密封用片、带隔片的密封用片、半导体装置、及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够防止在搬送时等从吸附夹头上落下、并且能够将半导体芯片适当地埋入的密封用片。一种密封用片，其中，厚度t[mm]与50℃下的储存弹性模量G’[Pa]之积α满足300≤α≤1.5×10

Sealing sheet, sealing sheet with spacer, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

The present invention provides a sealing sheet that prevents falling from an adsorption chuck when moving and is capable of suitably embedding a semiconductor chip. A sealing piece, wherein, the storage modulus G 'thickness t[mm] and 50 DEG C of [Pa] product of alpha 300 = Alpha content is less than 1.5 * 10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】密封用片、带隔片的密封用片、半导体装置、及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及密封用片、带隔片的密封用片、半导体装置、及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，已知有通过在被固定于基板等上的1个或多个半导体芯片上配置密封用片，之后，在加热下进行加压而将半导体芯片埋入到密封用片中的半导体装置的制造方法(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-19714号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题上述那样的密封用片在使用时，有时利用吸附夹头而被抬起、搬送。然而，在抬起时、搬送时等，有可能密封用片从吸附夹头上落下。另一方面，若密封用片过硬，则会产生无法将半导体芯片适当地埋入的问题。本专利技术是鉴于上述的课题而进行的，其目的在于提供能够防止在搬送时等从吸附夹头上落下、并且能够将半导体芯片适当地埋入的密封用片、及带隔片的密封用片。此外，在于提供该密封用片、及使用该带隔片的密封用片而制造的半导体装置。此外，在于提供使用了该带隔片的密封用片的半导体装置的制造方法。用于解决课题的方案本专利技术人们对上述课题进行了深入研究。其结果发现，若密封用片的厚度与储存弹性模量G’之积在一定的范围内，则能够防止在搬送时等密封用片从吸附夹头上落下，并且能够将半导体芯片适当地埋入密封用片中，从而完成本专利技术。即，本专利技术所述的密封用片的特征在于，厚度t[mm]与50℃下的储存弹性模量G’[Pa]之积α满足下述式1。式1：300≤α≤1.5×105首先，关于厚度，越薄则越容易挠曲，另一方面，越厚则越难以挠曲。此外，关于储存弹性模量，值越小则越柔软而越容易挠曲，另一方面，值越大则越硬而越难以挠曲。因此，在密封用片的厚度薄的情况下，若不一定程度地增大储存弹性模量，则会挠曲。另一方面，在密封用片的厚度厚的情况下，即使储存弹性模量不怎么大，也不会挠曲。本专利技术人们发现：像这样，密封用片的厚度和储存弹性模量与挠曲密切相关。并且，本专利技术人们发现：若将厚度与储存弹性模量之积α设定为300以上，则能够防止在搬送时等密封用片发生挠曲而落下。此外，若储存弹性模量过高，则虽然能够抑制挠曲，但是无法将半导体芯片埋入。因此，本专利技术人们发现：通常，考虑作为密封用片使用的厚度，只要将厚度与储存弹性模量之积α设定为1.5×105以下，则能够适当地将半导体芯片埋入密封用片中。由以上内容，根据本专利技术的密封用片，由于厚度t[mm]与50℃下的储存弹性模量G’[Pa]之积α在满足上述式1的范围内，所以能够防止在搬送时等密封用片从吸附夹头上落下，并且能够将半导体芯片适当地埋入密封用片中。另外，关于储存弹性模量G’的测定温度，并非搬送时的温度、即室温(25℃)，而设定为50℃是由于在25℃下测定误差变大，所以采用测定误差少并且接近室温的温度。此外，本专利技术所述的带隔片的密封用片的特征在于，其具备上述密封用片、和层叠于上述密封用片的至少一个面上的隔片，25℃下的弯曲弹性模量E[N/mm2]与上述密封用片的面积A[mm2]之积β满足下述式2。式2∶4.0×106≤β≤1.7×109关于面积，面积越大则越容易挠曲，越小则越难以挠曲。关于弯曲弹性模量，值越小则越柔软而越容易挠曲，另一方面，值越大则越硬而越难以挠曲。因此，在密封用片的面积大的情况下，若不一定程度地增大弯曲弹性模量，则会挠曲。另一方面，在密封用片的面积小的情况下，即使弯曲弹性模量不怎么大，也不会挠曲。并且，若将厚度与弯曲弹性模量之积β设定为4.0×106以上，则能够防止在搬送时等密封用片发生挠曲而落下。此外，在面积大的情况下，必须一定程度地增大弯曲弹性模量，但在超过适合的范围的高弯曲弹性模量时埋入性产生问题。因而，通过将β的范围设定为1.7×109以下，能够不使树脂片发生变形、挠曲而适当地将半导体芯片埋入密封用片中。此外，本专利技术所述的半导体装置的特征在于，其是使用上述密封用片而制造的。上述密封用片由于满足上述式1，所以可以抑制在搬送时等从吸附夹头上落下。此外，由于使用上述密封用片，所以半导体芯片被适当地埋入密封用片中。因此，所制造的半导体装置的成品率提高。此外，本专利技术所述的半导体装置的特征在于，其是使用上述带隔片的密封用片而制造的。上述带隔片的密封用片由于满足上述式1，所以可以抑制在搬送时等从吸附夹头上落下。此外，由于使用上述带隔片的密封用片，所以半导体芯片被适当地埋入密封用片中。因此，所制造的半导体装置的成品率提高。在上述构成中，上述密封用片优选面积A为40000mm2以上。此外，在上述构成中，上述带隔片的密封用片优选上述密封用片的面积A为40000mm2以上。上述密封用片由于满足上述式1，所以可以抑制挠曲。因此，即使将上述密封用片的面积A设定为40000mm2以上这样的大面积，也能够抑制在搬送时等从吸附夹头上落下。此外，本专利技术所述的半导体装置的制造方法的特征在于，其具有以下工序：准备在支承体上固定有半导体芯片的层叠体的工序A；准备上述带隔片的密封用片的工序B；将上述带隔片的密封用片配置在上述层叠体的上述半导体芯片上的工序C；将上述半导体芯片埋入上述密封用片中，形成在上述密封用片中埋入有上述半导体芯片的密封体的工序D。根据上述构成，上述密封用片由于满足上述式1，所以可以抑制在搬送时等从吸附夹头上落下。因此，能够提高使用该带隔片的密封用片而制造的半导体装置的成品率。专利技术效果根据本专利技术，能够提供能够防止在搬送时等从吸附夹头上落下、并且能够将半导体芯片适当地埋入的密封用片、及带隔片的密封用片。此外，能够提供该密封用片、及使用该带隔片的密封用片而制造的半导体装置。此外，能够提供使用了该带隔片的密封用片的半导体装置的制造方法。附图说明图1是本实施方式所述的两面带隔片的密封用片的截面示意图。图2是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。图3是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。图4是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。图5是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。图6是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。图7是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。图8是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。图9是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。图10是用于说明本实施方式所述的半导体装置的制造方法的截面示意图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式，参照附图进行说明。但是，本专利技术并不仅限定于这些实施方式。(带隔片的密封用片)图1是本实施方式所述的带隔片的密封用片的截面示意图。如图1中所示的那样，带隔片的密封用片10具备密封用片40、层叠于密封用片40的一个面上的隔片41a、和层叠于密封用片40的另一个面上的隔片41b。隔片41a及隔片41b相当于本专利技术的隔片。另外，本实施方式中，对本专利技术的带隔片的密封用片在密封用片的两面上层叠有隔片的情况、即两面带隔片的密封用片进行说明，但本专利技术的带隔片的密封用片并不限定于该例，也可以是在密封用片的仅一个面上层叠有隔片的情况、即、单面带隔片的密封用片。此外，本实施方式中，对带隔片的密封用片进行说明，但本专利技术也可以是没有层叠隔片的密封用片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封用片，其特征在于，厚度t与50℃下的储存弹性模量G’之积α满足下述式1，其中，厚度t的单位为mm，储存弹性模量G’的单位为Pa，式1：300≤α≤1.5×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.29 JP 2014-1757721.一种密封用片，其特征在于，厚度t与50℃下的储存弹性模量G’之积α满足下述式1，其中，厚度t的单位为mm，储存弹性模量G’的单位为Pa，式1：300≤α≤1.5×105。2.一种带隔片的密封用片，其特征在于，其具备权利要求1所述的密封用片、和层叠于所述密封用片的至少一个面上的隔片，25℃下的弯曲弹性模量E与所述密封用片的面积A之积β满足下述式2，其中，弯曲弹性模量E的单位为N/mm2，面积A的单位为mm2，式2：4.0×106≤β≤1.7×109。3.一种半导体装置，其是使用权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭野智绘，志贺豪士，石井淳，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP