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本发明公开一种金属半导体结的蚀刻保护层结构及其制造方法，其中该金属半导体结的蚀刻保护层结构，包括一半导体基板以及一金属蚀刻保护层。半导体基板具有一金属半导体接触层。金属蚀刻保护层设置于该金属半导体接触层之上，作为激光元件脊状结构在进行感应耦...
该专利属于华星光通科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华星光通科技股份有限公司授权不得商用。

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