导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种导电图案结构，该导电图案结构包括：依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，其中，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面和全部侧表面；所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强。本公开根据金属活动顺序表中金属还原性强弱的顺序，采用常规的置换反应，在第一金属层上形成包覆于其上表面和全部侧表面的第二金属层，从而降低了导电图案结构制作工艺的复杂性，且避免了低电阻金属中的金属离子扩散至有源层中破坏显示器件稳定性的问题，进而避免了产品良率下降的问题，除此之外，由于置换反应对设备和外界环境的要求较低，从而可以降低生产成本。

Conductive pattern structure and preparation method thereof, array substrate and display device

The present invention provides a conductive pattern structure, including the conductive pattern structure: the first and second metal layers which are sequentially overlapped, the second metal layer overlies the first metal layer on the surface and side surface; the first metal layer of the metal material than the metal active activity the second metal layer material is strong. According to the disclosure of metal sheet or reducing the activity order of the order, the conventional replacement reaction, forming a second metal layer is coated on the upper surface and all side surface on the first metal layer, thereby reducing the complexity of manufacturing process of conductive pattern structure, and avoid the damage to display the stability problem of low resistance in the metal metal ion diffusion to the active layer, thereby avoiding the problem of the decline in the yield of the product, in addition, due to the requirements of equipment replacement reaction and the external environment is relatively low, which can reduce the production cost.

【技术实现步骤摘要】
导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术的实施例涉及一种导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
目前，制作薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的栅线、栅极、源极、漏极和数据线的材料一般选择化学性质比较稳定但电阻率比较高的Ta、Cr、Mo等金属或者上述金属形成的合金。由于TFT-LCD器件的尺寸较小、分辨率比较低，栅极信号的延迟比较小，对器件的显示效果的影响不明显。随着TFT-LCD的尺寸和分辨率不断地提高，栅线长度也随着增大，信号延迟时间也随之增大，信号延迟增加到一定的程度，一些像素得不到充分的充电，可能造成亮度不均匀，使TFT-LCD的对比度下降，严重地影响了图像的显示质量。为此，可以采用低电阻金属制作栅线、栅极、源极、漏极和数据线来解决这一问题。当采用低电阻金属制作的金属线或者金属电极处于高温条件下时，低电阻金属离子容易扩散到半导体层中，使得薄膜晶体管的性能恶化，严重影响了TFT产品性能。
技术实现思路
本专利技术至少一实施例提供一种导电图案结构，该导电图案结构包括：依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，其中，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面和全部侧表面；所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强。例如，在本专利技术至少一实施例提供的导电图案结构中，所述第一金属层的材料包括铜基金属和银基金属中的至少之一。例如，在本专利技术至少一实施例提供的导电图案结构中，当所述第一金属层的材料为铜基金属时，所述第二金属层的材料包括金、银、铂和钯中的至少之一；当所述第一金属层的材料为银基金属时，所述第二金属层的材料包括铂和钯中的至少之一。例如，在本专利技术至少一实施例提供的导电图案结构中，所述铜基金属包括Cu、CuMo、CuTi、CuMoW、CuMoNb或者CuMoTi；所述银基金属包括Ag、AgMo、AgTi、AgMoW、AgMoNb或者AgMoTi。例如，在本专利技术至少一实施例提供的导电图案结构中，在所述铜基金属中，铜的质量百分含量为90wt％～100wt％；在所述银基金属中，银的质量百分含量为90wt％～100wt％。例如，本专利技术至少一实施例提供的导电图案结构还包括缓冲层，其中，所述第一金属层设置在所述缓冲层上，所述缓冲层的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。例如，在本专利技术至少一实施例提供的导电图案结构中，所述缓冲层的厚度为20～30nm，所述第一金属层的厚度为200～400nm，所述第二金属层的厚度为10～50nm。本专利技术至少一实施例还提供一种阵列基板，包括上述任一导电图案结构。本专利技术至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一阵列基板。本专利技术至少一实施例还提供一种导电图案结构的制备方法，该制备方法包括：在衬底基板上沉积第一金属层薄膜；对所述第一金属层薄膜进行图案化处理，以形成第一金属层；将形成有所述第一金属层的衬底基板置于包含第二金属离子的化合物溶液中，以形成包覆所述第一金属层的上表面和全部侧表面的第二金属层。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述第一金属层的材料包括铜基金属和银基金属中的至少之一。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，当所述第一金属层的材料为铜基金属时，所述第二金属层的材料包括金、银、铂和钯中的至少之一；当所述第一金属层的材料为银基金属时，所述第二金属层的材料包括铂和钯中的至少之一。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，当所述第一金属层的材料为铜基金属时，所述包含第二金属离子的化合物溶液包括铂的氯化物、硝酸盐或者硫酸盐溶液或者钯的氯化物、硝酸盐或者硫酸盐溶液，或者硝酸银溶液或者三氯化金溶液；当所述第一金属层的材料为银基金属时，所述包含第二金属离子的化合物溶液包括铂的氯化物、硝酸盐或者硫酸盐溶液或者钯的氯化物、硝酸盐或者硫酸盐溶液。例如，本专利技术至少一实施例提供的制备方法，在衬底基板上沉积第一金属层薄膜之前，还包括采用磁控溅射的方法或者化学气相沉积的方法形成缓冲层薄膜，并采用构图工艺形成缓冲层。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述缓冲层的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。本专利技术的实施例根据金属活动顺序表中金属还原性强弱的顺序，采用常规的置换反应，在第一金属层上形成包覆于其上表面和全部侧表面的第二金属层，从而降低了导电图案结构制作工艺的复杂性，且避免了低电阻金属中的金属离子扩散至有源层中破坏显示器件稳定性的问题，进而避免了产品良率的下降的问题，除此之外，由于置换反应对设备和外界环境的要求较低，从而可以降低生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为一种导电图案结构的截面结构示意图；图2为本专利技术一实施例提供的一种导电图案结构的截面结构示意图；图3为本专利技术一实施例提供的另一种导电图案结构的截面结构示意图；图4为本专利技术一实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图；图5为本专利技术一实施例提供的一种显示装置的框图；图6为本专利技术一实施例提供的一种导电图案结构的制备方法的流程图。附图标记：101-第一缓冲层；102-低电阻金属；103-第二缓冲层；20-导电图案结构；201-第一金属层；202-第二金属层；203-缓冲层；30-阵列基板；301-衬底基板；302-栅极；303-栅绝缘层；304-有源层；305-第一源漏电极；306-第二源漏电极；307-有机绝缘层；308-钝化层；309-第一电极；310-第一绝缘层；310-第二电极；311-公共电极线；40-显示装置。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。在显示器件的制作过程中，目前已实现产业化的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)主要包括使用非晶硅、多晶硅、单晶硅、金属氧化物或碳纳米管等作为有源层材料的TFT。上述各种类型的薄膜晶体管通常采用低电阻金属作为导线或者金属电极的材料。当低电阻的金属配线或者金属电极处于高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电图案结构，包括：依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，其中，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面和全部侧表面；所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强。

【技术特征摘要】
1.一种导电图案结构，包括：依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，其中，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面和全部侧表面；所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强。2.根据权利要求1所述的导电图案结构，其中，所述第一金属层的材料包括铜基金属和银基金属中的至少之一。3.根据权利要求2所述的导电图案结构，其中，当所述第一金属层的材料为铜基金属时，所述第二金属层的材料包括金、银、铂和钯中的至少之一；当所述第一金属层的材料为银基金属时，所述第二金属层的材料包括铂和钯中的至少之一。4.根据权利要求3所述的导电图案结构，其中，所述铜基金属包括Cu、CuMo、CuTi、CuMoW、CuMoNb或者CuMoTi；所述银基金属包括Ag、AgMo、AgTi、AgMoW、AgMoNb或者AgMoTi。5.根据权利要求4所述的导电图案结构，其中，在所述铜基金属中，铜的质量百分含量为90wt％～100wt％；在所述银基金属中，银的质量百分含量为90wt％～100wt％。6.根据权利要求1-5中任一项所述的导电图案结构，还包括缓冲层，其中，所述第一金属层设置在所述缓冲层上，所述缓冲层的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。7.根据权利要求6所述的导电图案结构，其中，所述缓冲层的厚度为20～30nm，所述第一金属层的厚度为200～400nm，所述第二金属层的厚度为10～50nm。8.一种阵列基板，包括权利要求1-7中任一项所述的导电图...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪建国，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11