金属半导体结的蚀刻保护层结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种金属半导体结的蚀刻保护层结构及其制造方法，其中该金属半导体结的蚀刻保护层结构，包括一半导体基板以及一金属蚀刻保护层。半导体基板具有一金属半导体接触层。金属蚀刻保护层设置于该金属半导体接触层之上，作为激光元件脊状结构在进行感应耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP

【技术实现步骤摘要】
金属半导体结的蚀刻保护层结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种金属半导体结(METAL SEMICONDUCTOR JUNCTION)的蚀刻保护层，特别是涉及一种金属半导体结的蚀刻保护层结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]金属半导体结的高掺杂接触层于各制作工艺站的生产过程中都易受到高功率等离子体的清洁或蚀刻制作工艺的作用，而造成物理与化学性损伤。使表面缺陷密度增加或严重破坏接触层表面，进而改变元件光电特性，甚至发生高温退火制作工艺也无法补救的电性影响。
[0003]一般常见作为激光元件脊状结构在进行感应耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)制作工艺的蚀刻硬阻挡层(Hard Mask)材料，如介电材料氮化钛TiN、氮化硅SiN、二氧化硅SiO2等，在制作工艺最后必须被移除。

技术实现思路

[0004]使用金属钛(Ti)/铂(Pt)作为激光元件脊状波导上方半导体接触层的蚀刻保护层(ridge metal)，避免制作工艺中高功率等离子体对表面造成损伤，以确保元件光电特性不受影响并降低可靠度风险。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属半导体结的蚀刻保护层结构，其特征在于，包括：半导体基板，具有金属半导体接触层；以及金属蚀刻保护层，设置于该金属半导体接触层之上，作为激光元件脊状结构在进行感应耦合等离子体反应离子蚀刻(inductively coupled plasma reactive ion etching，ICP-RIE)制作工艺的蚀刻掩模，在完成该蚀刻制作工艺后无需移除该金属蚀刻保护层。2.如权利要求1所述的金属半导体结的蚀刻保护层结构，其中，该金属蚀刻保护层的形成是先于该半导体基板上定义金属蚀刻保护层图案，再在该金属蚀刻保护层图案上沉积金属保护层，最后去除该金属蚀刻保护层图案以外的该金属保护层。3.如权利要求1所述的金属半导体结的蚀刻保护层结构，其中，该金属蚀刻保护层是铂(Pt)、钛(Ti)/铂(Pt)或钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)的P型金属。4.一种金属半导体结的蚀刻保护层结构的制造方法，包括以下步骤：提供具有金属半导体接触层的半导体基板；在该半导体基板上定义金属蚀刻保护层图案；在该金属蚀刻保护层图...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴侑伦，
申请(专利权)人：华星光通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：