第一N型半导体区配置于该N型井区之中;一第一P型半导体区,连接至一第二接脚,该第一P型半导体区配置于该P型井区之中;一第二N型半导体区,连接至该第二接脚,该第二N型半导体区配置于该P型井区之中,介于该第一N型半导体区与该第一P型半导体区之间;一第二P型半导体区,连接至该第一接脚,该第二P型半导体区配置于该N型井区之中,介于该第一N型半导体区与该第一P型半导体区之间;以及一第三半导体区,介于该第二N型半导体区与该第二P型半导体区之间,其中该第一接脚与该第二接脚分别连接至一阳极端与一阴极端。2.根据权利要求1所述的有界栅极的硅控整流器,其特征在于,该有界栅极的硅控整流器还包含:一第一栅极结构,连接至一第三接脚,该第一栅极结构配置于该第二P型半导体区与该第三半导体区的区间之上;以及一第二栅极结构,连接至一第四接脚,该第二栅极结构配置于该第二N型半导体区与该第三半导体区的区间之上,且该N型井区与该P型井区的该接面位于该第二栅极结构之下,其中该第三接脚连接至该阳极端或一第一触发器元件,该第四接脚连接至该阴极端或一第二触发器元件,该基板为P型基板,该第三半导体区为P型半导体区,配置于该N型井区之中。3.根据权利要求2所述的有界栅极的硅控整流器,其特征在于,该有界栅极的硅控整流器还包含:一第一深沟渠隔离槽,介于该基板与该第一N型半导体区之间,配置于该基板与该N型井区的接面处;一第二深沟渠隔离槽,介于该基板与该第一P型半导体区之间,配置于该基板与该P型井区的接面处;一第三深沟渠隔离槽,介于该第一N型半导体区与该第二P型半导体区之间,配置于该N型井区之中;以及一第四深沟渠隔离槽,介于该第二N型半导体区与该第一P型半导体区之间,配置于该P型井区之中。4.根据权利要求1所述的有界栅极的硅控整流器,其特征在于,该有界栅极的硅控整流器还包含:一第一栅极结构,连接至一第三接脚,该第一栅极结构配置于该第二P型半导体区与该第三半导体区的区间之上,且该N型井区与该P型井区的该接面位于该第一栅极结构之下;以及一第二栅极结构,连接至一第四接脚,该第二栅极结构配置于该第二N型半导体区与该第三半导体区的区间之上,其中该第三接脚连接至该阳极端或一第一触发器元件,该第四接脚连接至该阴极端或一第二触发器元件,该基板为P型基板,该第三半导体区为N型半导体区,配置于该P型井区之中。5.根据权利要求4所述的有界栅极的硅控整流器,其特征在于,该有界栅极的硅控整流器还包含:一第一深沟渠隔离槽,介于该基板与该第一N型半...
【专利技术属性】
技术研发人员:林群祐,柯明道,王文泰,
申请(专利权)人:创意电子股份有限公司,台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。