The embodiment of the invention provides a pad structure with high contact structure and a through hole array. In some embodiments, the semiconductor substrate includes a pad opening. The interconnect structure is located below the semiconductor substrate, and includes an interlayer dielectric (ILD) layer, a wiring layer and a contact through hole array. The wiring layer and the contact through hole array are located in the ILD layer. In addition, the contact through-hole array is adjacent to the wiring layer and between the wiring layer and the semiconductor substrate. The pad in the pad opening covers the contact through hole array and protrudes to the ILD layer to contact the wiring layer on the opposite side of the contact through-hole array. The present invention also provides a method for manufacturing pad structure and an image sensor with pad structure. The embodiment of the invention relates to the pad structure for the back illuminated (BSI) image sensor.
【技术实现步骤摘要】
用于背照式(BSI)图像传感器的焊盘结构
本专利技术实施例涉及用于背照式(BSI)图像传感器的焊盘结构。
技术介绍
许多现代电子器件包括将光学图像转换成表示光学图像的数字数据的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。一种常用于电子器件的CMOS图像传感器是背照式(BSI)图像传感器。BSI图像传感器包括位于互连结构上面并且配置为在与互连结构相对的侧上接收辐射的光电探测器的阵列。这种布置允许辐射照射在未由互连结构中的导电部件阻塞的光电探测器上,从而使得BSI图像传感器对入射辐射具有高灵敏度。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例,提供了一种焊盘结构,包括:半导体衬底,包括焊盘开口;互连结构,位于所述半导体衬底下方,其中,所述互连结构包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列,其中,所述布线层和所述接触通孔阵列位于所述层间介电层中,并且其中,所述接触通孔阵列直接位于所述焊盘开口下方、位于所述布线层和所述半导体衬底之间;以及覆盖所述接触通孔阵列的焊盘,位于所述焊盘开口中,其中,所述焊盘突出至所述层间介电层内以接触所述层间介电层和所述布线层。根据本专利技术的另一实施例,还提供了一种用于制造焊盘结构的方法,所述方法包括:在半导体衬底的第一侧上形成层间介电(ILD)层;在所述层间介电层中形成接触通孔阵列;形成覆盖位于所述半导体衬底的所述第一侧上的所述接触通孔阵列和所述层间介电层的互连结构,其中,所述互连结构包括与所述接触通孔阵列邻接并且电连接至所述接触通孔阵列的布线层;对所述半导体衬底的与所述第一侧相对的第二侧实施蚀刻,以形成覆盖所述接触通孔阵列的焊盘开口;以 ...
【技术保护点】
一种焊盘结构,包括:半导体衬底,包括焊盘开口;互连结构,位于所述半导体衬底下方,其中,所述互连结构包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列,其中,所述布线层和所述接触通孔阵列位于所述层间介电层中,并且其中,所述接触通孔阵列直接位于所述焊盘开口下方、位于所述布线层和所述半导体衬底之间;以及覆盖所述接触通孔阵列的焊盘,位于所述焊盘开口中,其中,所述焊盘突出至所述层间介电层内以接触所述层间介电层和所述布线层。
【技术特征摘要】
2016.04.13 US 62/321,839;2017.02.24 US 15/442,0961.一种焊盘结构,包括:半导体衬底,包括焊盘开口;互连结构,位于所述半导体衬底下方,其中,所述互连结构包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列,其中,所述布线层和所述接触通孔阵列位于所述层间介电层中,并且其中,所述接触通孔阵列直接位于所述焊盘开口下方、位于所述布线层和所述半导体衬底之间;以及覆盖所述接触通孔阵列的焊盘,位于所述焊盘开口中,其中,所述焊盘突出至所述层间介电层内以接触所述层间介电层和所述布线层。2.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中,所述焊盘突出至所述层间介电层内以接触位于所述接触通孔阵列的相对侧上的所述层间介电层,并且以接触位于所述接触通孔阵列的所述相对侧上的所述布线层。3.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中,所述接触通孔阵列包括布置为多行和多列的多个接触通孔,并且其中,所述接触通孔共用共同的覆盖区。4.根据权利要求3所述的焊盘结构,其中,所述接触通孔是岛型通孔,所述岛型通孔的每个均具有相同的长度和宽度。5.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中,所述接触通孔阵列包括布置为多行和单列或布置为多列和单行的多个接触通孔,并且其中,所述接触通孔为槽型通孔,所述槽型通孔是横向伸长的并且所述槽型通孔的每个均具有比所述焊盘的长度大的长度。6.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中,所述接触通孔阵列包括布置为多行和多列的多个岛型通孔和多个槽型通孔。7.根据权利要求6所述的焊盘结构,其中,所述接触通孔阵列沿着第一轴在所述岛型通孔和所述槽型通孔之间交替,并且其中,所述槽型通孔沿着正交于所述第一轴的第二轴跨越多行或...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑庆鸿,张凯峯,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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