The invention provides an inverter and a preparation method. The method includes: Step 1, the conductive metal layer on the surface of the dielectric layer of oxide semiconductor layer and the oxide semiconductor layer are annealed; step 2, on the surface of the oxide semiconductor layer deposited organic small molecule layer; step 3, in which the organic small molecule surface evaporation with the external power supply electrode, an output electrode and the ground electrode for the inverter inverter; with small organic molecular layer as P active layer, the oxide semiconductor layer as N active layer. The present invention uses organic small molecules and oxide semiconductors matched with electrical properties to form inverters, so that the inverter has good performance, and the output signal energy is more pure. In addition, the material used in the invention is easy to obtain, so the inverter can be produced on a large scale to meet the industrial demand of the inverter.
【技术实现步骤摘要】
反相器及其制备方法
本专利技术涉及电子器件制备
,更具体地,涉及一种反相器及其制备方法。
技术介绍
反相器是一种可将输入信号相位反转180度的电路,广泛应用于模拟电路,例如:音频放大电路,时钟振荡器等。现有技术中,一般基于氧化锌与有机聚合物制备异质结构的双极晶体管作为反相器使用。一方面,该方式制备的反相器需额外制备顶栅结构以提高器件性能,工艺复杂;另一方面,由于多晶氧化锌表面粗糙度高(RMS>2nm),界面缺陷多,严重影响有机半导体在界面处的传输,因此,该方式制备的反相器电压增益较低,仅在15V/V左右,相应地,反相器的响应速度较低,难以满足逻辑电路对响应速度的要求。
技术实现思路
本专利技术提供一种反相器及其制备方法,以克服现有技术制备反相器复杂以及增益较低而难以满足实际应用中高增益需求的问题。根据本专利技术的第一方面,提供一种反相器制备方法,该方法包括:步骤1,在金属导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层,并对所述氧化物半导体层进行退火处理;步骤2,在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层;步骤3,在所述有机小分子层表面蒸镀外部供电电极、输出电极和接地电极,获得反相器;所述反相器以有机小分子层作为P型有源层,以氧化物半导体层作为N型有源层。结合本专利技术第一方面的第一种可能实现方式,在第二种可能实现方式中,所述步骤1具体包括:以所述介电层为基材,氧化物半导体为靶材,利用射频磁控溅射法,在衬底上的介电层表面制备氧化物半导体层;将所述氧化物半导体层在空气中加热至350摄氏度退火30分钟。结合本专利技术第一方面的第一或二种可能实现方式,在第三 ...
【技术保护点】
一种反相器制备方法,其特征在于,包括:步骤1,在金属导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层,并对所述氧化物半导体层进行退火处理;步骤2,在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层;步骤3,在所述有机小分子层表面蒸镀外部供电电极、输出电极和接地电极,获得反相器;所述反相器以有机小分子层作为P型有源层,以氧化物半导体层作为N型有源层。
【技术特征摘要】
1.一种反相器制备方法,其特征在于,包括:步骤1,在金属导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层,并对所述氧化物半导体层进行退火处理;步骤2,在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层;步骤3,在所述有机小分子层表面蒸镀外部供电电极、输出电极和接地电极,获得反相器;所述反相器以有机小分子层作为P型有源层,以氧化物半导体层作为N型有源层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1具体包括:以所述介电层为基材,氧化物半导体为靶材,利用射频磁控溅射法,在衬底上的介电层表面制备氧化物半导体层;将所述氧化物半导体层在空气中加热至350摄氏度退火30分钟。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述步骤2具体包括:在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层,保持蒸镀温度为103~120摄氏度,速率为0.1nm/s~1nm/s。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述步骤3中,所述在所述有机小分子层表面蒸镀外部供电电极、输出电极和接地电极具体包括:将掩膜版覆盖至所述有机小分子层表面;在所述掩膜版内依次蒸...
【专利技术属性】
技术研发人员:江潮,李默林,王嘉玮,
申请(专利权)人:国家纳米科学中心,
类型:发明
国别省市:北京,11
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