双端驱动式高频次基板结构及包含其的高频传输结构制造技术

一种双端驱动式高频次基板结构及包含其的高频传输结构，该高频次基板结构具有一次基板本体，于该次基板本体的正面设置有第一讯号垫区及第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区，并于该次基板本体的内层或底侧具有接地层，经由该接地垫区上的过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层，由此，本实用新型专利技术具有优异高频传输特性，且运行稳定，寿命较长。

【技术实现步骤摘要】
双端驱动式高频次基板结构及包含其的高频传输结构
本技术有关于一种光通讯用的高频电路，特别是指一种双端驱动式高频次基板结构及包含其的高频传输结构。
技术介绍
于光通讯的领域中，资料传输持续不断地朝高速化方向演进，然而高速讯号传输面临的课题却不同于以往。在进行高速讯号传输时，经常需要考虑到高频讯号于传输过程中讯号的完整性，于高频电路设计时，为确保特性阻抗的整合匹配，必须思考抑制讯号衰减的对策。因此在设计阻抗匹配时，配线幅度与配线间隔的调整与贯孔的设计均是必须要考量的内容。因此，如何重新设计适合的高频封装架构来应付高速网路中对于高频电路的需求，为业界人士所欲克服的问题。在光通讯的电路中，一般都是用微带线(Microstrip)进行次基板及电路板的电路布局，一般的微带线次基板包含有一组讯号垫区、于其中一该讯号垫区的上方设置有半导体晶片，并由另一讯号垫区上打线至该半导体晶片，藉以驱动该半导体晶片。然而，在高频讯号传输中，微带线的设计容易在高频率讯号状况下与周遭的介质产生更细微的交互作用，进而产生寄生电容电感效应，这类的寄生效应不仅会影响讯号的连续性，也会造成讯号常有失真的情况。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种双端驱动式高频次基板结构及包含其的高频传输结构，其具有优异高频传输特性，且运行稳定，寿命较长。为达到上述的目的，本技术公开了一种双端驱动式高频次基板结构，具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区，并于该次基板本体的内层或底侧具有一接地层，经由该接地垫区上的一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层。还公开了一种双端驱动式高频次基板结构，具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区，该次基板本体的内层或底侧具有一接地层或结合于一接地层上。其中，该次基板本体为陶瓷散热基板。其中，该次基板本体为氮化铝或氧化铝制成。其中，该跳线为金线缎带或金线。还公开了一种双端驱动式高频传输结构，包含有：一主基板；一次基板，设置于该主基板上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的第一接地垫区，并于该次基板本体的内层或底侧具有一第一接地层，经由该第一接地垫区上的一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该第一接地垫区及该第一接地层；以及一电路板，设置于该主基板上，该电路板的二侧具有一第一金属垫区以及一第二金属垫区，于该第一金属垫区及该第二金属垫区的两侧分别具有共面波导的第二接地垫区，并于该电路板的内层或底侧具有一第二接地层，经由该第二接地垫区上的一或多个过孔穿过该电路板以电性连接该第二接地垫区及该第二接地层，该第一金属垫区透过电性连接手段连接至该第一讯号垫区，该第二金属垫区透过电性连接手段连接至该第二讯号垫区。还公开了一种双端驱动式高频传输结构，包含有：一主基板，其上具有一接地层；一次基板，设置于该主基板的接地层上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的第一接地垫区；以及一电路板，设置于该主基板上，该电路板的二侧具有一第一金属垫区以及一第二金属垫区，于该第一金属垫区及该第二金属垫区的两侧分别具有共面波导的第二接地垫区，并于该电路板的内层或底侧具有一第二接地层，经由该第二接地垫区上的一或多个过孔穿过该电路板以电性连接该第二接地垫区及该第二接地层，该第一金属垫区透过电性连接手段连接至该第一讯号垫区，该第二金属垫区透过电性连接手段连接至该第二讯号垫区，且该第二接地层电性连接至该主基板上的该接地层。其中，该第一接地垫区透过电性连接手段连接至该第二接地垫区。其中，该次基板本体为陶瓷散热基板。其中，该陶瓷散热基板为氮化铝或氧化铝制成。其中，该电性连接手段为连接至二端垫区的跳线。其中，该第一金属垫区及该第二金属垫区分别连接至差动放大器的二输出端。其中，该跳线为金线缎带或金线。其中，该电路板为硬式印刷电路板、软式印刷电路板或陶瓷电路板。其中，该陶瓷电路板为氮化铝或氧化铝制成。还公开了一种双端驱动式高频传输结构，包含有：一基座，包含有一座本体、以及二穿过该座本体的电极脚位，该电极脚位分别与该座本体之间具有一绝缘层；以及一次基板，垂直设置于该座本体上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体于垂直方向上的一侧设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区分别与二该电极脚位电性连接，于该次基板本体垂直方向上的另一侧或该次基板本体的内层设置有一接地层，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区。其中，该基座上包含有一垂直于该座本体的芯柱，该芯柱于垂直方向上的一面具有一用以供该次基板本体一侧平面固定结合的结合平面。其中，该次基板包含有一设置于该次基板本体的侧边缘并电性连接两侧该接地垫区及该接地层的侧镀金层。其中，该接地垫区上具有一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层。还公开了一种双端驱动式高频传输结构，包含有：一基座，包含有一座本体、二穿过该座本体的电极脚位、以及一垂直于该座本体的芯柱，该电极脚位分别与该座本体之间具有一绝缘层，该芯柱于垂直方向上的一面具有一具有导电效果的结合平面；以及一次基板，垂直设置于该座本体上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体于垂直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双端驱动式高频次基板结构，具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区，并于该次基板本体的内层或底侧具有一接地层，经由该接地垫区上的一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层。

【技术特征摘要】
2016.10.13 TW 105215535;2016.11.16 TW 1052174841.一种双端驱动式高频次基板结构，具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区，并于该次基板本体的内层或底侧具有一接地层，经由该接地垫区上的一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层。2.一种双端驱动式高频次基板结构，具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区，该次基板本体的内层或底侧具有一接地层或结合于一接地层上。3.如权利要求1或2所述的双端驱动式高频次基板结构，其特征在于，该次基板本体为陶瓷散热基板。4.如权利要求3所述的双端驱动式高频次基板结构，其特征在于，该次基板本体为氮化铝或氧化铝制成。5.如权利要求1或2所述的双端驱动式高频次基板结构，其特征在于，该跳线为金线缎带或金线。6.一种双端驱动式高频传输结构，包含有：一主基板；一次基板，设置于该主基板上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的第一接地垫区，并于该次基板本体的内层或底侧具有一第一接地层，经由该第一接地垫区上的一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该第一接地垫区及该第一接地层；以及一电路板，设置于该主基板上，该电路板的二侧具有一第一金属垫区以及一第二金属垫区，于该第一金属垫区及该第二金属垫区的两侧分别具有共面波导的第二接地垫区，并于该电路板的内层或底侧具有一第二接地层，经由该第二接地垫区上的一或多个过孔穿过该电路板以电性连接该第二接地垫区及该第二接地层，该第一金属垫区透过电性连接手段连接至该第一讯号垫区，该第二金属垫区透过电性连接手段连接至该第二讯号垫区。7.一种双端驱动式高频传输结构，包含有：一主基板，其上具有一接地层；一次基板，设置于该主基板的接地层上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的第一接地垫区；以及一电路板，设置于该主基板上，该电路板的二侧具有一第一金属垫区以及一第二金属垫区，于该第一金属垫区及该第二金属垫区的两侧分别具有共面波导的第二接地垫区，并于该电路板的内层或底侧具有一第二接地层，经由该第二接地垫区上的一或多个过孔穿过该电路板以电性连接该第二接地垫区及该第二接地层，该第一金属垫区透过电性连接手段连接至该第一讯号垫区，该第二金属垫区透过电性连接手段连接至该第二讯号垫区，且该第二接地层电性连接至该主基板上的该接地层。8.如权利要求6或7所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该第一接地垫区透过电性连接手段连接至该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈和毅，黄柏昭，邱怡菁，罗丕丞，粟华新，
申请(专利权)人：华星光通科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71