The three terminal triac has a vertical structure from the silicon substrate, and the silicon substrate has an upper surface. The first part of the main coating metal on the upper surface is placed on the first region of the first conduction type formed in the layer of the second conduction type. The second part of the main coating metal is placed on the part of the above layer. The gate coating metal on the upper surface is placed near the first region and formed on the second region of the first conduction type in the layer. The porous silicon rods formed on the upper surface have the first end of the metal contact with the grid and the second end contact with the main coating metal.
【技术实现步骤摘要】
保护以防过热的功率部件优先权声明本申请要求2016年3月31日提交的法国专利申请第16/52822号的优先权权益,其全部公开内容通过引用在法律许可的最大程度上被合并于此。
本公开涉及保护以防过热的功率部件,并且更具体地涉及保护以防温度增加的具有竖直结构的三端双向可控硅开关和晶闸管。
技术介绍
具有竖直结构的三端双向可控硅开关和晶闸管是包括至少四个层和/或交替传导类型的半导体区域的堆叠的电子功率开关。在这样的部件中,第一金属化层或主电极A1置于堆叠的主表面上。第二金属化层或主电极A2置于堆叠的其它主表面上。金属化层或栅电极G与主电极A1置于堆叠的同一表面上。通常,当这些部件中的一个部件的主电极A1与A2之间存在电势差时,主电极A1与A2之间的电流的流动以栅极电流在栅电极上的应用为条件。一旦在主电极之间的电流流动已经被建立,则这些部件保持传导电流直到其在被称为保持电流的门限值下面通过。图1对应于美国专利申请公开第2015/0108537号(通过引用被合并)的图7。本附图是具有竖直结构的三端双向可控硅开关1的示例的横截面视图。三端双向可控硅开关1从轻掺杂N型硅衬底3(N-)形成。衬底3的上表面和下表面包括P型掺杂层5和7。上部层5包含重掺杂N型区域9(N+)和重掺杂N型区域11(N+)。下部层7在基本上与在俯视图中由区域9占据的区域互补的区域中包含重掺杂N型区域13(N+)。主电极A1被布置在衬底3的上表面上,跨着P型掺杂层5的部分和N+区域9。主电极A2被布置在衬底3的下表面上,跨着P型掺杂层7的部分和N+区域13。栅电极G布置在衬底3的上表面上,跨着P型掺杂 ...
【技术保护点】
一种具有竖直结构的三端双向可控硅开关,包括:硅衬底,具有上侧表面;主金属化层,在所述上侧表面上并且具有第一部分和第二部分,所述第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上,并且所述第二部分置于所述层的部分上;栅极金属化层,在所述上侧表面上并且置于在所述第一区域附近被形成在所述层中的所述第一传导类型的第二区域上;以及被形成在所述层中的至少一个多孔硅棒,其中所述多孔硅棒的第一端与所述栅极金属化层接触,并且其中所述多孔硅棒的第二端与所述主金属化层接触。
【技术特征摘要】
2016.03.31 FR 16528221.一种具有竖直结构的三端双向可控硅开关,包括:硅衬底,具有上侧表面;主金属化层,在所述上侧表面上并且具有第一部分和第二部分,所述第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上,并且所述第二部分置于所述层的部分上;栅极金属化层,在所述上侧表面上并且置于在所述第一区域附近被形成在所述层中的所述第一传导类型的第二区域上;以及被形成在所述层中的至少一个多孔硅棒,其中所述多孔硅棒的第一端与所述栅极金属化层接触,并且其中所述多孔硅棒的第二端与所述主金属化层接触。2.根据权利要求1所述的三端双向可控硅开关,其中所述栅极金属化层仅与所述第二区域和所述至少一个多孔硅棒电接触。3.根据权利要求1所述的三端双向可控硅开关,其中所述至少一个多孔硅棒包括:第一多孔硅棒,具有与所述主金属化层的所述第一部分接触的第一端;以及第二多孔硅棒,具有与所述主金属化层的所述第二部分接触的第二端。4.根据权利要求1所述的三端双向可控硅开关,其中所述至少一个多孔硅棒(61)具有在所述第一区域中延伸的第一部分并且具有在所述层的所述部分中延伸的第二部分。5.一种具有竖直结构的晶闸管,包括:硅衬底,具有上侧表面;主金属化层,在所述上侧表面上并且置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上;栅极金属化层,在所述上侧表面上并且置于在所述第一区域附近被形成在所述层中的所述第一传导类型的掺杂的硅区域上;以及多孔硅棒,被形成在所述层中并且具有与所述栅极金属化层接触的第一端以及与所述主金属化层接触的第二端。6.根据权利要求5所述的晶闸管,其中在所述第一端与所述第二端之间,所述多孔硅棒包括在所述第一区域中延伸的部分。7.一种集成电...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。