复合式无源装置及复合式制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种复合式无源装置，用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件。该复合式无源装置包括第一无源元件和第二无源元件。第一无源元件利用该至少一种技术的第一技术和/或该至少一种技术的第二技术，第二技术不同于第一技术，以及，技术边界设置在第二技术的电介质和第一技术的电介质之间。该至少一个无源元件的该第二无源元件不同于该第一无源元件。第二无源元件利用第一技术和/或第二技术，以及，第一无源元件和第二无源元件通过该技术边界彼此电磁耦合。相应地，本发明专利技术还提供了一种复合式制造方法。采用本发明专利技术，可以协同作用利用不同技术的无源元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及复合式无源装置(hybridpassivedevice)，更特别地，涉及一种对利用(residein)至少一种技术的至少一个无源元件(passivecomponent)进行协同作用(synergizing)的复合式无源装置。
技术介绍
平衡-不平衡装置(也称作巴伦装置(Balundevice))被广泛用于将不平衡的输入信号变换(transform)为平衡的输出信号对，或者，反之，将平衡的输入信号对变换为不平衡的输出信号。通常，仅需要在单一(single)的工艺(如层压基板(laminatedsubstrate))中制造巴伦装置，或者，通过单一技术(如集成无源器件(integrated-passive-device,IPD)技术)对巴伦装置进行设计。然而，在射频(radiofrequency，RF)前端(front-end)模块中，巴伦装置占用大部分的芯片(die)和层压基板。无源器件(passivedevice)在典型的匹配网络上花费设计资源，尤其是要求高阻抗变换时。相应地，要求更多的金属层和更昂贵的制造工艺来实现具有许多无源器件的巴伦装置。然而，对于典型的IC封装或MCM(MCM-MultichipModule，多芯片组件)封装，通常需利用至少两种不同的技术来实现巴伦装置。然而，制造利用两种以上的技术的巴伦装置是复杂的，且大大增加成本。因此，需要有一种复合式无源装置和复合式制造方法来设计巴伦装置，以使该巴伦装置对利用至少一种技术的至少一个无源器件进行协同作用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的之一在于提供一种复合式无源装置和复合式制造方法，以协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件。在本专利技术的第一方面中，提供了一种复合式无源装置，用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件。该复合式无源装置包括第一无源元件和第二无源元件。第一无源元件利用该至少一种技术的第一技术和/或该至少一种技术的第二技术，第二技术不同于第一技术，以及，技术边界设置在第二技术和第一技术之间。该至少一个无源元件的第二无源元件不同于第一无源元件。第二无源元件利用第一技术和/或第二技术，以及，第一无源元件和第二无源元件通过技术边界彼此电磁耦合。在本专利技术的另一方面中，当第一无源元件和/或第二无源元件利用第一技术以及第二技术时，将利用第一技术以及第二技术的第一无源元件和/或第二无源元件分成利用第一技术的第一子元件和利用第二技术的第二子元件，以及，第一子元件和第二子元件通过导电链连接。进一步地，导电链由导电材料组成，以传送导电电流和将所述第一技术和所述第二技术互连。此外，导电链包括通孔、焊接凸点或铜柱凸点。在本专利技术的另一实施例中，第一无源元件和第二无源元件分别包括被第一技术和/或第二技术的电介质包围的金属结构。技术边界为用于与第一技术和/或第二技术的电介质相接触的平面。在本专利技术的另一方面中，第一技术和第二技术包括第一无源元件和第二无源元件所利用的基板技术和/或包括第一无源元件和第二无源元件所利用的制造工艺技术。基板技术包括层压基板、LGA基板和/或引线框。进一步地，制造工艺技术包括IPD制造工艺、CMOS制造工艺、化合物半导体工艺和/或封装成型工艺。第一无源元件和第二无源元件之间的电磁耦合包括用于共享磁场线的电感耦合和用于共享电场线的电容耦合。此外，复合式无源装置在覆晶式封装内被制造，以及，复合式无源装置是用于在单头和差分头之间转换的巴伦装置。在本专利技术的另一方面中，提供了一种复合式制造方法，用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件。该复合式制造方法包括：确定技术边界以及所述至少一种技术的第一技术和第二技术，设置利用所述第一技术和/或所述第二技术的所述至少一个无源元件的第一无源元件；以及设置所述至少一个无源元件的第二无源元件，所述第二无源元件不同于所述第一无源元件。所述第二技术不同于所述第一技术，且技术边界设置在所述第二技术和所述第一技术之间。所述第二无源元件利用所述第一技术和/或所述第二技术，以及，所述第一无源元件和所述第二无源元件通过所述技术边界彼此电磁耦合。在本专利技术的另一方面中，还提供了一种复合式制造方法，用于协同作用多种技术的复合式无源装置。该复合式制造方法包括：确定所述复合式无源装置的至少一个要求；根据所述至少一个要求，确定所述多种技术；以及根据所述至少一个要求和所述多种技术，设置用于所述复合式无源装置的至少一个无源元件。所述复合式无源装置利用多种技术，以协同作用该至少一个无源元件。采用本专利技术，复合式无源装置可以协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件。附图说明图1A是根据本专利技术实施例的一种复合式无源装置的剖面图；图1B是根据本专利技术实施例的一种复合式无源装置的俯视图；图2A是根据本专利技术另一实施例的复合式无源装置的剖视图；图2B是根据本专利技术另一实施例的复合式无源装置的俯视图；图3是根据本专利技术另一实施例的复合式无源装置的剖视图；图4是根据本专利技术另一实施例的复合式无源装置的剖视图；图5示出了一种根据本专利技术实施例的复合式制造方法；图6示出了一种根据本专利技术另一实施例的复合式制造方法；图7示出了一种根据本专利技术另一实施例的复合式制造方法。具体实施方式以下描述为本专利技术实施的较佳实施例。以下实施例仅用来例举阐释本专利技术的技术特征，并非用来限制本专利技术的范畴。在通篇说明书及以下权利要求书当中利用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区别元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区别的基准。本专利技术中利用的术语“元件”、“系统”和“装置”可以是与计算机相关的实体，其中，该计算机可以是硬件、软件、或硬件和软件的结合。在以下描述和权利要求书当中所提及的术语“包含”和“包括”为开放式用语，故应解释成“包含，但不限定于…”的意思。此外，术语“耦接”意指间接或直接的电气连接。因此，若文中描述一个装置耦接于另一装置，则代表该装置可直接电气连接于该另一装置，或者透过其它装置或连接手段间接地电气连接至该另一装置。图1A是根据本专利技术实施例的一种复合式无源装置(hybridpassivedevice)10的剖面图。该复合式无源装置10包括至少一个无源元件(passivecomponent)，且每个无源元件利用(residein)至少一种技术，换言之，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合式无源装置，用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件，其特征在于，包括：所述至少一个无源元件包括第一无源元件和不同于所述第一无源元件的第二无源元件，所述至少一种技术包括第一技术和不同于所述第一技术的第二技术；其中，所述第一无源元件利用所述第一技术和/或所述第二技术；所述第二无源元件利用所述第一技术和/或所述第二技术；技术边界，设置在所述第一技术的电介质和所述第二技术的电介质之间；所述第一无源元件和所述第二无源元件通过所述技术边界彼此电磁耦合。

【技术特征摘要】
2014.12.19 US 62/094,146;2015.06.11 US 14/736,6531.一种复合式无源装置，用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源
元件，其特征在于，包括：
所述至少一个无源元件包括第一无源元件和不同于所述第一无源元件的第
二无源元件，所述至少一种技术包括第一技术和不同于所述第一技术的第二技
术；其中，所述第一无源元件利用所述第一技术和/或所述第二技术；所述第二
无源元件利用所述第一技术和/或所述第二技术；
技术边界，设置在所述第一技术的电介质和所述第二技术的电介质之间；
所述第一无源元件和所述第二无源元件通过所述技术边界彼此电磁耦合。
2.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，当所述第一无源元
件和所述第二无源元件中的任意无源元件利用所述第一技术和所述第二技术
时，利用所述第一技术和所述第二技术的所述第一无源元件和所述第二无源元
件中的该任意无源元件包括利用所述第一技术的第一子元件和利用所述第二技
术的第二子元件，以及，所述第一子元件和所述第二子元件通过导电链连接。
3.如权利要求2所述的复合式无源装置，其特征在于，所述导电链由导电
材料组成，以传送导电电流和将所述第一技术和所述第二技术互连。
4.如权利要求3所述的复合式无源装置，其特征在于，所述导电链包括：
通孔、焊接凸点或铜柱凸点。
5.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述第一无源元件
和所述第二无源元件分别包括被所述第一技术和/或所述第二技术的电介质包围
的金属结构。
6.如权利要求5所述的复合式无源装置，其特征在于，所述技术边界为用
于接触所述第一技术的电介质和所述第二技术的电介质的平面。
7.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述第一技术和所
述第二技术包括基板技术和制造工艺技术中的至少一种。
8.如权利要求7所述的复合式无源装置，其特征在于，所述基板技术包括
层压基板、LGA基板和引线框中的至少一种。
9.如权利要求7所述的复合式无源装置，其特征在于，所述制造工艺技术
包括IPD制造工艺、CMOS制造工艺、化合物半导体工艺和封装成型工艺中的
至少一种。
10.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述第一无源元
件和所述第二无源元件之间的电磁耦合包括用于共享磁场线的电感耦合和用于
共享电场线的电容耦合。
11.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述复合式无源
装置在覆晶式封装内被制造。
12.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述复合式无源
装置是用于在单头和差分头之间进行连接转换的巴伦装置。
13.一种复合式制造方法，用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无
源元件，其特征在于，所述至少一个无源元件包括第一无源元件和第二无源元
件，该方法包括：
确定技术边界以及所述至少一种技术的第一技术和第二技术，其中，所述
第二技术不同于所述第一技术，且所述技术边界设置在所述第二技术的电介质
和所述第一技术的电介质之间；
设置利用所述第一技术和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李道一，曾柏森，蔡明达，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71