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本发明实施例提供了一种用于高接合结构的具有接触通孔阵列的焊盘结构。在一些实施例中，半导体衬底包括焊盘开口。互连结构位于半导体衬底下方，并且包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列。布线层和接触通孔阵列位于ILD层中。此外，接触通孔阵列...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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